IS43TR16128BL-125KBLI 2GB 동적 무작위 액세스 메모리 BGA-96

256Mx8, 128Mx16 2GB DDR3 SDRAM

• 표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• 저전압 (L): VDD 및 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - 1.5V로 역동 호환
• 시스템 주파수 최대 1066 MHz의 고속 데이터 전송 속도
• 동시 운영을 위한 8개의 내부 은행
• 8n-비트 프리페치 아키텍처
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연
• 프로그래밍 가능한 추가 지연: 0, CL-1, CL-2
• 프로그램 가능한 CAS WRITE 지연 (CWL) tCK를 기반으로
• 프로그래밍 가능한 폭발 길이: 4와 8
• 프로그래밍 가능한 폭발 순서: 순서 또는 간격
• BL 스위치
• 자동 자동 갱신 (ASR)
• 자기 갱신 온도 (SRT)
• 갱신 간격:
  • 7.8 us (8192 회전/64 ms) Tc= -40°C ~ 85°C
  • 3.9 us (8192 회전/32 ms) Tc= 85°C ~ 105°C
• 부분 배열 자기 갱신
• 비동기 리셋 핀
• TDQS (Termination Data Strobe) 지원 (x8만)
• OCD (오프 칩 드라이버 저항 조정)
• 동적 ODT (On-Die Termination)
• 드라이버 강도: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• 레벨링을 쓰기
• DLL 종료 모드에서 최대 200MHz
• 작동 온도:
  • 상업용 (TC = 0°C ~ +95°C)
  • 산업용 (TC = -40°C ~ +95°C)
  • 자동차, A1 (TC = -40°C ~ +95°C)
  • 자동차, A2 (TC = -40°C ~ +105°C)

• 구성:
  • 256Mx8
  • 128Mx16
• 패키지:
  • 96볼 BGA (9mm x 13mm) x16
  • 78볼 BGA (8mm x 10.5mm) x8용