DDR3 4Gb SDRAM-Speicherchip FBGA-96 8K Erneuerung IMD256M16R30HG8GNF-107

(TBD) 1024m4 - 128 Meg x 4 x 8 Banken

(TBD) 512m8 - 64 Meg x 8 x 8 Banken

(IMD256M16R30HG8GNF-125/107) 256M16-32 MEG x 16 x 8Banken

• Vdd = vddq = +1,5 V ± 0,075 V
• 1,5-V-Zentrum-terminierte Push/Pull-E/O.
• Differentiale bidirektionale Datenstrobe
• 8n-Bit Prefetch Architecture
• Differentialuhreingänge (CK, CK#)
• 8 interne Banken
• Nominale und dynamische On-Die-Kegel-Termination (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale
• Programmierbare CAS (Read) Latenz (CL)
• Gepostetes CAS -Suchtlatenz (Al)
• Programmierbare CAS (Write) Latenz (CWL) basierend auf TCK
• Fixed Burst Länge (BL) von 8 und Burst Chop (BC) von 4 (über den Modusregister [MRS])
• Selektierbarer BC4 oder BL8 im Fliege (OTF)
• Selbstanfrischungsmodus
• Tc von 0 ° C bis 85 ° C
  • 64 ms, 8,192 Zyklus -Aktualisierung bei 0 ° C bis 85 ° C
  • 32 ms, 8,192 Zyklus -Aktualisierung bei 85 ° C bis 95 ° C
• Selbstfrischtemperatur (SRT)
• Schreiben Sie Leveling
• Mehrzweckregister
• Ausgangstreiberkalibrierung

• ICmax -Speicher
• Konfiguration
  • 1 Gig x 4
  • 512 Meg x 8
  • 256 Meg x 16
• Produktcode
  • DDR3
• Dichte
  • 4 Gigabyte
• Spannung/Aktualisierung
  • 1,5 V/8K Aktualisierung
• FBGA -Paket (Pb -frei) - x4, x8
  • 78 Ball (10,5 mm x 12 mm)
  • 78-Ball (9 mm x 10,5 mm)
  • 78 Ball (8 mm x 10,5 mm)
  • 78 Ball (7,5 mm x 10,6 mm)
• FBGA -Paket (Pb -frei) - x16
  • 10 mm x 14 mm (10 mm x 14 mm)
  • 96-Ball (8 mm x 14 mm)
• Timing - Zykluszeit
  • 1,07ns @ cl = 13 (DDR3-1866)
  • 1,25ns @ cl = 11 (DDR3-1600)
  • 1,5 ns @ cl = 9 (DDR3-1333)
  • 1,87ns @ cl = 7 (DDR3-1066)

• Icmax pn
• 1.024 m4
• 512m8
• 256m16
• G8
• Raf
• RHF
• RKB
• RGF
• Ref
• GNF
• -107
• -125
• -15e
• -187e

Standard -Exportverpackung verfügbar. Kunden können aus Kartons, Holzkoffern und Holzpaletten entsprechend ihren Anforderungen auswählen.