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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Mémoire Flash NAND 1Gb Prend en Charge l'Opération de Programmation Unique avec Haute Fiabilité et Capacité de Rétention des Données

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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Mémoire Flash NAND 1Gb Prend en Charge l'Opération de Programmation Unique avec Haute Fiabilité et Capacité de Rétention des Données

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability

Image Grand :  MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Mémoire Flash NAND 1Gb Prend en Charge l'Opération de Programmation Unique avec Haute Fiabilité et Capacité de Rétention des Données

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: micron
Certification: rohs
Numéro de modèle: MT29F1G08ABAEAWP-IT : E
Documents: DB4E5E94D8E9A8F249785434F20...FD.pdf
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: consult with
Détails d'emballage: T/R
Délai de livraison: 5-8 jours
Conditions de paiement: T/T, Union occidentale
Capacité d'approvisionnement: 100000
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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Mémoire Flash NAND 1Gb Prend en Charge l'Opération de Programmation Unique avec Haute Fiabilité et Capacité de Rétention des Données

description de
Température de fonctionnement: -40 ℃ ~ + 85 ℃ Tension de fonctionnement: 2.7V~3.6V
Type d'interface: Parallèle Capacité de stockage: 1Gbit
Fréquence du signal d'horloge (fc): - Temps d'écriture de la page (Tpp): 200 us
Mettre en évidence:

Mémoire Flash NAND 1 Go

,

Haute fiabilité de la mémoire Flash NAND

,

Opération de programmation unique de la mémoire Flash NAND

Mémoire Flash NAND 1Gb MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Mémoire Flash NAND 1Gb haute fiabilité prenant en charge l'opération de programmation unique avec une excellente capacité de rétention de données.
Présentation du produit
La mémoire Flash NAND 8Gb MT29F1G08ABAEAWP-IT:E prend en charge l'opération de programmation unique avec une haute fiabilité et une capacité de rétention de données. Les modèles compatibles incluent : MT29F1G08ABAEAH4, MT29F1G08ABBEAH4, MT29F1G16ABBEAH4, MT29F1G08ABBEAHC, MT29F1G16ABBEAHC.
Caractéristiques principales
  • Conforme à l'interface Open NAND Flash (ONFI) 1.0
  • Technologie à cellules à niveau unique (SLC)
  • Ensemble de commandes avancé incluant le mode cache de programmation de page et le mode cache de lecture de page
  • Mode programmable une seule fois (OTP)
  • Commandes à deux plans et opérations de déplacement de données internes
  • Qualité et fiabilité : Rétention des données conforme aux normes JESD47
  • Endurance : 100 000 cycles PROGRAMMATION/EFFACEMENT
Organisation de la mémoire
  • Taille de page x8 : 2112 octets (2048 + 64 octets)
  • Taille de page x16 : 1056 mots (1024 + 32 mots)
  • Taille de bloc : 64 pages (128 Ko + 4 Ko)
  • Taille de plan : 2 plans x 512 blocs par plan
  • Taille du dispositif : 1Gb : 1024 blocs
Spécifications de performance
  • Performance I/O asynchrone : tRC/tWC : 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
  • Performance du réseau : Lecture de page : 25µs, Programmation de page : 200µs (TYP), Effacement de bloc : 700µs (TYP)
Conditions de fonctionnement
  • Plage de tension de fonctionnement : VCC : 2,7-3,6V ou 1,7-1,95V
  • Température de fonctionnement : Commercial (CT) : -0°C à +70°C, Industriel (IT) : -40°C à +85°C
  • Boîtier : TSOP Type 1 à 48 broches, CPL2
Configuration du cycle I/O
Cycle I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0
Deuxième BAS BAS BAS BAS CA111 CA10 CA9 CA8
Troisième BA7 BA63 PA5 PA4 PA3 PA2 PA1 PA0
Quatrième BA15 BA14 BA13 BA12 BA11 BA10 BA9 BA8
Images du produit
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Mémoire Flash NAND 1Gb Prend en Charge l'Opération de Programmation Unique avec Haute Fiabilité et Capacité de Rétention des Données 0 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Mémoire Flash NAND 1Gb Prend en Charge l'Opération de Programmation Unique avec Haute Fiabilité et Capacité de Rétention des Données 1 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Mémoire Flash NAND 1Gb Prend en Charge l'Opération de Programmation Unique avec Haute Fiabilité et Capacité de Rétention des Données 2 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Mémoire Flash NAND 1Gb Prend en Charge l'Opération de Programmation Unique avec Haute Fiabilité et Capacité de Rétention des Données 3
Emballage et expédition
Emballage d'exportation standard disponible. Les clients peuvent choisir parmi des cartons, des caisses en bois et des palettes en bois selon leurs besoins.
Questions fréquemment posées
Comment obtenir le prix ?
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Quel est votre délai de livraison ?
Les petites séries sont généralement expédiées dans les 7 à 15 jours, tandis que les commandes en grande série peuvent nécessiter environ 30 jours en fonction de la quantité commandée et de la saison.
Quelles sont vos conditions de paiement ?
Prix usine avec un acompte de 30 % et un solde de 70 % par T/T avant expédition.
Quelles sont les options d'expédition ?
Les méthodes d'expédition disponibles comprennent le fret maritime, le fret aérien et la livraison express (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Veuillez confirmer votre méthode préférée avant de commander.

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J
Jacques
France Oct 8.2025
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
Coordonnées
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Personne à contacter: Mr. Sun

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