Συνομιλία τώρα |
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤσιπ μνήμης DRAM

64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA

Όλα τα Προϊόντα

Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA

(18)

Μονάδα μικροελεγκτών MCU

(13)

Σύστημα SOC σε τσιπ

(10)

MPU IC

(9)

ΚΑΠΚΑΠΚΑ

(9)

Ανιχνευτής θερμότητας υπέρυθρου

(1)

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος DSP

(12)

Τσιπ μνήμης DRAM

(8)

eeprom τσιπ

(10)

Τσιπ PSRAM

(5)

Τσιπ SRAM

(10)

Χωρίς φλας

(10)

Κύκλωμα διακόπτη EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(8)

Ενοποιημένα κυκλώματα ραδιοκυμάτων

(10)

Η μπαταρία ιόντων λιθίου

(10)

Προγραμματισμός PLC

(13)

Μονάδα GPS

(8)

Μονάδα ραδιοσυχνοτήτων

(8)

Μονάδα ισχύος

(11)

Στερεάς κατάστασης ηλεκτρονόμος

(10)

Κεραία επικοινωνίας

(3)
Είμαι Online Chat Now

64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA

64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA
64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA

Μεγάλες Εικόνας :  64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Κορέα
Μάρκα: SAMSUNG
Πιστοποίηση: ROHS
Αριθμό μοντέλου: K3KL9L90CM-MGCT
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: consult
Συσκευασία λεπτομέρειες: Τ/Ρ
Χρόνος παράδοσης: 5 ～ 8day
Όροι πληρωμής: T/T, Western Union
Δυνατότητα προσφοράς: 10000
Επικοινωνία Συνομιλία τώρα

64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA

περιγραφή
Τύπος: Μνήμη NAND Flash Πρότυπο διασύνδεσης: UFS 2,1
Ικανότητα: 64GB Τάση λειτουργίας: 2.5V - 3.6V
Ρυθμός μεταφοράς δεδομένων: Έως 530 MB/s (διαδοχική ανάγνωση), μέχρι 170 MB/s (διαδοχική εγγραφή) Φόρμα συσκευασίας: BGA
Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας: -25°C σε +85°C I/O PIN: 400mil BGA
Επισημαίνω:

64GB UFS 2.1 NAND flash memory

,

BGA NAND flash memory chip

,

UFS 2.1 memory with warranty

EMBEDDED NAND FLASH MEMORY CHIP K3KL9L90CM-MGCT IS MAINLY APPLIED IN HIGH-END MOBILE DEVICES
K3KL9L90CM-MGCT

The K3KL9L90CM-MGCT is an embedded NAND Flash memory chip from Samsung Electronics' UFS (Universal Flash Storage) series. Designed for high-end mobile devices including smartphones and tablets, this chip delivers fast data transmission and storage capabilities. Compliant with UFS 2.1 standard, it offers superior read/write speeds, reduced power consumption, and compact dimensions to meet the demanding storage requirements of modern smart devices.

Technical Specifications
Parameter Value
Type NAND flash memory
Interface standard UFS 2.1
Capacity 64GB
Operating voltage 2.5V - 3.6V
Data transfer rate Up to 530 MB/s (sequential read), up to 170 MB/s (sequential write)
Packaging form BGA
Operating temperature range -25°C to +85°C
I/O pin 400mil BGA
Key Features
  • Superior performance compared to traditional eMMC solutions
  • High-speed data transmission with UFS 2.1 interface supporting full-duplex operation for simultaneous read/write operations
  • Reduced power consumption extends device battery life
  • Compact form factor ideal for space-constrained mobile devices
  • Enhanced stability and reliability through rigorous testing
  • Hardware-level encryption for data security
Applications
  • Smartphones and tablets: Primary internal storage solution offering high-capacity, high-performance storage
  • Automotive systems: Ideal for infotainment systems requiring reliable, high-performance storage
  • Industrial control equipment: Stores critical programs and data in automation systems
  • IoT devices: Supports local data storage requirements for real-time responsiveness
  • Wearable devices: Compact size and low power consumption make it perfect for wearable storage solutions
Product Images
64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 0 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 1 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 2 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 3
Frequently Asked Questions
1. How to obtain the price?

We typically quote within 24 hours of receiving your inquiry (excluding weekends/holidays). For urgent requests, please contact us directly.

2. What is your delivery time?

Small batches: 7-15 days. Large batches: approximately 30 days. Timing depends on order quantity and season.

3. What are your payment terms?

Factory price, 30% deposit, 70% balance via T/T before shipment.

4. What is the mode of transportation?

Available options: sea, air, or express (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Please confirm before ordering.

5. How do you help establish long-term relationships?
  • We maintain excellent quality and competitive pricing
  • We treat every customer with sincerity and respect

ετικέτα:

τσιπ ντραμ,

τσιπ ντράμ,

Τσιπ μνήμης DRAM

Στοιχεία επικοινωνίας
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Sun

Τηλ.:: 18824255380

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα
FBGA-200 DRAM Chip Μνήμης 8Gb X16 X2 Channel LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

FBGA-200 DRAM Chip Μνήμης 8Gb X16 X2 Channel LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: FBGA-200

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
2Gb F Die DRAM Μνήμης Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

2Gb F Die DRAM Μνήμης Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: BGA, FBGA

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
DDR3L X16 4Gb DRAM Chip Industrial F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4Gb DRAM Chip Industrial F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: FBGA-96

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
Τσιπ μνήμης DRAM 512MB 16bit 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Τσιπ μνήμης DRAM 512MB 16bit 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Καταλόγος εμπορευμάτων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Συσκευές γενικής χρήσης: FBGA-96

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης

Θερμοκρασία εργασίας: 95℃ (μέγιστο)
Τσιπ μνήμης DRAM DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

Τσιπ μνήμης DRAM DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: FBGA-96

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
περίπου

Μονάδα μικροελεγκτών MCU

UART SPI MCU Μικροελεγκτής Arm Cortex-A35 Μικροεπεξεργαστής Chip MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU Μονάδα Μικροελεγκτή 16 32KBytes Προγραμματιζόμενο Flash ATMEGA168PA-AU

128kB 8bit MCU Μονάδα Μικροελεγκτή Πυρήνας AVR Chip Μικροϋπολογιστή ATMEGA128A-AU

Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA

75520LE 11800ALM CPLD Συσκευή Λογικής Προγραμματιζόμενης Πεδίου Πίνακας Λογικής XC7A75T-2FGG484I

9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip XC6SLX9-2CSG324I

2 X 32 KB Cpld Τσιπάκια Προγραμματιζόμενα Τσιπάκια Λογικής 85000LE XC7Z020-2CLG484I

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | Κίνα καλός Ποιότητα Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA προμηθευτής. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.