DDR3 4Gb SDRAM Memory Chip FBGA-96 8K Refresh IMD256M16R30HG8GNF-107

(TBD) 1024M4 ¢ 128 Meg x 4 x 8 Τράπεζες

(TBD) 512M8 64 Meg x 8 x 8 Τράπεζες

(IMD256M16R30HG8GNF-125/107) 256M16 32 Meg x 16 x 8Τα τραπεζάκια

• Δοκιμαστική ισχύς
• 1.5V με κεντρικό τερματισμό σπρώξιμο/τρίψιμο I/O
• Διαφορετικό δικατευθυντικό στροβίδιο δεδομένων
• Αρχιτεκτονική 8n-bit prefetch
• Διαφορετικές εισόδους ρολογιού (CK, CK#)
• 8 εσωτερικές τράπεζες
• Ονομαστική και δυναμική τερματισμός (ODT) για τα σήματα δεδομένων, στροβίδας και μάσκας
• Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS (READ) (CL)
• Αναρτήθηκε CAS Εθιστική καθυστέρηση (AL)
• Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS (WRITE) (CWL) με βάση το tCK
• Καθορισμένο μήκος εκρήξεως (BL) 8 και διάτρηση εκρήξεως (BC) 4 (μέσω του συνόλου καταλόγου λειτουργίας [MRS])
• Επιλέξιμη BC4 ή BL8 on-the-fly (OTF)
• Τρόπος αυτοανανέωσης
• TC από 0°C έως 85°C
  • 64ms, 8,192 κύκλοι ανανέωσης σε 0°C έως 85°C
  • 32 ms, 8.192 κύκλοι ανανέωσης σε 85°C έως 95°C
• Θέρμανση αυτοανανέωσης (SRT)
• Γράψτε ισοπέδωση
• Πολυεπιχειρησιακό μητρώο
• Κλιμάκωση οδηγού εξόδου

• Μνήμη ICMAX
• Διαμόρφωση
  • 1 Γκιγκ x 4
  • 512 μg x 8
  • 256 Μg x 16
• Κωδικός προϊόντος
  • DDR3
• Σφιχτότητα
  • 4 Gigabytes
• Τεχνολογία
  • 1.5V/8k ανανέωση
• Πακέτο FBGA (χωρίς Pb) - x4, x8
  • 78 σφαίρες (10,5 mm x 12 mm)
  • 78 σφαίρες (9 mm x 10,5 mm)
  • 78 σφαίρες (8 mm x 10,5 mm)
  • 78-σφαίρα (7,5 mm x 10,6 mm)
• Πακέτο FBGA (χωρίς Pb) - x16
  • 96 σφαίρες (10 mm x 14 mm)
  • 96 σφαίρες (8 mm x 14 mm)
• Χρονισμός - χρόνος κύκλου
  • 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866)
  • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
  • 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
  • 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066)

• ICMAX PN
• 1,024M4
• 512M8
• 256M16
• Ογδόντα
• RAF
• Επικαιροποίηση
• RKB
• Δελτίο ΕΚ
• Δελτίο ΕΚ
• ΑΕγχΠ
• -107
• -125
• -15Ε
• -187E

Οι πελάτες μπορούν να επιλέξουν από χαρτόνια, ξύλινες θήκες και ξύλινες παλέτες σύμφωνα με τις απαιτήσεις τους.