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2Gbit NAND Flash Chip TSOPI-48 2.7V-3.6V 25ns Ciclo di scrittura IMS2G083ZZC1S-WP

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2Gbit NAND Flash Chip TSOPI-48 2.7V-3.6V 25ns Ciclo di scrittura IMS2G083ZZC1S-WP

2Gbit NAND Flash Chip TSOPI-48 2.7V-3.6V 25ns Write Cycle IMS2G083ZZC1S-WP
2Gbit NAND Flash Chip TSOPI-48 2.7V-3.6V 25ns Write Cycle IMS2G083ZZC1S-WP 2Gbit NAND Flash Chip TSOPI-48 2.7V-3.6V 25ns Write Cycle IMS2G083ZZC1S-WP 2Gbit NAND Flash Chip TSOPI-48 2.7V-3.6V 25ns Write Cycle IMS2G083ZZC1S-WP

Grande immagine :  2Gbit NAND Flash Chip TSOPI-48 2.7V-3.6V 25ns Ciclo di scrittura IMS2G083ZZC1S-WP

Dettagli:
Luogo di origine: Cn
Marca: ICMAX
Certificazione: RoHS
Numero di modello: IMS2G083zzc1s-WP
Documento: 34251E3BC239F327263F8DF6DB7...AC.pdf
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 2
Prezzo: consult
Imballaggi particolari: T/R
Tempi di consegna: 5 ~ 8 giorni
Termini di pagamento: T/T, Western Union
Capacità di alimentazione: 10000
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2Gbit NAND Flash Chip TSOPI-48 2.7V-3.6V 25ns Ciclo di scrittura IMS2G083ZZC1S-WP

descrizione
Confezionamento del prodotto: Tsopi-48 Capacità di stoccaggio: 2Gbit
Tensione di lavoro: 2,7 V - 3,6 V Scrivi il tempo di ciclo (TW): 25ns
Pagina Write Time (TPP: 300us
Evidenziare:

2Gbit NAND Flash Chip TSOPI-48

,

NAND Flash Chip 2.7V-3.6V

,

NAND Flash Chip 25ns ciclo di scrittura

Chip Flash NAND 2Gbit(256x8) IMS2G083ZZC1S-WP
RIEPILOGO DELLE CARATTERISTICHE
  • Tecnologia a cella singola
  • CONFORME A OPEN NAND FLASH INTERFACE (ONFI) 1.0
  • TENSIONE DI ALIMENTAZIONE - VCC = 2,7 V ~ 3,6 V
  • ARRAY DI CELLE DI MEMORIA (con SPARE)
    • Dimensione pagina: x8 - 3,3 V: (2K+128spare) byte
    • Dimensione blocco: x8 - 3,3 V: (128K+8Kspare) byte
    • Dimensione dispositivo: 2048 blocchi
  • TEMPO DI LETTURA/PROGRAMMAZIONE PAGINA
    • Tempo di lettura casuale (tR): 30us (Max)
    • Tempo di accesso sequenziale: 3,3 V - 25 ns (Min)
    • Programmazione pagina: 300us (Tip)
  • CANCELLAZIONE BLOCCO
    • Tempo di cancellazione blocco: 3,5 ms (Tip)
  • SET DI COMANDI
    • Set di comandi conforme a ONFI1.0
    • Leggi ID univoco
  • SICUREZZA
    • Area OTP
    • Numero di serie (ID univoco)
    • Protezione non volatile
  • FIRMA ELETTRONICA
    • 1° ciclo: Codice produttore
    • 2° ciclo: Codice dispositivo
    • 3° ciclo: Numero chip interno, Tipo di cella, Numero di pagine programmate simultaneamente, Programmazione interleaved, Write Cache
    • 4° ciclo: Dimensione pagina, Dimensione blocco, Organizzazione, Dimensione spare, Tempo di accesso seriale
    • 5° ciclo: ECC, Informazioni multi-piano
  • AFFIDABILITÀ
    • 50.000 cicli di programmazione/cancellazione (con ECC a 4 bit per 512 byte)
  • CONSERVAZIONE DATI
    • 10 anni
  • TEMPERATURA DI FUNZIONAMENTO
    • Commerciale (0℃ ~ 70℃)
  • OPZIONE CHIP ENABLE DON’T CARE
    • Interfaccia semplice con microcontrollori
  • OPZIONE PACCHETTO
    • Pacchetto senza Pb
    • TSOP a 48 pin (passo 12 x 20 / 0,5 mm)
DESCRIZIONE SOMMARIA

La FLASH NAND è offerta con un'alimentazione VCC a 3,3 V e con un'interfaccia I/O x8. La sua cella NAND offre la soluzione più conveniente per il mercato dell'archiviazione di massa a stato solido. La memoria è divisa in blocchi che possono essere cancellati indipendentemente, quindi è possibile preservare i dati validi mentre i vecchi dati vengono cancellati. La dimensione della pagina per x8 è (2048 + spare) byte.

