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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND 플래시 메모리, 높은 신뢰성과 데이터 보존 기능을 갖춘 단일 프로그래밍 작업 지원

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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND 플래시 메모리, 높은 신뢰성과 데이터 보존 기능을 갖춘 단일 프로그래밍 작업 지원

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability

큰 이미지 :  MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND 플래시 메모리, 높은 신뢰성과 데이터 보존 기능을 갖춘 단일 프로그래밍 작업 지원

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: micron
인증: rohs
모델 번호: MT29F1G08ABAEAWP-IT :Ｅ
문서: DB4E5E94D8E9A8F249785434F20...FD.pdf
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: consult with
포장 세부 사항: T/R
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, 서부 동맹
공급 능력: 100000
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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND 플래시 메모리, 높은 신뢰성과 데이터 보존 기능을 갖춘 단일 프로그래밍 작업 지원

설명
작동 온도: -40℃~+85℃ 작동 전압: 2.7V~3.6V
인터페이스 유형: 평행한 저장 용량: 1Gbit
클럭 주파수 (fc): - 페이지 쓰기 시간(Tpp): 200us
강조하다:

1Gb 낸드 플래시 메모리

,

낸드 플래시 메모리 고신뢰성

,

낸드 플래시 단일 프로그래밍 동작

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND 플래시 메모리
우수한 데이터 보존 기능을 갖춘 단일 프로그래밍 작업을 지원하는 고신뢰성 1Gb NAND 플래시 메모리.
제품 개요
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 8Gb NAND 플래시 메모리는 높은 신뢰성과 데이터 보존 기능을 갖춘 단일 프로그래밍 작업을 지원합니다. 호환 모델은 다음과 같습니다: MT29F1G08ABAEAH4, MT29F1G08ABBEAH4, MT29F1G16ABBEAH4, MT29F1G08ABBEAHC, MT29F1G16ABBEAHC.
주요 특징
  • Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 준수
  • 단일 레벨 셀 (SLC) 기술
  • 프로그램 페이지 캐시 모드 및 읽기 페이지 캐시 모드를 포함한 고급 명령 세트
  • 일회용 프로그래밍 (OTP) 모드
  • 2개 평면 명령 및 내부 데이터 이동 작업
  • 품질 및 신뢰성: JESD47 표준 준수 데이터 보존
  • 내구성: 100,000회 PROGRAM/ERASE 사이클
메모리 구성
  • 페이지 크기 x8: 2112 바이트 (2048 + 64 바이트)
  • 페이지 크기 x16: 1056 워드 (1024 + 32 워드)
  • 블록 크기: 64 페이지 (128K + 4K 바이트)
  • 평면 크기: 평면당 2개 평면 x 512 블록
  • 장치 크기: 1Gb: 1024 블록
성능 사양
  • 비동기 I/O 성능: tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
  • 어레이 성능: 페이지 읽기: 25µs, 페이지 쓰기: 200µs (TYP), 블록 삭제: 700µs (TYP)
작동 조건
  • 작동 전압 범위: VCC: 2.7-3.6V 또는 1.7-1.95V
  • 작동 온도: 상업용 (CT): -0°C ~ +70°C, 산업용 (IT): -40°C ~ +85°C
  • 패키지: 48핀 TSOP Type 1, CPL2
사이클 I/O 구성
사이클 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0
두 번째 낮음 낮음 낮음 낮음 CA111 CA10 CA9 CA8
세 번째 BA7 BA63 PA5 PA4 PA3 PA2 PA1 PA0
네 번째 BA15 BA14 BA13 BA12 BA11 BA10 BA9 BA8
제품 이미지
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND 플래시 메모리, 높은 신뢰성과 데이터 보존 기능을 갖춘 단일 프로그래밍 작업 지원 0 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND 플래시 메모리, 높은 신뢰성과 데이터 보존 기능을 갖춘 단일 프로그래밍 작업 지원 1 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND 플래시 메모리, 높은 신뢰성과 데이터 보존 기능을 갖춘 단일 프로그래밍 작업 지원 2 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND 플래시 메모리, 높은 신뢰성과 데이터 보존 기능을 갖춘 단일 프로그래밍 작업 지원 3
포장 및 배송
표준 수출 포장이 가능합니다. 고객은 요구 사항에 따라 상자, 나무 상자 및 나무 팔레트 중에서 선택할 수 있습니다.
자주 묻는 질문
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전체 평점

5.0
이 공급자에 대한 50개의 리뷰를 바탕으로

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모든 등급의 분포는 다음과 같습니다.
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4 별
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3 별
0%
2 별
0%
1 별
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모든 리뷰

J
Jacques
France Oct 8.2025
도움 이 될 것 입니다 (1)
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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스피도,

스피 플래시도 없습니다.

연락처 세부 사항
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담당자: Mr. Sun

전화 번호: +8618824255380

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