IS43TR16128BL-125KBLI 2GB DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY BGA-96

256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

• Tensione standard: VDD e VDDQ = 1,5V ± 0,075V
• Basso Voltaggio (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V - Compatibile all'indietro a 1,5V
• Velocità di trasferimento dati ad alta velocità con frequenza di sistema fino a 1066 MHz
• 8 banche interne per operazioni simultanee
• Architettura 8n-Bit pre-fetch
• Programmabile CAS latency
• Programmabile latenza additiva: 0, CL-1, CL-2
• La latenza di scrittura CAS programmabile (CWL) basata su tCK
• Lunghezza di scatto programmabile: 4 e 8
• Sequenza di esplosione programmabile: sequenziale o interleave
• Accendi BL in volo
• Autorefrescamento automatico (ASR)
• Temperatura di rinfresco automatico (SRT)
• Intervallo di aggiornamento
  • 7.8 us (8192 cicli/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
  • 3.9 us (8192 cicli/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
• Array parziale auto-refresh
• Pin di ripristino asincrono
• TDQS (Termination Data Strobe) supportato (solo x8)
• OCD (regolamento dell'impedenza del driver off-chip)
• ODT dinamico (terminazione in fase di lavorazione)
• Forza del driver: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Scrivere il livellamento
• Fino a 200 MHz in modalità spenta DLL
• Temperatura di funzionamento:
  • Commerciale (TC = 0°C a +95°C)
  • Industria (TC = -40°C a +95°C)
  • Automotive, A1 (TC = -40°C a +95°C)
  • Automotive, A2 (TC = -40°C a +105°C)

• Configurazione:
  • 256Mx8
  • 128Mx16
• Confezione:
  • BGA da 96 sfere (9mm x 13mm) per x16
  • BGA a 78 sfere (8 mm x 10,5 mm) per x8