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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Memória Flash NAND de 1Gb Suporta Operação de Programação Única Com Alta Confiabilidade e Capacidade de Retenção de Dados

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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Memória Flash NAND de 1Gb Suporta Operação de Programação Única Com Alta Confiabilidade e Capacidade de Retenção de Dados

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 1Gb NAND Flash Memory Supports Single-programming Operation With High Reliability And Data Retention Capability

Imagem Grande :  MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Memória Flash NAND de 1Gb Suporta Operação de Programação Única Com Alta Confiabilidade e Capacidade de Retenção de Dados

Detalhes do produto:
Lugar de origem: NC
Marca: micron
Certificação: rohs
Número do modelo: MT29F1G08ABAEAWP-IT: E
Documento: DB4E5E94D8E9A8F249785434F20...FD.pdf
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: consult with
Detalhes da embalagem: T/R
Tempo de entrega: 5-8 dias
Termos de pagamento: T/T, União Ocidental
Habilidade da fonte: 100.000
Contato Converse agora

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Memória Flash NAND de 1Gb Suporta Operação de Programação Única Com Alta Confiabilidade e Capacidade de Retenção de Dados

descrição
Temperatura operacional: -40℃~+85℃ Tensão operacional: 2.7V~3.6V
Tipo de interface: Paralelo Capacidade de armazenamento: 1Gbit
Frequência de pulso de disparo (fc): - Tempo de gravação da página (Tpp): 200 us
Destacar:

Memória flash NAND de 1 GB

,

Memória flash NAND alta confiabilidade

,

Operação de programação única NAND Flash

Memória Flash NAND de 1Gb MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Memória Flash NAND de 1Gb de alta confiabilidade, suportando operação de programação única com excelente capacidade de retenção de dados.
Visão Geral do Produto
A memória Flash NAND de 8Gb MT29F1G08ABAEAWP-IT:E suporta operação de programação única com alta confiabilidade e capacidade de retenção de dados. Modelos compatíveis incluem: MT29F1G08ABAEAH4, MT29F1G08ABBEAH4, MT29F1G16ABBEAH4, MT29F1G08ABBEAHC, MT29F1G16ABBEAHC.
Principais Características
  • Compatível com a Interface Open NAND Flash (ONFI) 1.0
  • Tecnologia de célula de nível único (SLC)
  • Conjunto de comandos avançado, incluindo modo de cache de página de programa e modo de cache de página de leitura
  • Modo de programação única (OTP)
  • Comandos de dois planos e operações de movimentação interna de dados
  • Qualidade e confiabilidade: Retenção de dados em conformidade com os padrões JESD47
  • Resistência: 100.000 ciclos de PROGRAMAÇÃO/APAGAMENTO
Organização da Memória
  • Tamanho da página x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
  • Tamanho da página x16: 1056 palavras (1024 + 32 palavras)
  • Tamanho do bloco: 64 páginas (128K + 4K bytes)
  • Tamanho do plano: 2 planos x 512 blocos por plano
  • Tamanho do dispositivo: 1Gb: 1024 blocos
Especificações de Desempenho
  • Desempenho de E/S assíncrono: tRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
  • Desempenho da matriz: Leitura de página: 25µs, Programação de página: 200µs (TÍPICO), Apagamento de bloco: 700µs (TÍPICO)
Condições de Operação
  • Faixa de Tensão de Operação: VCC: 2,7-3,6V ou 1,7-1,95V
  • Temperatura de Operação: Comercial (CT): -0°C a +70°C, Industrial (IT): -40°C a +85°C
  • Pacote: TSOP Tipo 1 de 48 pinos, CPL2
Configuração de E/S do Ciclo
Ciclo I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0
Segundo BAIXO BAIXO BAIXO BAIXO CA111 CA10 CA9 CA8
Terceiro BA7 BA63 PA5 PA4 PA3 PA2 PA1 PA0
Quarto BA15 BA14 BA13 BA12 BA11 BA10 BA9 BA8
Imagens do Produto
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Memória Flash NAND de 1Gb Suporta Operação de Programação Única Com Alta Confiabilidade e Capacidade de Retenção de Dados 0 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Memória Flash NAND de 1Gb Suporta Operação de Programação Única Com Alta Confiabilidade e Capacidade de Retenção de Dados 1 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Memória Flash NAND de 1Gb Suporta Operação de Programação Única Com Alta Confiabilidade e Capacidade de Retenção de Dados 2 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Memória Flash NAND de 1Gb Suporta Operação de Programação Única Com Alta Confiabilidade e Capacidade de Retenção de Dados 3
Embalagem e Envio
Embalagem de exportação padrão disponível. Os clientes podem escolher entre caixas de papelão, caixas de madeira e paletes de madeira de acordo com suas necessidades.
Perguntas Frequentes
Como obter o preço?
Geralmente fornecemos cotações dentro de 24 horas após o recebimento de sua consulta (excluindo fins de semana e feriados). Para solicitações urgentes de preços, entre em contato conosco diretamente.
Qual é o seu prazo de entrega?
Pequenos lotes geralmente são enviados em 7-15 dias, enquanto pedidos de grandes lotes podem exigir aproximadamente 30 dias, dependendo da quantidade do pedido e da estação.
Quais são os seus termos de pagamento?
Preços de fábrica com depósito de 30% e pagamento de saldo de 70% via T/T antes do envio.
Quais são as opções de envio?
Os métodos de envio disponíveis incluem frete marítimo, frete aéreo e entrega expressa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Por favor, confirme seu método preferido antes de fazer o pedido.

Avaliação Geral

5.0
Com base em 50 avaliações para este fornecedor

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Todos os comentários

J
Jacques
France Oct 8.2025
Ajuda (1)
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
etiqueta:

SPI NÃO Flash,

nem esp,

nem flash de espelho

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