DDR3 SDRAMメモリチップ 1GB 1.5V FBGA-96 8Kリフレッシュ IMD64M16R38AG8GNF

• VDD = VDDQ = +1.5V ±0.075V
• 1.5V 中端プッシュ/プル I/O
• 差分二方向データストロブ
• 8nビットプレフェッチアーキテクチャ
• 差点時計入力 (CK,CK#)
• 8 内部銀行
• データ,ストロブ,マスク信号の名目および動的オン・ダイ・ターミネーション (ODT)
• CAS (READ) レイテンシー (CL): 5,6,7,8,9,10または11
• CAS ADDITIVE の遅延 (AL): 0, CL - 1, CL - 2
• CAS (WRITE) レイテンシー (CWL): 5,6,7,8,tCKに基づいて
• 固定ブース長 (BL) 8 とブース切片 (BC) 4 (モードレジスタセット [MRS]経由)
• 選択可能なBC4またはBL8オン・ザ・フライ (OTF)
• 自動更新モード
• 0°Cから95°CのTC
  • 0°C から 85°C の 8,192 サイクル の 更新
  • 85°Cから95°Cで32ms
• 300~800 MHz の 時計周波数範囲
• 自動更新温度 (SRT)
• 自動更新 (ASR)
• 書き直し
• 多目的登録
• 出力ドライバーの校正

• ICMAXメモリ
• 構成
  • 256 メガ × 4
  • 128 メガ × 8
  • 64 メガ × 16
• 製品コード
  • DDR3
• 密度
  • 1 ギガバイト
• 電圧/リフレッシュ
  • 1.5V/8kリフレッシュ
• FBGAパッケージ (Pbフリー) - x4, x8
  • 78球 (8mm x 11.5mm) レヴ.E,F
  • 78ボール (9mm x 11.5mm) レヴァ D
  • 78ボール (8mm x 10.5mm) レヴ J
  • 86ボール (9mm x 15.5mm) レヴ.B
• FBGAパッケージ (Pbフリー) - x16
  • 96ボール (8mm x 14mm) レヴ.E
• タイミング - サイクルの時間
  • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
  • 1.25ns @ CL = 10 (DDR3-1600)
  • 1.5ns @ CL = 10 (DDR3-1333)
  • 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
  • 1.87ns @ CL = 8 (DDR3-1066)
  • 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066)

IMD256M4128M864M16Dxx8G**G**Z**GNF-125-125E-15-15E-187-187E

標準的な輸出パッケージは利用可能.顧客は,その要求に応じて,紙箱,木製ケース,木製パレットから選択することができます.