IS43TR16128BL-125KBLI 2GB DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY BGA-96

256Mx8, 128Mx16 2 GB DDR3 SDRAM

• Standaardspanning: VDD en VDDQ = 1,5V ± 0,075V
• Laagspanning (L): VDD en VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V - Achteruit compatibel tot 1,5V
• Hoge snelheidsgegevensoverdracht met een systeemfrequentie tot 1066 MHz
• 8 interne banken voor gelijktijdige werking
• 8n-bit pre-fetch architectuur
• Programmeerbare CAS-latentie
• Programmeerbare additieve latentie: 0, CL-1, CL-2
• Programmeerbare CAS WRITE latency (CWL) op basis van tCK
• Programmable Burst Length: 4 en 8
• Programmeerbare uitbarstingssequentie: sequentiële of interleave
• BL-schakelaar op de vlucht
• Autovernieuwing (ASR)
• Verwarmingstemperatuur (SRT)
• Hernieuwingsinterval:
  • 7.8 us (8192 cycli/64 ms) Tc= -40°C tot 85°C
  • 3.9 us (8192 cycli/32 ms) Tc= 85°C tot 105°C
• Partieel Array Zelfverfrissing
• Asynchrone RESET pin
• TDQS (Termination Data Strobe) ondersteund (alleen x8)
• OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
• Dynamische ODT (On-Die Termination)
• Vermogen van de stuwmachine: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Schrijf leveling
• Tot 200 MHz in DLL-afstand
• Werktemperatuur:
  • Commerciële (TC = 0°C tot +95°C)
  • Industrieel (TC = -40°C tot +95°C)
  • Automobiel, A1 (TC = -40°C tot +95°C)
  • Automobilerij, A2 (TC = -40°C tot +105°C)

• Configuratie:
  • 256Mx8
  • 128Mx16
• Verpakking:
  • 96-bal BGA (9mm x 13mm) voor x16
  • 78-bal BGA (8mm x 10,5mm) voor x8