Побеседуйте теперь |
Главная страница ПродукцияЧип SRAM

Микросхема памяти DDR3 4 Гбит SDRAM FBGA-96 с обновлением 8K IMD256M16R30HG8GNF-107

Все продукты

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

(19)

Блок микроконтроллера MCU

(17)

Система SOC на чипе

(11)

IC MPU

(9)

CPLD PLD

(9)

Инфракрасный тепловой детектор

(1)

Обломок DSP IC

(12)

Микросхема памяти ДРАХМЫ

(12)

обломок eeprom

(10)

PSRAM Chip

(5)

Чип SRAM

(15)

Никакой вспышки

(12)

Микросхема EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(8)

Радиочастотные интегральные схемы

(10)

Литий-ионная батарея

(21)

Программирование ПЛК

(14)

Модуль GPS

(9)

Радиочастотный модуль

(9)

Модуль питания

(11)

Полупроводниковое реле

(11)

Антенна связи

(3)
Оставьте нам сообщение

Микросхема памяти DDR3 4 Гбит SDRAM FBGA-96 с обновлением 8K IMD256M16R30HG8GNF-107

DDR3 4Gb SDRAM Memory Chip FBGA-96 8K Refresh IMD256M16R30HG8GNF-107
DDR3 4Gb SDRAM Memory Chip FBGA-96 8K Refresh IMD256M16R30HG8GNF-107
DDR3 4Gb SDRAM Memory Chip FBGA-96 8K Refresh IMD256M16R30HG8GNF-107 DDR3 4Gb SDRAM Memory Chip FBGA-96 8K Refresh IMD256M16R30HG8GNF-107 DDR3 4Gb SDRAM Memory Chip FBGA-96 8K Refresh IMD256M16R30HG8GNF-107 DDR3 4Gb SDRAM Memory Chip FBGA-96 8K Refresh IMD256M16R30HG8GNF-107

Большие изображения :  Микросхема памяти DDR3 4 Гбит SDRAM FBGA-96 с обновлением 8K IMD256M16R30HG8GNF-107

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: CN
Фирменное наименование: ICMAX
Сертификация: RoHS
Номер модели: IMD256M16R30HG8GNF-107
Документ: A00CE75C756F81996B308C44A21...63.pdf
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 2
Цена: consult
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5 ～ 8 дней
Условия оплаты: T/T, Western Union
Поставка способности: 10000
контакт Побеседуйте теперь

Микросхема памяти DDR3 4 Гбит SDRAM FBGA-96 с обновлением 8K IMD256M16R30HG8GNF-107

описание
Упаковка продукта: FBGA-96 (8x14) Метод упаковки: Сплетенная лента
Грубый вес товара: 0,37 (г) Конфигурация: 128 мег x 4 x 8 банков
Освежите отсчет: 8к
Выделить:

