Побеседуйте теперь |
Главная страница ПродукцияМикросхема памяти ДРАХМЫ

64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA

Все продукты

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

(18)

Блок микроконтроллера MCU

(13)

Система SOC на чипе

(10)

IC MPU

(9)

CPLD PLD

(9)

Инфракрасный тепловой детектор

(1)

Обломок DSP IC

(12)

Микросхема памяти ДРАХМЫ

(8)

обломок eeprom

(10)

PSRAM Chip

(5)

Чип SRAM

(10)

Никакой вспышки

(10)

Микросхема EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(8)

Радиочастотные интегральные схемы

(10)

Литий-ионная батарея

(10)

Программирование ПЛК

(13)

Модуль GPS

(8)

Радиочастотный модуль

(8)

Модуль питания

(11)

Полупроводниковое реле

(10)

Антенна связи

(3)
Оставьте нам сообщение

64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA

64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA
64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA

Большие изображения :  64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Корея
Фирменное наименование: SAMSUNG
Сертификация: ROHS
Номер модели: K3KL9L90CM-MGCT
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1
Цена: consult
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5 ～ 8 дней
Условия оплаты: T/T, Western Union
Поставка способности: 10000
контакт Побеседуйте теперь

64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA

описание
Тип: Флеш-память NAND Интерфейс стандарт: UFS 2,1
Емкость: 64 ГБ Рабочее напряжение: 2,5 В - 3,6 В.
Скорость передачи данных: До 530 МБ/с (последовательное чтение), до 170 МБ/с (последовательная запись) Форма упаковки: BGA
Диапазон рабочей температуры: -25°C к +85°C PIN -вывод ввода/вывода: 400mil bga
Выделить:

64GB UFS 2.1 NAND flash memory

,

BGA NAND flash memory chip

,

UFS 2.1 memory with warranty

EMBEDDED NAND FLASH MEMORY CHIP K3KL9L90CM-MGCT IS MAINLY APPLIED IN HIGH-END MOBILE DEVICES
K3KL9L90CM-MGCT

The K3KL9L90CM-MGCT is an embedded NAND Flash memory chip from Samsung Electronics' UFS (Universal Flash Storage) series. Designed for high-end mobile devices including smartphones and tablets, this chip delivers fast data transmission and storage capabilities. Compliant with UFS 2.1 standard, it offers superior read/write speeds, reduced power consumption, and compact dimensions to meet the demanding storage requirements of modern smart devices.

Technical Specifications
Parameter Value
Type NAND flash memory
Interface standard UFS 2.1
Capacity 64GB
Operating voltage 2.5V - 3.6V
Data transfer rate Up to 530 MB/s (sequential read), up to 170 MB/s (sequential write)
Packaging form BGA
Operating temperature range -25°C to +85°C
I/O pin 400mil BGA
Key Features
  • Superior performance compared to traditional eMMC solutions
  • High-speed data transmission with UFS 2.1 interface supporting full-duplex operation for simultaneous read/write operations
  • Reduced power consumption extends device battery life
  • Compact form factor ideal for space-constrained mobile devices
  • Enhanced stability and reliability through rigorous testing
  • Hardware-level encryption for data security
Applications
  • Smartphones and tablets: Primary internal storage solution offering high-capacity, high-performance storage
  • Automotive systems: Ideal for infotainment systems requiring reliable, high-performance storage
  • Industrial control equipment: Stores critical programs and data in automation systems
  • IoT devices: Supports local data storage requirements for real-time responsiveness
  • Wearable devices: Compact size and low power consumption make it perfect for wearable storage solutions
Product Images
64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 0 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 1 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 2 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 3
Frequently Asked Questions
1. How to obtain the price?

We typically quote within 24 hours of receiving your inquiry (excluding weekends/holidays). For urgent requests, please contact us directly.

2. What is your delivery time?

Small batches: 7-15 days. Large batches: approximately 30 days. Timing depends on order quantity and season.

3. What are your payment terms?

Factory price, 30% deposit, 70% balance via T/T before shipment.

4. What is the mode of transportation?

Available options: sea, air, or express (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Please confirm before ordering.

5. How do you help establish long-term relationships?
  • We maintain excellent quality and competitive pricing
  • We treat every customer with sincerity and respect

тег:

Драм чип,

чип-драм,

Микросхемы памяти драхмы

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: 18824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: FBGA-200

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: BGA, FBGA

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: ФБГА-96

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Каталог товаров: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Оборудование общего назначения: ФБГА-96

Способ установки: Установка поверхностного монтажа

Рабочая температура: 95°C (макс.)
Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: ФБГА-96

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
около

Блок микроконтроллера MCU

UART SPI MCU Микроконтроллер Arm Cortex-A35 Микропроцессорный чип MA35D16F887C

Atmel 8-разрядный микроконтроллер (MCU) с памятью Flash 16-32 Кбайт, программируемой ATMEGA168PA-AU

128kB 8-битный микроконтроллер MCU AVR Core Microcomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

75520LE 11800ALM CPLD Программируемая логическая матрица XC7A75T-2FGG484I

9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip XC6SLX9-2CSG324I

2 X 32 КБ ПЛИС (CPLD) микросхемы программируемой логики 85000LE XC7Z020-2CLG484I

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив) поставщик. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.