Chip di memoria DDR3 SDRAM 1GB 1.5V FBGA-96 8K Refresh IMD64M16R38AG8GNF

• VDD = VDDQ = +1,5V ±0,075V
• I/O push/pull terminato al centro a 1,5 V
• Strobo dati bidirezionale differenziale
• Architettura di prefetch a 8n bit
• Ingressi di clock differenziali (CK, CK#)
• 8 banchi interni
• Terminazione nominale e dinamica on-die (ODT) per segnali dati, strobo e maschera
• Latenza CAS (READ) (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10 o 11
• Latenza ADDITIVA CAS (AL) POSTED: 0, CL - 1, CL - 2
• Latenza CAS (WRITE) (CWL): 5, 6, 7, 8, basata su tCK
• Lunghezza burst (BL) fissa di 8 e burst chop (BC) di 4 (tramite il registro di modalità [MRS])
• BC4 o BL8 selezionabile al volo (OTF)
• Modalità di auto-refresh
• TC da 0°C a 95°C
  • 64ms, 8.192 cicli di refresh da 0°C a 85°C
  • 32ms da 85°C a 95°C
• Gamma di frequenza di clock da 300 a 800 MHz
• Temperatura di auto-refresh (SRT)
• Auto-refresh automatico (ASR)
• Write leveling
• Registro multiuso
• Calibrazione del driver di uscita

• Memoria ICMAX
• Configurazione
  • 256 Meg x 4
  • 128 Meg x 8
  • 64 Meg x 16
• Codice prodotto
  • DDR3
• Densità
  • 1 Gigabyte
• Tensione/Aggiornamento
  • 1,5 V/8k refresh
• Pacchetto FBGA (senza Pb) - x4, x8
  • 78 sfere (8 mm x 11,5 mm) Rev. E, F
  • 78 sfere (9 mm x 11,5 mm) Rev. D
  • 78 sfere (8 mm x 10,5 mm) Rev. J
  • 86 sfere (9 mm x 15,5 mm) Rev. B
• Pacchetto FBGA (senza Pb) - x16
  • 96 sfere (8 mm x 14 mm) Rev. E
• Temporizzazione - tempo di ciclo
  • 1,25 ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
  • 1,25 ns @ CL = 10 (DDR3-1600)
  • 1,5 ns @ CL = 10 (DDR3-1333)
  • 1,5 ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
  • 1,87 ns @ CL = 8 (DDR3-1066)
  • 1,87 ns @ CL = 7 (DDR3-1066)

IMD256M4128M864M16Dxx8G**G**Z**GNF-125-125E-15-15E-187-187E

Imballaggio standard per l'esportazione disponibile. I clienti possono scegliere tra cartoni, casse di legno e pallet di legno in base alle proprie esigenze.