IS43TR16128BL-125KBLI 2GB DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY BGA-96

256Mx8، 128Mx16 2GB DDR3 SDRAM

• ولتاژ استاندارد: VDD و VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• ولتاژ پایین (L): VDD و VDDQ = 1.35V + 0.1V، -0.067V - سازگار با 1.5V
• نرخ انتقال داده با سرعت بالا با فرکانس سیستم تا 1066 MHz
• 8 بانک داخلی برای عملیات همزمان
• معماری 8n-Bit پیش از گرفتن
• تاخیر CAS قابل برنامه ریزی
• تاخیر افزوده قابل برنامه ریزی: 0، CL-1، CL-2
• تاخیر برنامه نویسی CAS WRITE (CWL) بر اساس tCK
• طول انفجار قابل برنامه ریزی: 4 و 8
• دنباله انفجار قابل برنامه ریزی: دنباله ای یا Interleave
• در حال حرکت، کلید BL
• خودکار خود به روزرسانی ((ASR)
• دمای خود تازه ((SRT)
• فاصله ی تازه سازی:
  • 7.8 us (8192 چرخه/64 ms) Tc= -40°C تا 85°C
  • 3.9 us (8192 چرخه/32 ms) Tc= 85°C تا 105°C
• آرایه جزئی خود را تازه کنید
• پین بازنشستگی نامتعادل
• TDQS (Termination Data Strobe) پشتیبانی می شود (فقط x8)
• OCD (تعدیل مقاومت راننده خارج از تراشه)
• ODT پویا (تکمیل در هنگام حرکت)
• قدرت راننده: RZQ/7، RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• نوشتن سطح بندی
• تا 200 مگاهرتز در حالت خاموش DLL
• دمای کار:
  • تجاری (TC = 0°C تا +95°C)
  • صنعتی (TC = -40°C تا +95°C)
  • خودرو، A1 (TC = -40°C تا +95°C)
  • خودرو، A2 (TC = -40°C تا +105°C)

• پیکربندی:
  • 256Mx8
  • 128Mx16
• بسته بندی:
  • BGA 96 توپ (9mm x 13mm) برای x16
  • BGA 78 توپ (8mm x 10.5mm) برای x8