IS43TR16128BL-125KBLI 2GB DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY BGA-96

256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

• Voltagem padrão: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Baixa Tensão (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V - Compatível com 1.5V
• Taxas de transferência de dados de alta velocidade com frequência de sistema até 1066 MHz
• 8 bancos internos para operação simultânea
• Arquitetura pré-retirada de 8n-bit
• Latência CAS programável
• Latência aditiva programável: 0, CL-1, CL-2
• Latência de gravação de CAS programável (CWL) baseada em tCK
• Duração de explosão programável: 4 e 8
• Sequência de explosão programável: Sequencial ou Interleave
• Interruptor BL no momento
• Auto auto-refrescar ((ASR)
• Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
• Intervalo de atualização:
  • 7.8 us (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
  • 3.9 us (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
• Auto-refrescamento de matriz parcial
• Pin de reinicialização assíncrona
• TDQS (Termination Data Strobe) suportado (x8 somente)
• OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
• ODT dinâmico (terminação instantânea)
• Força do condutor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Escrever nivelamento
• Até 200 MHz no modo DLL desligado
• Temperatura de funcionamento:
  • Comércio (TC = 0°C a +95°C)
  • Indústria (TC = -40°C a +95°C)
  • Automóvel, A1 (TC = -40°C a +95°C)
  • Automóvel, A2 (TC = -40°C a +105°C)

• Configuração:
  • 256Mx8
  • 128Mx16
• Embalagem:
  • BGA de 96 bolas (9 mm x 13 mm) para x16
  • BGA de 78 bolas (8 mm x 10,5 mm) para x8