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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory admite una operación de programación única con alta confiabilidad y capacidad de retención de datos

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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory admite una operación de programación única con alta confiabilidad y capacidad de retención de datos

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability

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Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: micron
Certificación: rohs
Número de modelo: MT29F1G08ABAEAWP-IT: E
Documento: DB4E5E94D8E9A8F249785434F20...FD.pdf
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: consult with
Detalles de empaquetado: T/R
Tiempo de entrega: 5-8 días
Condiciones de pago: T/T, Unión Occidental
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto Ahora Charle

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory admite una operación de programación única con alta confiabilidad y capacidad de retención de datos

descripción
Temperatura de funcionamiento: -40℃~+85℃ Voltaje de funcionamiento: 2.7V~3.6V
Tipo de interfaz: Paralelo Capacidad de almacenamiento: 1Gbit
Frecuencia de reloj (fc): - Tiempo de escritura de página (Tpp): 200 us
Resaltar:

Memoria Flash NAND de 1 Gb

,

Alta fiabilidad de la memoria Flash NAND

,

Operación de programación única de Flash NAND

Memoria Flash NAND de 1 Gb MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Memoria Flash NAND de 1 Gb de alta fiabilidad que admite operación de programación única con excelente capacidad de retención de datos.
Descripción general del producto
La memoria Flash NAND de 8 Gb MT29F1G08ABAEAWP-IT:E admite operación de programación única con alta fiabilidad y capacidad de retención de datos. Los modelos compatibles incluyen: MT29F1G08ABAEAH4, MT29F1G08ABBEAH4, MT29F1G16ABBEAH4, MT29F1G08ABBEAHC, MT29F1G16ABBEAHC.
Características principales
  • Compatible con la interfaz Open NAND Flash (ONFI) 1.0
  • Tecnología de celda de nivel único (SLC)
  • Conjunto de comandos avanzado que incluye modo de caché de página de programa y modo de caché de página de lectura
  • Modo programable de una sola vez (OTP)
  • Comandos de dos planos y operaciones de movimiento de datos internas
  • Calidad y fiabilidad: Retención de datos conforme a las normas JESD47
  • Resistencia: 100.000 ciclos de PROGRAMACIÓN/BORRADO
Organización de la memoria
  • Tamaño de página x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
  • Tamaño de página x16: 1056 palabras (1024 + 32 palabras)
  • Tamaño de bloque: 64 páginas (128K + 4K bytes)
  • Tamaño de plano: 2 planos x 512 bloques por plano
  • Tamaño del dispositivo: 1 Gb: 1024 bloques
Especificaciones de rendimiento
  • Rendimiento de E/S asíncrono: tRC/tWC: 20 ns (3,3 V), 25 ns (1,8 V)
  • Rendimiento de la matriz: Página de lectura: 25 µs, Página de programa: 200 µs (TÍPICO), Bloque de borrado: 700 µs (TÍPICO)
Condiciones de funcionamiento
  • Rango de voltaje de funcionamiento: VCC: 2,7-3,6 V o 1,7-1,95 V
  • Temperatura de funcionamiento: Comercial (CT): -0 °C a +70 °C, Industrial (IT): -40 °C a +85 °C
  • Paquete: TSOP Tipo 1 de 48 pines, CPL2
Configuración de E/S de ciclo
Ciclo E/S7 E/S6 E/S5 E/S4 E/S3 E/S2 E/S1 E/S0
Segundo BAJO BAJO BAJO BAJO CA111 CA10 CA9 CA8
Tercero BA7 BA63 PA5 PA4 PA3 PA2 PA1 PA0
Cuarto BA15 BA14 BA13 BA12 BA11 BA10 BA9 BA8
Imágenes del producto
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory admite una operación de programación única con alta confiabilidad y capacidad de retención de datos 0 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory admite una operación de programación única con alta confiabilidad y capacidad de retención de datos 1 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory admite una operación de programación única con alta confiabilidad y capacidad de retención de datos 2 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory admite una operación de programación única con alta confiabilidad y capacidad de retención de datos 3
Embalaje y envío
Embalaje estándar de exportación disponible. Los clientes pueden elegir entre cartones, cajas de madera y paletas de madera según sus requisitos.
Preguntas frecuentes
¿Cómo obtener el precio?
Normalmente proporcionamos cotizaciones dentro de las 24 horas posteriores a la recepción de su consulta (excluyendo fines de semana y días festivos). Para solicitudes de precios urgentes, contáctenos directamente.
¿Cuál es su tiempo de entrega?
Los lotes pequeños suelen enviarse en un plazo de 7 a 15 días, mientras que los pedidos de lotes grandes pueden requerir aproximadamente 30 días, dependiendo de la cantidad del pedido y la temporada.
¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Precios de fábrica con un depósito del 30% y un pago del saldo del 70% mediante T/T antes del envío.
¿Cuáles son las opciones de envío?
Los métodos de envío disponibles incluyen transporte marítimo, transporte aéreo y entrega urgente (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Confirme su método preferido antes de realizar el pedido.

Calificación general

5.0
Basado en 50 reseñas para este proveedor

Imagen de calificación

La siguiente es la distribución de todas las calificaciones
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Todas las reseñas

J
Jacques
France Oct 8.2025
Es muy útil. (1)
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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No hay flash.,

ni espía,

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Teléfono: +8618824255380

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