DDR3 SDRAM 메모리 칩 1GB 1.5V FBGA-96 8K 갱신 IMD64M16R38AG8GNF

• VDD = VDDQ = +1.5V ±0.075V
• 1.5V 센터 종단 푸시/풀 I/O
• 차동 양방향 데이터 스트로브
• 8n 비트 프리페치 아키텍처
• 차동 클럭 입력(CK, CK#)
• 8개의 내부 뱅크
• 데이터, 스트로브 및 마스크 신호에 대한 공칭 및 동적 온다이 종단(ODT)
• CAS(읽기) 대기 시간(CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10 또는 11
• POSTED CAS 추가 대기 시간(AL): 0, CL - 1, CL - 2
• CAS(쓰기) 대기 시간(CWL): tCK 기준 5, 6, 7, 8
• 8의 고정 버스트 길이(BL) 및 4의 버스트 찹(BC)(모드 레지스터 세트 [MRS]를 통해)
• 온더플라이(OTF)에서 선택 가능한 BC4 또는 BL8
• 자가 새로 고침 모드
• 0°C ~ 95°C의 TC
  • 0°C ~ 85°C에서 64ms, 8,192 사이클 새로 고침
  • 85°C ~ 95°C에서 32ms
• 300–800MHz의 클럭 주파수 범위
• 자가 새로 고침 온도(SRT)
• 자동 자가 새로 고침(ASR)
• 쓰기 레벨링
• 다목적 레지스터
• 출력 드라이버 보정

• ICMAX 메모리
• 구성
  • 256 Meg x 4
  • 128 Meg x 8
  • 64 Meg x 16
• 제품 코드
  • DDR3
• 밀도
  • 1기가바이트
• 전압/새로 고침
  • 1.5V/8k 새로 고침
• FBGA 패키지(Pb-free) - x4, x8
  • 78-볼(8mm x 11.5mm) Rev. E, F
  • 78-볼(9mm x 11.5mm) Rev. D
  • 78-볼(8mm x 10.5mm) Rev. J
  • 86-볼(9mm x 15.5mm) Rev. B
• FBGA 패키지(Pb-free) - x16
  • 96-볼(8mm x 14mm) Rev. E
• 타이밍 - 사이클 시간
  • 1.25ns @ CL = 11(DDR3-1600)
  • 1.25ns @ CL = 10(DDR3-1600)
  • 1.5ns @ CL = 10(DDR3-1333)
  • 1.5ns @ CL = 9(DDR3-1333)
  • 1.87ns @ CL = 8(DDR3-1066)
  • 1.87ns @ CL = 7(DDR3-1066)

IMD256M4128M864M16Dxx8G**G**Z**GNF-125-125E-15-15E-187-187E

표준 수출 포장 가능. 고객은 요구 사항에 따라 상자, 나무 케이스 및 나무 팔레트를 선택할 수 있습니다.