DDR3-SDRAM-Speicherchip 1 GB 1,5 V FBGA-96 8K Erneuerung IMD64M16R38AG8GNF

• Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anwendungen sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 zu ersetzen.
• 1.5V mit zentralen Endpunkten
• Differentielle bidirektionale Datenstroboskopie
• 8n-Bit-Prefetch-Architektur
• Differentialleistungen (CK, CK#)
• 8 interne Banken
• Nominale und dynamische Endung (ODT) für Daten-, Stroboskop- und Maskensignale
• CAS (READ) Latenzzeit (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10 oder 11
• CAS-ADDITIV-Latenz (AL): 0, CL - 1, CL - 2
• CAS (WRITE) Latenzzeit (CWL): 5, 6, 7, 8, basierend auf tCK
• Feste Sprenglänge (BL) von 8 und Sprengschnitt (BC) von 4 (über das Modusregister-Set [MRS])
• Auswählbares BC4 oder BL8 On-the-Fly (OTF)
• Selbst-Aktualisierungsmodus
• TC von 0°C bis 95°C
  • 64ms, 8.192 Zyklen bei 0°C bis 85°C
  • 32 ms bei 85 °C bis 95 °C
• Uhrfrequenzbereich von 300~800 MHz
• Selbst-Erneuerungstemperatur (SRT)
• Automatische Selbsterneuerung (ASR)
• Schreibnivellierung
• Mehrzweckregister
• Ausgangstreiberkalibrierung

• ICMAX-Speicher
• Ausstattung
  • 256 Meg x 4
  • 128 Meg x 8
  • 64 Meg x 16
• Produktcode
  • DDR3
• Dichte
  • 1 Gigabyte
• Spannung/Erneuerung
  • 1.5V/8k Nachrüstung
• FBGA-Paket (Pb-frei) - x4, x8
  • 78-Kugel (8mm x 11,5mm) Rev. E, F
  • 78-Kugel (9mm x 11,5mm) Rev. D
  • 78-Kugel (8mm x 10,5mm) Rev. J.
  • 86-Kugel (9mm x 15,5mm) Rev. B
• FBGA-Paket (Pb-frei) - x16
  • 96-Kugel (8mm x 14mm) Rev. E
• Zeitplanung - Zykluszeit
  • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
  • 1.25ns @ CL = 10 (DDR3-1600)
  • 1.5ns @ CL = 10 (DDR3-1333)
  • 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
  • 1.87ns @ CL = 8 (DDR3-1066)
  • 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066)

Im Rahmen der Ermittlung der Auswirkungen der Anwendung der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006

Standard-Exportverpackungen sind erhältlich. Kunden können nach ihren Anforderungen aus Kartons, Holzkästen und Holzpaletten wählen.