Τσιπ μνήμης DDR3 SDRAM 1GB 1.5V FBGA-96 8K Refresh IMD64M16R38AG8GNF

• Δοκιμαστική ισχύς
• 1.5V με κεντρικό τερματισμό σπρώξιμο/τρίψιμο I/O
• Διαφορετικό δικατευθυντικό στροβίδιο δεδομένων
• Αρχιτεκτονική 8n-bit prefetch
• Διαφορετικές εισόδους ρολογιού (CK, CK#)
• 8 εσωτερικές τράπεζες
• Ονομαστική και δυναμική τερματισμός (ODT) για τα σήματα δεδομένων, στροβίδας και μάσκας
• Κλίση καθυστέρησης CAS (READ) (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10 ή 11
• ΕΠΙΤΡΑΣΤΗΣΗ ΑΠΟΤΑΛΗΣΗΣ CAS (AL): 0, CL - 1, CL - 2
• Η καθυστέρηση CAS (WRITE) (CWL): 5, 6, 7, 8, βάσει tCK
• Καθορισμένο μήκος εκρήξεως (BL) 8 και διάτρηση εκρήξεως (BC) 4 (μέσω του συνόλου καταλόγου λειτουργίας [MRS])
• Επιλέξιμη BC4 ή BL8 on-the-fly (OTF)
• Τρόπος αυτοανανέωσης
• TC από 0 °C έως 95 °C
  • 64ms, 8,192 κύκλοι ανανέωσης σε 0°C έως 85°C
  • 32 ms σε θερμοκρασία 85°C έως 95°C
• Περιοχή συχνοτήτων ρολογιού 300 ∼ 800 MHz
• Θέρμανση αυτοανανέωσης (SRT)
• Αυτόματη ανανέωση (ASR)
• Γράψτε ισοπέδωση
• Πολυεπιχειρησιακό μητρώο
• Κλιμάκωση οδηγού εξόδου

• Μνήμη ICMAX
• Διαμόρφωση
  • 256 Μg x 4
  • 128 μg x 8
  • 64 Meg x 16
• Κωδικός προϊόντος
  • DDR3
• Σφιχτότητα
  • 1 Gigabyte
• Τεχνολογία
  • 1.5V/8k ανανέωση
• Πακέτο FBGA (χωρίς Pb) - x4, x8
  • 78-ball (8mm x 11.5mm) Rev. E, F
  • 78-ball (9mm x 11.5mm) Rev. D
  • 78-ball (8mm x 10,5mm) Rev. J
  • 86-ball (9mm x 15.5mm) Rev. Β
• Πακέτο FBGA (χωρίς Pb) - x16
  • 96-ball (8mm x 14mm) Rev. E
• Χρονισμός - χρόνος κύκλου
  • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
  • 1.25ns @ CL = 10 (DDR3-1600)
  • 1.5ns @ CL = 10 (DDR3-1333)
  • 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
  • 1.87ns @ CL = 8 (DDR3-1066)
  • 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066)

Δοκιμαστικό υλικό για την παραγωγή ακατέργαστων υλών

Οι πελάτες μπορούν να επιλέξουν από χαρτόνια, ξύλινες θήκες και ξύλινες παλέτες σύμφωνα με τις απαιτήσεις τους.