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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory supporta un'operazione di programmazione singola con elevata affidabilità e capacità di conservazione dei dati

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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory supporta un'operazione di programmazione singola con elevata affidabilità e capacità di conservazione dei dati

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability

Grande immagine :  MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory supporta un'operazione di programmazione singola con elevata affidabilità e capacità di conservazione dei dati

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: micron
Certificazione: rohs
Numero di modello: MT29F1G08ABAEAWP-IT: E
Documento: DB4E5E94D8E9A8F249785434F20...FD.pdf
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: consult with
Imballaggi particolari: T/R
Tempi di consegna: 5-8 giorni
Termini di pagamento: T/T, Unione Occidentale
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto Ora chiacchieri

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory supporta un'operazione di programmazione singola con elevata affidabilità e capacità di conservazione dei dati

descrizione
Temperatura operativa: -40℃~+85℃ Tensione operativa: 2.7V~3.6V
Tipo di interfaccia: Parallelo Capacità di archiviazione: 1Gbit
Frequenza di clock (fc): - Tempo di scrittura della pagina (Tpp): 200 us
Evidenziare:

Memoria Flash NAND da 1 Gb

,

Memoria Flash NAND ad alta affidabilità

,

Operazione di programmazione singola della memoria Flash NAND

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Memoria flash NAND da 1 GB
Memoria flash NAND da 1 GB ad alta affidabilità che supporta un'operazione di programmazione singola con eccellente capacità di conservazione dei dati.
Visualizzazione del prodotto
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 8Gb NAND Flash Memory supporta un'operazione di programmazione singola con elevata affidabilità e capacità di conservazione dei dati.MT2202M4M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2, MT29F1G08ABBEAHC, MT29F1G16ABBEAHC.
Caratteristiche chiave
  • Open NAND Flash Interface (ONFI) compatibile con la versione 1.0
  • Tecnologia delle celle a livello unico (SLC)
  • Set di comandi avanzati, inclusi il modo cache della pagina del programma e il modo cache della pagina di lettura
  • Modalità programmabile una tantum (OTP)
  • Comandi a due piani e operazioni interne di trasferimento dei dati
  • Qualità e affidabilità: conservazione dei dati conforme alle norme JESD47
  • Durabilità: 100.000 cicli di programmazione/cancellazione
Organizzazione della memoria
  • Dimensione della pagina x8: 2112 byte (2048 + 64 byte)
  • Dimensione della pagina x16: 1056 parole (1024 + 32 parole)
  • Dimensione del blocco: 64 pagine (128K + 4K byte)
  • Dimensione del piano: 2 piani x 512 blocchi per piano
  • Dimensione del dispositivo: 1 GB: 1024 blocchi
Specifiche di prestazione
  • Performance di I/O asincrona: tRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
  • Performance dell'array: pagina di lettura: 25μs, pagina del programma: 200μs (TYP), blocco di cancellazione: 700μs (TYP)
Condizioni di esercizio
  • Intervallo di tensione di funzionamento: VCC: 2,7-3,6V o 1,7-1,95V
  • Temperatura di funzionamento: commerciale (CT): -0oC a +70oC, industriale (IT): -40oC a +85oC
  • Pacchetto: TSOP tipo 1, CPL2 a 48 pin
Configurazione I/O del ciclo
Ciclo I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0
Secondo Basso Basso Basso Basso CA111 CA10 CA9 CA8
Terzo BA7 BA63 PA5 PA4 PA3 PA2 PA1 PA0
Quarto BA15 BA14 BA13 BA12 BA11 BA10 BA9 BA8
Immagini del prodotto
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory supporta un'operazione di programmazione singola con elevata affidabilità e capacità di conservazione dei dati 0 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory supporta un'operazione di programmazione singola con elevata affidabilità e capacità di conservazione dei dati 1 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory supporta un'operazione di programmazione singola con elevata affidabilità e capacità di conservazione dei dati 2 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory supporta un'operazione di programmazione singola con elevata affidabilità e capacità di conservazione dei dati 3
Imballaggio e spedizione
I clienti possono scegliere tra cartoni, casse di legno e pallet di legno in base alle loro esigenze.
Domande frequenti
Come si ottiene il prezzo?
In genere forniamo un preventivo entro 24 ore dal ricevimento della richiesta (esclusi fine settimana e festivi).
Qual e' il vostro tempo di consegna?
I piccoli lotti sono in genere spediti entro 7-15 giorni, mentre gli ordini di grandi lotti possono richiedere circa 30 giorni a seconda della quantità dell'ordine e della stagione.
Quali sono i termini di pagamento?
Prezzi di fabbrica con deposito del 30% e pagamento del saldo del 70% via T/T prima della spedizione.
Quali sono le opzioni di spedizione?
I metodi di spedizione disponibili includono il trasporto marittimo, il trasporto aereo e la consegna espressa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

Valutazione complessiva

5.0
Basato su 50 recensioni per questo fornitore

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Di seguito è riportata la distribuzione di tutte le valutazioni
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2 stelle
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1 stelle
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Tutte le recensioni

J
Jacques
France Oct 8.2025
È utile. (1)
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
Prodotto Tag:

Flash NOR SPI,

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Mr. Sun

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