Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияМикросхема памяти ДРАХМЫ

FEMDRW064G88A19 BGA153 EMMC Memory Chip

Все продукты

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

(52)

Блок микроконтроллера MCU

(129)

Система SOC на чипе

(17)

IC MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

Инфракрасный тепловой детектор

(2)

Обломок DSP IC

(12)

Микросхема памяти ДРАХМЫ

(26)

обломок eeprom

(70)

PSRAM Chip

(5)

Чип SRAM

(20)

Никакой вспышки

(51)

Микросхема EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(100)

Радиочастотные интегральные схемы

(11)

Электронные компоненты

(79)

Программирование ПЛК

(15)

Модуль GPS

(9)

Радиочастотный модуль

(9)

Модуль питания

(19)

Полупроводниковое реле

(11)

Антенна связи

(3)

Разъем

(8)

Фил -фишек управления питанием

(38)
Оставьте нам сообщение

FEMDRW064G88A19 BGA153 EMMC Memory Chip

FEMDRW064G88A19 BGA153 EMMC Memory Chip
FEMDRW064G88A19 BGA153 EMMC Memory Chip FEMDRW064G88A19 BGA153 EMMC Memory Chip FEMDRW064G88A19 BGA153 EMMC Memory Chip

Большие изображения :  FEMDRW064G88A19 BGA153 EMMC Memory Chip

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: CN
Фирменное наименование: FORESEE
Сертификация: ROHS
Номер модели: FEMDRW064G-88A19
Документ: 214877927D487992D5FBB5D5157...62.pdf
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1
Цена: consult
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5-8 дней
Условия оплаты: T/T, Western Union
Поставка способности: 100000
контакт

FEMDRW064G88A19 BGA153 EMMC Memory Chip

описание
Тип интерфейса: ЕММК 5.1 Рабочее напряжение: 2.7V к 3.6V
Рабочая температура: -40 ℃ до +85 ℃ Последовательное чтение/запись: 145/245 МБ/с
Емкость хранения: 64 ГБ Последовательная скорость чтения: 245 МБ/с
Последовательный напишите скорость: 145 МБ/с Рабочее напряжение (VCCF) NAND: 2.7V к 3.6V
Рабочее напряжение контроллера (VCCQ): 2,7 В до 3,6 В. 1,7 В до 1,95 В Резервный поток NAND: 80UA
Резервный ток контроллера: 150uA
Выделить:

64GB EMMC Memory Chip

,

eMMC 5.1 Memory Chip

,

HS400 BGA153 Memory Chip

FEMDRW064G88A19 BGA153 EMMC Memory Chip KEY FEATURES eMMC5.1 specification compatibility- Backward compatible to eMMC4.41/4.5/5.0 Bus mode Data bus width: 1 bit (default), 4 bits, 8 bits Data transfer rate: up to 400MB/s (HS400) MMC I/F Clock frequency: 0~200MHz Operating voltage range VCC(NAND): 2.7 ~ 3.6V VCCQ(Controller): 1.7 ~ 1.95V / 2.7 ~ 3.6V Temperature Operation: -40℃ ~ +85℃ Storage without operation: -40℃ ~ +85℃ Sudden-Power-Loss safeguard Hardware ECC engine Unique

тег:

Драм чип,

чип-драм,

Микросхемы памяти драхмы

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: +8618824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: FBGA-200

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: BGA, FBGA

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: ФБГА-96

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Каталог товаров: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Оборудование общего назначения: ФБГА-96

Способ установки: Установка поверхностного монтажа

Рабочая температура: 95°C (макс.)
Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: ФБГА-96

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
около

Блок микроконтроллера MCU

UART SPI MCU Микроконтроллер Arm Cortex-A35 Микропроцессорный чип MA35D16F887C

Atmel 8-разрядный микроконтроллер (MCU) с памятью Flash 16-32 Кбайт, программируемой ATMEGA168PA-AU

128kB 8-битный микроконтроллер MCU AVR Core Microcomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Полевое программируемое устройство Логический массив

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip (Чип с программируемым полевым массивом)

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld чипы Программируемые логические чипы 85000LE

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив) поставщик. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.