IS43TR16128BL-125KBLI 2GB ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية BGA-96

256Mx8، 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

• الجهد القياسي: VDD و VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• الجهد المنخفض (L): VDD و VDDQ = 1.35V + 0.1V ، -0.067V - متوافق إلى الوراء إلى 1.5V
• معدلات نقل البيانات عالية السرعة مع ترددات النظام تصل إلى 1066 ميغاهرتز
• 8 بنوك داخلية للعمل بالتزامن
• بنية 8n-Bit قبل الاستيلاء
• تأخير CAS القابل للبرمجة
• تأخير إضافي قابل للبرمجة: 0، CL-1، CL-2
• تأخير كتابة CAS قابل للبرمجة (CWL) على أساس tCK
• طول انفجار قابل للبرمجة: 4 و 8
• تسلسل انفجار قابل للبرمجة: تسلسلي أو متقطع
• التبديل BL على الطيران
• تحديث تلقائي ((ASR))
• درجة حرارة التجديد الذاتي (SRT)
• فترة التحديث:
  • 7.8 us (8192 دورة/ 64 ms) Tc= -40°C إلى 85°C
  • 3.9 us (8192 دورة / 32 ms) Tc= 85 °C إلى 105 °C
• المجموعة الجزئية التجديد الذاتي
• دبوس إعادة التشغيل غير المتزامن
• تدعم TDQS (Termination Data Strobe) (x8 فقط)
• OCD (تعديل عائق السائق خارج الشريحة)
• ODT الديناميكية (إنهاء على الجهاز)
• قوة المحرك: RZQ/7، RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• كتابة التسوية
• ما يصل إلى 200 ميغاهرتز في وضع إيقاف DLL
• درجة حرارة العمل:
  • التجارية (TC = 0 °C إلى + 95 °C)
  • الصناعية (TC = -40 °C إلى +95 °C)
  • السيارات، A1 (TC = -40°C إلى +95°C)
  • السيارات، A2 (TC = -40°C إلى +105°C)

• التكوين:
  • 256Mx8
  • 128Mx16
• الحزمة:
  • 96 كرة BGA (9mm x 13mm) ل x16
  • 78 كرة BGA (8mm x 10.5mm) ل x8