Побеседуйте теперь |
Главная страница ПродукцияЧип SRAM

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ ПАРАЛЕЛЬНЫЙ 16-битный BGA-96

Все продукты

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

(24)

Блок микроконтроллера MCU

(37)

Система SOC на чипе

(11)

IC MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

Инфракрасный тепловой детектор

(2)

Обломок DSP IC

(12)

Микросхема памяти ДРАХМЫ

(12)

обломок eeprom

(10)

PSRAM Chip

(5)

Чип SRAM

(17)

Никакой вспышки

(16)

Микросхема EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(8)

Радиочастотные интегральные схемы

(10)

Литий-ионная батарея

(22)

Программирование ПЛК

(14)

Модуль GPS

(9)

Радиочастотный модуль

(9)

Модуль питания

(11)

Полупроводниковое реле

(11)

Антенна связи

(3)
Оставьте нам сообщение

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ ПАРАЛЕЛЬНЫЙ 16-битный BGA-96

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96
IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96

Большие изображения :  IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ ПАРАЛЕЛЬНЫЙ 16-битный BGA-96

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: TWN
Фирменное наименование: ISSI
Сертификация: ROSH
Номер модели: ИС43ТР16256БЛ-125КБЛИ
Документ: C1349408_C28B7EA490C7FA8CAF...01.pdf
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5-8ДЕНЬ
Условия оплаты: Вестерн Юнион, Т/Т
Поставка способности: 10000
контакт Побеседуйте теперь

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ ПАРАЛЕЛЬНЫЙ 16-битный BGA-96

описание
Рабочий диапазон напряжений: 1,14 В до 1,26 В. Скорость передачи данных: 2400 мт/с
Метод упаковки: Сплетенная лента Буферное устройство: unbuffered
Форм -фактор: DIMM Удержание данных: Сохраняет данные до тех пор, пока подается питание
Время доступа: Обычно от 5 нс до 20 нс Интерфейс: Асинхронные или синхронные
ROHS: Согласие Латентность CAS: CL17
Универсальная упаковка: LBGA-64 Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Проверка погрешностей: Паритет Организация: 32кх 8
Рабочее напряжение: 1,8 В до 5 В.
Выделить:

Чип DRAM емкостью 4 ГБ

,

Скорость 800 МГц DDR3 SDRAM

,

Модуль памяти упаковки BGA-96

ДИНАМИЧЕСКИЙ РАНДОМНЫЙ ПРИВОД ПАМЕРИ DRAM IS43TR16256BL-125KBLI 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ ПАРАЛЕЛЬНЫЙ 16-битный BGA-96

IS43/46TR16256B, IS43/46TR16256BL, IS43/46TR85120B, IS43/46TR85120BLИнтегрированное кремниевое решение, 512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

СТРАНИЦЫ
  • Стандартное напряжение: VDD и VDDQ = 1,5V ± 0,075V
  • Низкое напряжение (L): VDD и VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V - обратная совместимость до 1,5V
  • Высокоскоростные скорости передачи данных с системной частотой до 1066 MHz
  • 8 внутренних банков для одновременной работы
  • Архитектура 8n-битного предварительного поиска
  • Программируемая задержка CAS
  • Программируемая аддитивная задержка: 0, CL-1, CL-2
  • Программируемая задержка записи CAS (CWL) на основе tCK
  • Програмируемая длина взрыва: 4 и 8
  • Программируемая последовательность взрывов: последовательная или интерлевная
  • BL переключатель на лету
  • Автоматическое обновление (ASR)
  • Температура самообновления (SRT)
  • Интервал обновления:70,8 мкс (8192 цикла/64 мс) Tc= -40°C до 85°C3,9 мкс (8192 цикла/32 мс) Tc= 85°C до 105°C
  • Частичный массив самообновление
  • Асинхронный кнопку RESET
  • TDQS (Termination Data Strobe) поддерживается (только x8)
  • OCD (регулирование импеданса драйвера вне чипа)
  • Динамическая ODT (окончательное устройство)
  • Сила драйвера: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
  • Написать выравнивание
  • До 200 МГц в режиме выключения DLL
  • Рабочая температура: Коммерческая (TC = 0°C до +95°C) Промышленная (TC = -40°C до +95°C) Автомобильная, A1 (TC = -40°C до +95°C) Автомобильная, A2 (TC = -40°C до +105°C) Автомобильная,A25 (TC = -40°C до +115°C) Автомобильные, A3 (TC = -40°C до +125°C) 1,95 мкс (8192 цикла/16 мс) Tc= 105°C до 115°C 0,97 мкс (8192 цикла/8 мс) Tc= 115°C до 125°C
Адресная таблица
Параметр 512Mx8 256Mx16
Адрес строки A0-A15 A0-A14
Адрес колонки A0-A9 A0-A9
Адрес банка BA0-2 BA0-2
Размер страницы 1KB 2KB
Автоматическое адресование предварительного заряда A10/AP A10/AP
BL переключатель на лету A12/BC# A12/BC#
ОПЦИОНЫ
  • Конфигурация: 512Mx8, 256Mx16
  • Пакет:96-кулевой BGA (9mm x 13mm) для x1678-кулевой BGA (8mm x 10,5mm) для x8

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ ПАРАЛЕЛЬНЫЙ 16-битный BGA-96 0

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ ПАРАЛЕЛЬНЫЙ 16-битный BGA-96 1

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ ПАРАЛЕЛЬНЫЙ 16-битный BGA-96 2

тег:

чип SRAM,

чип памяти SRAM,

встроенный SRAM

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: 18824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
256Kbit TSOP-28 SRAM Чип статическая память случайного доступа CY62256NLL-55ZXIT

256Kbit TSOP-28 SRAM Чип статическая память случайного доступа CY62256NLL-55ZXIT

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 256 кбит

Организация:: 32 к х 8
Статическая 8-мегабитная микросхема SRAM COMS с произвольным доступом CY7C1051DV33-10ZSXIT

Статическая 8-мегабитная микросхема SRAM COMS с произвольным доступом CY7C1051DV33-10ZSXIT

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 8 Mbit

Организация:: 512 к x 16
Микросхема SRAM 512k X 16 IS62WV51216BLL-55TLI CMOS, низкое напряжение

Микросхема SRAM 512k X 16 IS62WV51216BLL-55TLI CMOS, низкое напряжение

Каталог продукта: Память > Память статического случайного доступа (SRAM)

Универсальная упаковка: TSOP-44

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
1Мбит COMS Sram Memory Chip Статическая память случайного доступа CY7C1019DV33-10VXI

1Мбит COMS Sram Memory Chip Статическая память случайного доступа CY7C1019DV33-10VXI

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 1 Mbit

Организация:: 128 к × 8
18Mbit Статическая SRAM микросхема 6.5 нс COMS CY7C1381KV33-133AXI

18Mbit Статическая SRAM микросхема 6.5 нс COMS CY7C1381KV33-133AXI

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 18 Мбит

Организация:: 512 к х 36
около

Блок микроконтроллера MCU

UART SPI MCU Микроконтроллер Arm Cortex-A35 Микропроцессорный чип MA35D16F887C

Atmel 8-разрядный микроконтроллер (MCU) с памятью Flash 16-32 Кбайт, программируемой ATMEGA168PA-AU

128kB 8-битный микроконтроллер MCU AVR Core Microcomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Полевое программируемое устройство Логический массив

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip (Чип с программируемым полевым массивом)

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld чипы Программируемые логические чипы 85000LE

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив) поставщик. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.