ชิปหน่วยความจำ DDR3 4Gb SDRAM FBGA-96 8K Refresh IMD256M16R30HG8GNF-107

(TBD) 1024M4 ∙ 128 เมกกิโลกรัม x 4 x 8 แบงค์

(TBD) 512M8 64 Meg x 8 x 8 ธนาคาร

(IMD256M16R30HG8GNF-125/107) 256M16 32 เมก x 16 x 8ธนาคาร

• VDD = VDDQ = +1.5V ±0.075V
• 1.5V ปลายกลาง push/pull I/O
• สตรอบข้อมูลแบบสองทิศ
• สถาปัตยกรรม prefetch 8n-bit
• อินทุตนาฬิกาความแตกต่าง (CK, CK#)
• 8 ธนาคารภายใน
• การสิ้นสุดการทํางาน (ODT) ในระดับนามinali และไดนามิคสําหรับสัญญาณข้อมูล, สตรอบ์ และหน้ากาก
• ระยะเวลาการอ่าน CAS (READ) (CL)
• ส่ง CAS ความอ่อนแอที่ทําให้ติด (AL)
• ระยะเวลาการใช้งาน CAS (WRITE) ที่สามารถเขียนโปรแกรมได้ (CWL) โดยใช้ tCK
• ความยาวการกระแทก (BL) จํานวน 8 และการกระแทก (BC) จํานวน 4 (ผ่านเซ็ตเรจิสเตอร์โหมด [MRS])
• เลือก BC4 หรือ BL8 บนเครื่องบิน (OTF)
• โหมดการอัพเดทเอง
• TC 0 °C ถึง 85 °C
  • 64ms, 8,192 รอบการอัพเดทที่ 0 °C ถึง 85 °C
  • 32ms, 8,192 จักรยานอัพเดทที่ 85 °C ถึง 95 °C
• อุณหภูมิการปรับปรุงตัวเอง (SRT)
• เขียนการปรับระดับ
• ลงทะเบียนหลายประการ
• การปรับระดับตัวขับออก

• ความจํา ICMAX
• การตั้งค่า
  • 1 กิ๊ก x 4
  • 512 เมกราม x 8
  • 256 เมกราม x 16
• รหัสสินค้า
  • DDR3
• ความหนาแน่น
  • 4 กิกะไบต์
• โวลเตชั่น / อัพฟรี
  • 1.5V/8k อัพเดท
• แพ็คเกจ FBGA (ไม่มี Pb) - x4, x8
  • 78 ลูก (10.5mm x 12mm)
  • 78 ลูก (9mm x 10.5mm)
  • 78 ลูก (8mm x 10.5mm)
  • 78 ลูก (7.5mm x 10.6mm)
• แพ็คเกจ FBGA (ไม่รวม Pb) - x16
  • ขนาด 96 ลูก (10mm x 14mm)
  • ขนาด 96 ลูก (8mm x 14mm)
• ระยะเวลา - ระยะเวลาของวงจร
  • 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866)
  • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
  • 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
  • 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066)

• ICMAX PN
• 1,024M4
• 512M8
• 256M16
• จี 8
• RAF
• RHF
• RKB
• RGF
• REF
• กรุงเทพ
• - 107
• -125
• -15E
• -187E

มีการบรรจุส่งออกมาตรฐาน ลูกค้าสามารถเลือกจากกล่องกล่อง, กล่องไม้, และพัลเล็ตไม้ตามความต้องการของพวกเขา