Микросхема памяти DDR3 SDRAM 1 ГБ 1,5 В FBGA-96 8K Refresh IMD64M16R38AG8GNF

• VDD = VDDQ = +1,5V ±0,075V
• 1.5В центрально-окончательный I/O push/pull
• Дифференциальная двунаправленная данная строб
• Архитектура 8n-битного префетча
• Дифференциальные часовые входы (CK, CK#)
• 8 внутренних банков
• Номинальное и динамическое завершение на стенде (ODT) для сигналов данных, светодиода и маски
• CAS (READ) латентность (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10 или 11
• КОММЕНТАРНАЯ ЛАТЕНТНОСТЬ CAS ADDITIVE (AL): 0, CL - 1, CL - 2
• CAS (WRITE) латентность (CWL): 5, 6, 7, 8, на основе tCK
• Фиксированная длина взрыва (BL) 8 и разрыв (BC) 4 (через набор реестров режима [MRS])
• Избираемый BC4 или BL8 на ходу (OTF)
• Режим самообновления
• TC от 0 до 95 °C
  • 64 мс, 8,192 цикла обновления от 0°C до 85°C
  • 32 мс при температуре от 85 до 95 °C
• Диапазон часовой частоты 300-800 MHz
• Температура самообновления (SRT)
• Автоматическое обновление (ASR)
• Уравнение записи
• Многоцелевой регистр
• Калибровка выходного драйвера

• Память ICMAX
• Конфигурация
  • 256 мегаграмм x 4
  • 128 мегаграмм x 8
  • 64 мегаграмма х 16
• Код продукции
  • DDR3
• Плотность
  • 1 гигабайт
• Напряжение/обновление
  • 1.5V/8k обновление
• Пакет FBGA (без Pb) - x4, x8
  • 78 шаров (8 мм х 11,5 мм) Rev. E, F
  • 78 шаров (9 мм х 11,5 мм) Rev. D
  • 78 шаров (8 мм х 10,5 мм) Rev. J
  • 86-го шара (9 мм х 15,5 мм) Rev. B
• Пакет FBGA (без Pb) - x16
  • 96 шаров (8 мм х 14 мм) Rev. E
• Время - время цикла
  • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
  • 1.25ns @ CL = 10 (DDR3-1600)
  • 1.5ns @ CL = 10 (DDR3-1333)
  • 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
  • 1.87ns @ CL = 8 (DDR3-1066)
  • 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066)

IMD256M4128M864M16Dxx8G**G**Z**GNF-125-125E-15-15E-187-187E

Стандартная экспортная упаковка доступна. Клиенты могут выбирать из картона, деревянных чехлов и деревянных поддонов в соответствии со своими требованиями.