Микросхема памяти DDR3 4 ГБ SDRAM

,

Модуль памяти SDRAM FBGA-96

,

Микросхема оперативной памяти DDR3 с обновлением 8K

Чип памяти DDR3 4Gb SDRAM Refresh IMD256M16R30HG8GNF-107
DDR3 SDRAM

(TBD) 1024M4

(TBD) 512M8

(IMD256M16R30HG8GNF-125/107) 256M16 32 МГ х 16 х 8 Банки

Особенности
  • VDD = VDDQ = +1,5V ±0,075V
  • 1.5В центрально-окончательный I/O push/pull
  • Дифференциальная двунаправленная данная строб
  • Архитектура 8n-битного префетча
  • Дифференциальные часовые входы (CK, CK#)
  • 8 внутренних банков
  • Номинальное и динамическое завершение на стенде (ODT) для сигналов данных, светодиода и маски
  • Программируемая задержка CAS (READ) (CL)
  • Опубликованный CAS - пристрастительный латентный период (AL)
  • Программируемая задержка CAS (WRITE) (CWL) на основе tCK
  • Фиксированная длина взрыва (BL) 8 и разрыв (BC) 4 (через набор реестров режима [MRS])
  • Избираемый BC4 или BL8 на ходу (OTF)
  • Режим самообновления
  • TC от 0°C до 85°C
    • 64 мс, 8,192 цикла обновления от 0°C до 85°C
    • 32 мс, 8,192 цикла обновления при 85°C до 95°C
  • Температура самообновления (SRT)
  • Уравнение записи
  • Многоцелевой регистр
  • Калибровка выходного драйвера
Варианты
  • Память ICMAX
  • Конфигурация
    • 1 гигг х 4
    • 512 мегаграмм x 8
    • 256 мегаграмм x 16
  • Код продукции
    • DDR3
  • Плотность
    • 4 гигабайта
  • Напряжение/обновление
    • 1.5V/8k обновление
  • Пакет FBGA (без Pb) - x4, x8
    • 78 шаров (10,5 мм х 12 мм)
    • 78 шаров (9 мм х 10,5 мм)
    • 78 шаров (8 мм х 10,5 мм)
    • 78 шаров (7,5 мм х 10,6 мм)
  • Пакет FBGA (без Pb) - x16
    • 96 шаров (10 мм х 14 мм)
    • 96 шаров (8 мм х 14 мм)
  • Время - время цикла
    • 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866)
    • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
    • 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
    • 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066)
Маркировка
  • ICMAX PN
  • 1,024M4
  • 512М8
  • 256М16
  • Группа восьми
  • RAF
  • RHF
  • RKB
  • РГФ
  • РЭФ
  • ВНФ
  • -107
  • -125
  • -15E
  • -187E
Параметр
Параметр 1 гиг * 4 512 Мг * 8 256 Мега * 16
Конфигурация 128 МГ х 4 х 8 банков 64 МГ х 8 х 8 банков 32 МГ х 16 х 8 банков
Количество обновлений 8K 8K 8K
Адресование строки 64K (A[15:0]) 64K (A[15:0]) 32K (A[14:0])
Банковское адресование 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0])
Адресование столбца 2K (A[11, 9:0]) 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0])
Размер страницы 1KB 1KB 2KB
Микросхема памяти DDR3 4 Гбит SDRAM FBGA-96 с обновлением 8K IMD256M16R30HG8GNF-107 0 Микросхема памяти DDR3 4 Гбит SDRAM FBGA-96 с обновлением 8K IMD256M16R30HG8GNF-107 1 Микросхема памяти DDR3 4 Гбит SDRAM FBGA-96 с обновлением 8K IMD256M16R30HG8GNF-107 2
Упаковка и перевозка

Стандартная экспортная упаковка доступна. Клиенты могут выбирать из картона, деревянных чехлов и деревянных поддонов в соответствии со своими требованиями.

Часто задаваемые вопросы

Как получить цену?

Обычно мы предоставляем предложения в течение 24 часов после получения вашего запроса (за исключением выходных и праздничных дней).

Сколько у вас сроков доставки?

Небольшие партии обычно отправляются в течение 7-15 дней, в то время как большие партии заказов могут потребовать примерно 30 дней в зависимости от количества заказа и сезона.

Какие у вас условия оплаты?

Фабричные цены с 30% депозита и 70% остаток оплаты через T / T перед отправкой.

Какие варианты доставки?

Доступные способы доставки включают морскую перевозку, авиаперевозку и экспресс-доставку (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

тег:

чип SRAM,

чип памяти SRAM,

встроенный SRAM

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: 18824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
256Kbit TSOP-28 SRAM Чип статическая память случайного доступа CY62256NLL-55ZXIT

256Kbit TSOP-28 SRAM Чип статическая память случайного доступа CY62256NLL-55ZXIT

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 256 кбит

Организация:: 32 к х 8
Статическая 8-мегабитная микросхема SRAM COMS с произвольным доступом CY7C1051DV33-10ZSXIT

Статическая 8-мегабитная микросхема SRAM COMS с произвольным доступом CY7C1051DV33-10ZSXIT

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 8 Mbit

Организация:: 512 к x 16
Микросхема SRAM 512k X 16 IS62WV51216BLL-55TLI CMOS, низкое напряжение

Микросхема SRAM 512k X 16 IS62WV51216BLL-55TLI CMOS, низкое напряжение

Каталог продукта: Память > Память статического случайного доступа (SRAM)

Универсальная упаковка: TSOP-44

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
1Мбит COMS Sram Memory Chip Статическая память случайного доступа CY7C1019DV33-10VXI

1Мбит COMS Sram Memory Chip Статическая память случайного доступа CY7C1019DV33-10VXI

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 1 Mbit

Организация:: 128 к × 8
18Mbit Статическая SRAM микросхема 6.5 нс COMS CY7C1381KV33-133AXI

18Mbit Статическая SRAM микросхема 6.5 нс COMS CY7C1381KV33-133AXI

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 18 Мбит

Организация:: 512 к х 36
около

Блок микроконтроллера MCU

UART SPI MCU Микроконтроллер Arm Cortex-A35 Микропроцессорный чип MA35D16F887C

Atmel 8-разрядный микроконтроллер (MCU) с памятью Flash 16-32 Кбайт, программируемой ATMEGA168PA-AU

128kB 8-битный микроконтроллер MCU AVR Core Microcomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

75520LE 11800ALM CPLD Программируемая логическая матрица XC7A75T-2FGG484I

9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip XC6SLX9-2CSG324I

2 X 32 КБ ПЛИС (CPLD) микросхемы программируемой логики 85000LE XC7Z020-2CLG484I

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив) поставщик. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.