شريحة ذاكرة DDR3 SDRAM سعة 1 جيجابايت 1.5 فولت FBGA-96 8K Refresh IMD64M16R38AG8GNF

• VDD = VDDQ = + 1.5V ± 0.075V
• 1إدخال/إخراج دفع/سحب بمنتصف 5 فولت
• ضوئي بيانات ثنائي الاتجاه
• بنية 8n-bit prefetch
• مدخلات الساعة التفاضلية (CK، CK#)
• 8 بنوك داخلية
• الإيقاف الاسمي والديناميكي على المقطع (ODT) لإشارات البيانات والضوء القابل للتعديل والقناع
• فترة تأخير CAS (READ) (CL): 5، 6، 7، 8، 9، 10 أو 11
• تأخير CAS ADDITIVE (AL): 0، CL - 1، CL - 2
• فترة تأخير CAS (WRITE) (CWL): 5، 6، 7، 8، بناءً على tCK
• الطول الثابت للفجر (BL) 8 وقطع الفجر (BC) 4 (عبر مجموعة سجل الوضع [MRS])
• يمكن اختيار BC4 أو BL8 على متن الطائرة (OTF)
• وضع التحديث الذاتي
• TC من 0 °C إلى 95 °C
  • 64ms، 8,192 دورة تحديث عند 0°C إلى 85°C
  • 32 ثانية عند 85°C إلى 95°C
• نطاق تردد الساعة من 300 إلى 800 ميغاهرتز
• درجة حرارة التحديث الذاتي (SRT)
• التجديد الذاتي التلقائي (ASR)
• كتابة التسوية
• سجل متعدد الأغراض
• معايرة محرك الخروج

• ذاكرة ICMAX
• التكوين
  • 256 ميجابايت × 4
  • 128 ميجابايت × 8
  • 64 ميجابايت × 16
• رمز المنتج
  • DDR3
• الكثافة
  • 1 جيجابايت
• الجهد/التجديد
  • 1.5 فولت / 8k تحديث
• حزمة FBGA (خالية من Pb) - x4، x8
  • كرة 78 (8 ملم × 11.5 ملم) Rev. E، F
  • كرة 78 (9 ملم × 11.5 ملم) Rev. D
  • كرة 78 (8 ملم × 10.5 ملم) Rev. J
  • كرة 86 (9 ملم × 15.5 ملم) Rev. B
• حزمة FBGA (خالية من Pb) - x16
  • كرة 96 (8 ملم × 14 ملم) Rev. E
• التوقيت - وقت الدورة
  • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
  • 1.25ns @ CL = 10 (DDR3-1600)
  • 1.5ns @ CL = 10 (DDR3-1333)
  • 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
  • 1.87ns @ CL = 8 (DDR3-1066)
  • 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066)

IMD256M4128M864M16Dxx8G**G**Z**GNF-125-125E-15-15E-187-187E

تعبئة تصدير قياسية متوفرة. يمكن للعملاء الاختيار من بين الكرتونات والأغراض الخشبية والحاويات الخشبية وفقا لمتطلباتهم.