DDR3 4Gb SDRAM Chip pamięci FBGA-96 8K Refresh IMD256M16R30HG8GNF-107

(TBD) 1024M4 128 Meg x 4 x 8 Banki

(TBD) 512M8 ¢ 64 Meg x 8 x 8 Banki

(IMD256M16R30HG8GNF-125/107)256M16 32 Meg x 16 x 8 Banki

• VDD = VDDQ = +1,5V ±0,075V
• 1.5V centralnie kończące się wciśnięcie/wyciągnięcie I/O
• Stroboskop dwu-dyscyplinarny dla danych różnicowych
• Architektura 8n-bit prefetch
• Wprowadzanie różnicowego zegara (CK, CK#)
• 8 banków wewnętrznych
• Nominalne i dynamiczne zakończenie na bieżąco (ODT) dla sygnałów danych, strobowych i maski
• Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
• Ujawnione CAS Uzależniające opóźnienie (AL)
• Programuje się opóźnienie CAS (WRITE) (CWL) na podstawie tCK
• Stała długość wybuchu (BL) wynosząca 8 i wybuchowy kawałek (BC) wynoszący 4 (za pośrednictwem zestawu rejestrów trybu [MRS])
• Wybór BC4 lub BL8 na pokładzie (OTF)
• Tryb samoodświeżania
• TC od 0°C do 85°C
  • 64 ms, odświeżenie cyklu 8,192 w temperaturze od 0°C do 85°C
  • 32 ms, 8192 cykli odświeżania w temperaturze od 85°C do 95°C
• Temperatura samoodświeżania (SRT)
• Pisanie wyrównania
• Rejestr wielofunkcyjny
• Kalibracja sterownika wyjściowego

• Pamięć ICMAX
• Konfiguracja
  • 1 Gig x 4
  • 512 Meg x 8
  • 256 Meg x 16
• Kod produktu
  • DDR3
• Gęstość
  • 4 gigabajtów
• napięcie/odświeżenie
  • 1.5V/8k odświeżenie
• Pakiet FBGA (bez Pb) - x4, x8
  • 78-kulik (10,5 mm x 12 mm)
  • 78-kulik (9 mm x 10,5 mm)
  • 78-kulik (8 mm x 10,5 mm)
  • 78-kulik (7,5 mm x 10,6 mm)
• Pakiet FBGA (bez Pb) - x16
  • 96-kulik (10 mm x 14 mm)
  • 96-kulik (8 mm x 14 mm)
• Czas - czas cyklu
  • 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866)
  • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
  • 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
  • 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066)

• ICMAX PN
• 1,024M4
• 512M8
• 256M16
• G8
• RAF
• RHF
• RKB
• RGF
• REF
• GNP
• -107
• -125
• -15E
• -187E

Dostępne standardowe opakowania eksportowe. Klienci mogą wybierać z kartonów, drewnianych pudełek i drewnianych palet zgodnie z ich wymaganiami.