ชิปความจํา DDR3 SDRAM 1GB 1.5V FBGA-96 8K Refresh IMD64M16R38AG8GNF

• VDD = VDDQ = +1.5V ±0.075V
• I/O แบบดึงขึ้น/ดึงลง 1.5V แบบศูนย์กลาง
• สโตรบข้อมูลแบบสองทิศทางแบบดิฟเฟอเรนเชียล
• สถาปัตยกรรมพรีเฟตช์ 8n บิต
• อินพุตสัญญาณนาฬิกาแบบดิฟเฟอเรนเชียล (CK, CK#)
• 8 แบงก์ภายใน
• การสิ้นสุดบนได (ODT) แบบปกติและแบบไดนามิกสำหรับสัญญาณข้อมูล สโตรบ และมาสก์
• CAS (READ) latency (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10 หรือ 11
• POSTED CAS ADDITIVE latency (AL): 0, CL - 1, CL - 2
• CAS (WRITE) latency (CWL): 5, 6, 7, 8, ขึ้นอยู่กับ tCK
• ความยาวเบิร์สต์คงที่ (BL) 8 และเบิร์สต์ช็อป (BC) 4 (ผ่านการตั้งค่ารีจิสเตอร์โหมด [MRS])
• เลือก BC4 หรือ BL8 แบบ on-the-fly (OTF)
• โหมดรีเฟรชตัวเอง
• TC 0°C ถึง 95°C
  • 64ms, รีเฟรชรอบ 8,192 รอบ ที่ 0°C ถึง 85°C
  • 32ms ที่ 85°C ถึง 95°C
• ช่วงความถี่นาฬิกา 300–800 MHz
• อุณหภูมิรีเฟรชตัวเอง (SRT)
• รีเฟรชตัวเองอัตโนมัติ (ASR)
• การปรับระดับการเขียน
• รีจิสเตอร์อเนกประสงค์
• การปรับเทียบไดรเวอร์เอาต์พุต

• หน่วยความจำ ICMAX
• การกำหนดค่า
  • 256 เมก x 4
  • 128 เมก x 8
  • 64 เมก x 16
• รหัสสินค้า
  • DDR3
• ความหนาแน่น
  • 1 กิกะไบต์
• แรงดันไฟฟ้า/การรีเฟรช
  • 1.5V/8k รีเฟรช
• แพ็คเกจ FBGA (ปราศจาก Pb) - x4, x8
  • 78-ball (8mm x 11.5mm) Rev. E, F
  • 78-ball (9mm x 11.5mm) Rev. D
  • 78-ball (8mm x 10.5mm) Rev. J
  • 86-ball (9mm x 15.5mm) Rev. B
• แพ็คเกจ FBGA (ปราศจาก Pb) - x16
  • 96-ball (8mm x 14mm) Rev. E
• ระยะเวลา - เวลาวงจร
  • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
  • 1.25ns @ CL = 10 (DDR3-1600)
  • 1.5ns @ CL = 10 (DDR3-1333)
  • 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
  • 1.87ns @ CL = 8 (DDR3-1066)
  • 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066)

IMD256M4128M864M16Dxx8G**G**Z**GNF-125-125E-15-15E-187-187E

มีบรรจุภัณฑ์ส่งออกมาตรฐาน ลูกค้าสามารถเลือกจากกล่องกระดาษแข็ง กล่องไม้ และพาเลทไม้ได้ตามความต้องการ