IS43TR16128BL-125KBLI 2GB Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης BGA-96

256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

• Τυπική τάση: VDD και VDDQ = 1,5V ± 0,075V
• Χαμηλή τάση (L): VDD και VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V - Αντίστροφη συμβατότητα με 1,5V
• Ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων με συστημική συχνότητα έως 1066 MHz
• 8 εσωτερικές τράπεζες για ταυτόχρονη λειτουργία
• Αρχιτεκτονική 8n-Bit προ-αναζήτησης
• Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS
• Προγραμματισμένη πρόσθετη καθυστέρηση: 0, CL-1, CL-2
• Προγραμματισμένη καθυστέρηση εγγραφής CAS (CWL) με βάση το tCK
• Προγραμματιζόμενο μήκος εκρήξεως: 4 και 8
• Προγραμματισμένη ακολουθία εκρήξεως: ακολουθική ή διαλειμματική
• Επικοινωνία με το BL
• Αυτόματη ανανέωση (ASR)
• Θερμοκρασία αυτοανανέωσης (SRT)
• Διαστήμα ανανέωσης:
  • 7.8 us (8192 κύκλοι/64 ms) Tc= -40°C έως 85°C
  • 3.9 us (8192 κύκλοι/32 ms) Tc= 85°C έως 105°C
• Εξαρτήματα
• Ασύγχρονη καρφίτσα επαναφοράς
• Υποστηρίζεται το TDQS (Termination Data Strobe) (x8 μόνο)
• OCD (προσαρμογή αντίστασης οδήγησης εκτός τσιπ)
• Δυναμική ODT (Σταματισμός κατά την κατασκευή)
• Δύναμη οδήγησης: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Γράψτε ισοπέδωση
• Μέχρι 200 MHz σε κατάσταση DLL εκτός λειτουργίας
• Θερμοκρασία λειτουργίας:
  • Εμπορική (TC = 0°C έως +95°C)
  • Βιομηχανική (TC = -40°C έως +95°C)
  • Αυτοκινητοβιομηχανία, Α1 (TC = -40°C έως +95°C)
  • Αυτοκινητοβιομηχανία, Α2 (TC = -40°C έως +105°C)

• Διαμόρφωση:
  • 256Mx8
  • 128Mx16
• Συσκευή:
  • 96-ball BGA (9mm x 13mm) για x16
  • 78-ball BGA (8mm x 10,5mm) για x8