FM24C16B-GTR 16-Kbit (2K × 8) F-RAM série (I2C)
FM24C16B-GTR 16-Kbit (2K × 8) F-RAM série (I2C)
Caractéristiques principales
- Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 16 Kbit organisée logiquement en 2K × 8
- Endurance élevée de 100 billions (10¹⁴) de lectures/écritures
- Rétention des données de 151 ans
- Écritures NoDelay™
- Procédé ferroélectrique avancé de haute fiabilité
- Interface série rapide à 2 fils (I2C) avec une fréquence allant jusqu'à 1 MHz
- Remplacement matériel direct pour EEPROM série (I2C)
- Prend en charge les temporisations héritées pour 100 kHz et 400 kHz
- Faible consommation d'énergie : courant actif de 100 μA à 100 kHz, courant de veille de 4 μA (typique)
- Plage de tension de fonctionnement : VDD = 4,5 V à 5,5 V
- Plage de température industrielle : -40 °C à +85 °C
- Boîtier de circuit intégré à petit contour (SOIC) à 8 broches
- Conforme à la directive sur la restriction des substances dangereuses (RoHS)
Description fonctionnelle
Le FM24C16B est une mémoire non volatile de 16 Kbit utilisant un procédé ferroélectrique avancé. Une mémoire vive ferroélectrique ou F-RAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à une RAM. Elle offre une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, la surcharge et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les EEPROM et autres mémoires non volatiles.
Contrairement aux EEPROM, le FM24C16B effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus. Aucune latence d'écriture n'est induite. Les données sont écrites dans le réseau de mémoire immédiatement après le transfert réussi de chaque octet vers le dispositif. Le cycle de bus suivant peut commencer sans qu'il soit nécessaire de sonder les données. De plus, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport aux autres mémoires non volatiles. De plus, la F-RAM présente une consommation d'énergie beaucoup plus faible lors des écritures que les EEPROM, car les opérations d'écriture ne nécessitent pas de tension d'alimentation interne élevée pour les circuits d'écriture. Le FM24C16B est capable de supporter 10¹⁴ cycles de lecture/écriture, soit 100 millions de fois plus de cycles d'écriture que les EEPROM.
Ces capacités rendent le FM24C16B idéal pour les applications de mémoire non volatile nécessitant des écritures fréquentes ou rapides. Les exemples vont de l'enregistrement de données, où le nombre de cycles d'écriture peut être critique, aux commandes industrielles exigeantes où le long temps d'écriture des EEPROM peut entraîner une perte de données. La combinaison de ces caractéristiques permet une écriture de données plus fréquente avec moins de surcharge pour le système.
Le FM24C16B offre des avantages substantiels aux utilisateurs d'EEPROM série (I2C) en tant que remplacement matériel direct. Les spécifications du dispositif sont garanties sur une plage de température industrielle de -40 °C à +85 °C.
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Spécifications de fonctionnement
| Température ambiante (TA) |
VDD |
| -40 °C à +85 °C |
4,5 V à 5,5 V |
Emballage et expédition
Emballage standard d'exportation disponible. Les clients peuvent choisir parmi des cartons, des caisses en bois et des palettes en bois selon leurs besoins.
Questions fréquemment posées
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