DDR3 4Gb SDRAM Geheugenchip FBGA-96 8K Refresh IMD256M16R30HG8GNF-107

(TBD) 1024M4 128 Meg x 4 x 8 Banken

(TBD) 512M8 ¢ 64 Meg x 8 x 8 Banken

(IMD256M16R30HG8GNF-125/107) 256M16 32 Meg x 16 x 8 Banken

• VDD = VDDQ = +1,5V ±0,075V
• 1.5V midden-afgesloten push/pull I/O
• Differentiële tweerichtingsstroboscopie
• 8n-bit prefetch architectuur
• Differentiële klokinvoer (CK, CK#)
• 8 interne banken
• Nominale en dynamische beëindiging (ODT) voor gegevens-, strobe- en maskersignalen
• Programmeerbare CAS (READ) latentie (CL)
• Geplaatst CAS Verslavende latentie (AL)
• Programmeerbare CAS (WRITE) latentie (CWL) op basis van tCK
• Vaste barstlengte (BL) van 8 en barstkoppeling (BC) van 4 (via de modusregisterset [MRS])
• Selecteerbare BC4 of BL8 on-the-fly (OTF)
• Autovernieuwingsmodus
• TC van 0°C tot 85°C
  • 64 ms, 8,192 cycli bij 0°C tot 85°C
  • 32 ms, 8.192 cycli bij 85°C tot 95°C
• Temperatuur voor zelfopfrissen (SRT)
• Schrijf leveling
• Meerdoelig register
• Kalibratie van de uitvoerstuurder

• ICMAX-geheugen
• Configuratie
  • 1 Gig x 4
  • 512 Meg x 8
  • 256 Meg x 16
• Productcode
  • DDR3
• Dichtheid
  • 4 Gigabyte
• Spanning/vernieuwing
  • 1.5V/8k vernieuwing
• FBGA-pakket (Pb-vrij) - x4, x8
  • 78-bal (10,5 mm x 12 mm)
  • 78-bal (9 mm x 10,5 mm)
  • 78-bal (8 mm x 10,5 mm)
  • 78-bal (7,5 mm x 10,6 mm)
• FBGA-pakket (Pb-vrij) - x16
  • 96-bal (10 mm x 14 mm)
  • 96-bal (8 mm x 14 mm)
• Timing - cyclustijd
  • 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866)
  • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
  • 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
  • 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066)

• ICMAX PN
• 1,024M4
• 512M8
• 256M16
• G8
• RAF
• RHF
• RKB
• RGF
• REF
• GNB
• -107
• - 125
• -15E
• - 187E

Klanten kunnen volgens hun wensen kiezen uit kartonnen, houten dozen en houten pallets.