IS43TR16128BL-125KBLI 2GB DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY BGA-96

256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

• Standart Voltaj: VDD ve VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• Düşük Voltaj (L): VDD ve VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - 1.5V'ye geriye uygun
• Yüksek hızlı veri aktarım hızları 1066 MHz'e kadar sistem frekansıyla
• Aynı anda çalışmak için 8 iç banka
• 8n-Bit pre-fetch mimarisi
• Programlanabilir CAS Gecikme
• Programlanabilir Ekleyici Gecikme: 0, CL-1, CL-2
• Programlanabilir CAS yazma gecikmesi (CWL) tCK temelinde
• Programlanabilir patlama uzunluğu: 4 ve 8
• Programlanabilir patlama dizisi: Sıralı veya Aralıklı
• Uçuşta BL anahtarı
• Otomatik Kendini Yeniden Yükle (ASR)
• Kendini tazeleme sıcaklığı (SRT)
• Yenileme Arası:
  • 7.8 us (8192 döngü/64 ms) Tc= -40°C - 85°C
  • 3.9 us (8192 döngü/32 ms) Tc= 85°C - 105°C
• Kısmi Dizi Kendini Yeniden Yükle
• Asinkron Dönüştürme Pini
• TDQS (Termination Data Strobe) desteklenir (sadece x8)
• OCD (Off-Chip Sürücü Impedans Düzenleme)
• Dinamik ODT (On-Die Termination)
• Sürücü gücü: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Yazı Düzenleme
• DLL kapalı modunda 200 MHz'e kadar
• Çalışma sıcaklığı:
  • Ticari (TC = 0°C'den +95°C'ye)
  • Endüstriyel (TC = -40°C - +95°C)
  • Otomotiv, A1 (TC = -40°C - +95°C)
  • Otomobil, A2 (TC = -40°C'den +105°C'ye)

• Yapılandırma:
  • 256Mx8
  • 128Mx16
• Paket:
  • 96 toplu BGA (9mm x 13mm) x16 için
  • 78 toplu BGA (8mm x 10.5mm) x8 için