Per estendere la durata dei dispositivi flash NAND, l'implementazione di un ECC è obbligatoria. Il chip supporta la funzione CE# don't care. Questa funzione consente il download diretto del codice dal dispositivo di memoria flash NAND da parte di un microcontrollore, poiché le transizioni CE# non interrompono l'operazione di lettura. I dispositivi hanno una funzione di Read Cache che migliora la velocità di trasmissione in lettura per file di grandi dimensioni. Durante la lettura della cache, i dispositivi caricano i dati in un registro cache mentre i dati precedenti vengono trasferiti ai buffer I/O per essere letti. Nelle operazioni multi-piano, i dati nella pagina possono essere letti a un tempo di ciclo di 25 ns per byte. I pin I/O fungono da porte per l'input di comandi e indirizzi, nonché per l'input/output dei dati. Questa interfaccia consente un numero di pin ridotto e una facile migrazione verso diverse densità, senza alcuna riorganizzazione dell'ingombro. Comandi, dati e indirizzi vengono introdotti in modo asincrono utilizzando i pin di controllo CE#, WE#, ALE e CLE. Il controller Program/Erase on-chip automatizza tutte le funzioni di lettura, programmazione e cancellazione, inclusa la ripetizione degli impulsi, ove necessario, e la verifica interna e l'aggiustamento dei dati. Un pin WP# è disponibile per fornire protezione hardware contro le operazioni di programmazione e cancellazione. Il pin di uscita R/B# (buffer a drain aperto) segnala lo stato del dispositivo durante ogni operazione. Identifica se il controller di programmazione/cancellazione/lettura è attualmente attivo. L'uso di un'uscita a drain aperto consente ai pin Ready/Busy di diverse memorie di connettersi a un singolo resistore pull-up. In un sistema con più memorie, i pin R/B# possono essere collegati tutti insieme per fornire un segnale di stato globale. La funzione Reprogram consente l'ottimizzazione della gestione dei blocchi difettosi — quando un'operazione di programmazione pagina fallisce, i dati possono essere programmati direttamente in un'altra pagina all'interno della stessa sezione dell'array senza la fase di inserimento seriale dei dati che richiede tempo. È supportato anche il Multiplane Copy Back. È consentita la lettura dei dati dopo Copy Back Read (sia per i casi a piano singolo che multi-piano). Inoltre, le operazioni di Cache Program e Multiplane Cache Program migliorano la velocità di programmazione programmando i dati utilizzando il registro cache. I dispositivi sono disponibili nel pacchetto TSOP48 (12 x 20 mm) e sono dotati delle seguenti funzioni di sicurezza: Area OTP (one time programmable), che è un'area ad accesso limitato in cui è possibile archiviare in modo permanente dati/codice sensibili. Numero di serie (identificatore univoco), che consente di identificare in modo univoco i dispositivi. Contattare la fabbrica per il supporto di questa funzione. Queste funzioni di sicurezza sono soggette a un NDA (accordo di non divulgazione) e, pertanto, non sono descritte nella scheda tecnica. Per maggiori dettagli, contattare l'ufficio vendite più vicino

Nome pin Funzione pin
Nome pin Funzione pin
I/O0 - I/O7 o I/O8 - I/O15 INGRESSI/USCITE DATI I pin I/O vengono utilizzati per inserire comandi, indirizzi e dati e per emettere dati durante le operazioni di lettura. I pin I/O fluttuano ad high-z quando il chip è deselezionato o quando le uscite sono disabilitate.
CLE ABILITAZIONE LATCH COMANDO Questo ingresso attiva il latching degli ingressi DQ all'interno del Registro Comandi sul fronte di salita di Write Enable (WE#).
ALE ABILITAZIONE LATCH INDIRIZZO Questo ingresso attiva il latching degli ingressi DQ all'interno del Registro Comandi sul fronte di salita di Write Enable (WE#).
/CE CHIP ENABLE Questo ingresso controlla la selezione del dispositivo. Quando il dispositivo è occupato, CE# basso non deseleziona la memoria. Il dispositivo entra in modalità Stand-by quando CE# diventa High mentre il dispositivo è nello stato Ready. Il segnale CE# viene ignorato quando il dispositivo è nello stato Busy e non entrerà in modalità Standby anche se CE# diventa alto.
/RE ABILITAZIONE LETTURA L'ingresso /RE è il controllo di uscita dati seriali e, quando attivo, invia i dati sul bus I/O. I dati sono validi tREA dopo il fronte di discesa di /RE che incrementa anche il contatore interno degli indirizzi di colonna di uno.
/WE ABILITAZIONE SCRITTURA Questo ingresso funge da clock per bloccare Comando, Indirizzo e Dati. Gli ingressi DQ vengono bloccati sul fronte di salita di WE#.
/WP PROTEZIONE SCRITTURA Il pin WP#, quando è basso, fornisce una protezione hardware contro operazioni di scrittura indesiderate. La protezione hardware contro la scrittura viene attivata quando il pin Write Protect è basso. In questa condizione l'operazione di modifica non si avvia e il contenuto della memoria non viene alterato. Il pin Write Protect non viene bloccato da Write Enable per garantire la protezione anche durante le fasi di accensione.
R/B USCITA READY/BUSY L'uscita Ready/Busy è un pin Open Drain che segnala lo stato della memoria.
VCC ALIMENTAZIONE VCC fornisce l'alimentazione per tutte le operazioni. (Lettura, Scrittura e Cancellazione).
VSS MASSA
N.C NON COLLEGATO / NON USARE
Imballaggio e spedizione

Imballaggio standard per l'esportazione disponibile. I clienti possono scegliere tra cartoni, casse di legno e pallet di legno in base alle proprie esigenze.

Domande frequenti

Come ottenere il prezzo?

Di solito forniamo preventivi entro 24 ore dalla ricezione della richiesta (esclusi fine settimana e festivi). Per richieste di prezzi urgenti, contattaci direttamente.

Qual è il tempo di consegna?

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Quali sono le opzioni di spedizione?

I metodi di spedizione disponibili includono trasporto marittimo, trasporto aereo e consegna espressa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Si prega di confermare il metodo preferito prima di ordinare.

Valutazione complessiva

5.0
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J
Jacques
France Oct 8.2025
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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Persona di contatto: Mr. Sun

Telefono: +8618824255380

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