Se trata de un sistema de almacenamiento de datos que se utiliza para almacenar datos en el sistema de almacenamiento de datos.

256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

• La tensión estándar: VDD y VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Bajo voltaje (L): VDD y VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V - compatibles con el pasado hasta 1,5V
• Tasa de transferencia de datos de alta velocidad con frecuencia de sistema de hasta 1066 MHz
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• Arquitectura de pre-recuperación de 8n-bit
• La latencia del CAS programable
• La latencia aditiva programable es de 0, CL-1, CL-2
• La latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
• Duración de ráfaga programable: 4 y 8
• Secuencia de explosión programable: secuencial o interleave
• Interruptor de BL en el vuelo
• Auto Actualización (ASR)
• Temperatura de auto-refresco (SRT)
• Intervalo de actualización:
  • 7.8 nosotros (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
  • 3.9 nosotros (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
• Auto-refresco de la matriz parcial
• Pin de reinicio asíncrono
• TDQS (Termination Data Strobe) soportado (sólo x8)
• OCD (ajuste de la impedancia del controlador fuera del chip)
• La ODT dinámica (terminación a medida)
• Fuerza del conductor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Escribir nivelación
• Hasta 200 MHz en el modo DLL apagado
• Temperatura de funcionamiento:
  • Para uso comercial (TC = 0°C a +95°C)
  • Industriales (TC = -40°C a +95°C)
  • Para el automóvil, A1 (TC = -40°C a +95°C)
  • Para el sector del automóvil, A2 (TC = -40°C a +105°C)

• Configuración:
  • 256Mx8
  • 128Mx16
• Envase:
  • BGA de 96 bolas (9 mm x 13 mm) para x16
  • BGA de 78 bolas (8 mm x 10,5 mm) para x8