IS43TR16256BL-125KBLI ডায়নামিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি ড্রাম 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ সমান্তরাল 16-বিট BGA-96

Name: IS43TR16256BL-125KBLI ডায়নামিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি ড্রাম 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ সমান্তরাল 16-বিট BGA-96
Brand: Shenzhen Filetti Technology Co., LTD
SKU: IS43TR16256BL-125KBLI
Availability: InStock

সব পণ্য

এফপিজিএ ফিল্ড প্রোগ্রামযোগ্য গেট অ্যারে
(24)

MCU মাইক্রোকন্ট্রোলার ইউনিট
(37)

চিপে SOC সিস্টেম
(11)

এমপিইউ আইসি
(11)

CPLD PLD
(9)

ইনফ্রারেড তাপীয় ডিটেক্টর
(2)

ডিএসপি আইসি চিপ
(12)

ডিআরএএম মেমরি চিপ
(12)

EEPROM চিপ
(10)

পিএসআরএএম চিপ
(5)

SRAM চিপ
(17)

বা ফ্ল্যাশ
(16)

ইপিআরওএম আইসি
(7)

UART IC
(8)

এডিসি ডিএসি
(8)

আরএফ ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট
(10)

লিথিয়াম আয়ন ব্যাটারি
(22)

পিএলসি প্রোগ্রামিং
(14)

জিপিএস মডিউল
(9)

রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি মডিউল
(9)

শক্তি পরিমাপের প্রমাণ
(11)

সলিড স্টেট রিলে
(11)

যোগাযোগ অ্যান্টেনা
(3)

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

IS43TR16256BL-125KBLI ডায়নামিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি ড্রাম 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ সমান্তরাল 16-বিট BGA-96

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96

বড় ইমেজ : IS43TR16256BL-125KBLI ডায়নামিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি ড্রাম 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ সমান্তরাল 16-বিট BGA-96

পণ্যের বিবরণ:

উৎপত্তি স্থল:	Twn
পরিচিতিমুলক নাম:	ISSI
সাক্ষ্যদান:	ROSH
মডেল নম্বার:	IS43TR16256BL-125KBLI
নথি:	C1349408_C28B7EA490C7FA8CAF...01.pdf

প্রদান:

ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ:	1
প্যাকেজিং বিবরণ:	টি/আর
ডেলিভারি সময়:	5-8দিন
পরিশোধের শর্ত:	ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, টি/টি
যোগানের ক্ষমতা:	10000

যোগাযোগ এখন চ্যাট করুন

IS43TR16256BL-125KBLI ডায়নামিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি ড্রাম 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ সমান্তরাল 16-বিট BGA-96

বিবরণ

অপারেটিং ভোল্টেজ পরিসীমা:	1.14V থেকে 1.26V	ডেটা হার:	2400 এমটি/এস
প্যাকেজিং পদ্ধতি:	বোনা টেপ	বাফারিং:	আনবাফার
ফর্ম ফ্যাক্টর:	ডিআইএমএম	ডেটা ধরে রাখা:	যতক্ষণ শক্তি সরবরাহ করা হয় ততক্ষণ ডেটা ধরে রাখে
অ্যাক্সেস সময়:	সাধারণত 5ns থেকে 20ns	ইন্টারফেস:	অ্যাসিঙ্ক্রোনাস বা সিঙ্ক্রোনাস
ROHS:	সম্মতি	CAS লেটেন্সি:	Cl17
ইউনিভার্সাল প্যাকেজিং:	LBGA-64	ইনস্টলেশন পদ্ধতি:	সারফেস মাউন্ট ইনস্টলেশন
ত্রুটি পরীক্ষা:	সমতা	সংগঠন:	32 kx 8
অপারেটিং ভোল্টেজ:	1.8V থেকে 5V
বিশেষভাবে তুলে ধরা:	৪ জিবি ক্যাপাসিটি DRAM চিপ , ৮০০ মেগাহার্টজ স্পিড ডিডিআর৩ এসডিআরএএম , BGA-96 প্যাকেজিং মেমোরি মডিউল

ডায়নামিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমোরি DRAM IS43TR16256BL-125KBLI 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ সমান্তরাল 16-বিট BGA-96

IS43/46TR16256B, IS43/46TR16256BL,IS43/46TR85120B, IS43/46TR85120BLইন্টিগ্রেটেড সিলিকন সলিউশন, 512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

বৈশিষ্ট্য

স্ট্যান্ডার্ড ভোল্টেজঃ VDD এবং VDDQ = 1.5V ± 0.075V
নিম্ন ভোল্টেজ (এল): ভিডিডি এবং ভিডিডিকিউ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - 1.5V-এ পিছনে সামঞ্জস্যপূর্ণ
১০৬৬ মেগাহার্টজ পর্যন্ত সিস্টেম ফ্রিকোয়েন্সিতে উচ্চ গতির ডেটা ট্রান্সফার রেট
অভ্যন্তরীণ ব্যাংক 8
8n-বিট প্রাক-ফ্যাচ আর্কিটেকচার
প্রোগ্রামযোগ্য সিএএস লেটেন্সি
প্রোগ্রামযোগ্য অ্যাডিটিভ লেটেন্সিঃ 0, CL-1, CL-2
tCK এর উপর ভিত্তি করে প্রোগ্রামযোগ্য CAS WRITE বিলম্ব (CWL)
প্রোগ্রামযোগ্য স্টার্টের দৈর্ঘ্যঃ ৪ এবং ৮
প্রোগ্রামযোগ্য বার্স্ট সিকোয়েন্সঃ সিকোয়েন্সিয়াল বা ইন্টারলেভ
ফ্লাইতে BL সুইচ
অটো স্বয়ংক্রিয় রিফ্রেশ ((ASR)
স্ব-পুনর্নবীকরণ তাপমাত্রা (SRT)
রিফ্রেশ সময়কালঃ7.8 μs (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C থেকে 85°C3.9 μs (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C থেকে 105°C
আংশিক অ্যারে স্ব-উদ্দীপনা
অ্যাসিনক্রোন রিসেট পিন
TDQS (Termination Data Strobe) সমর্থিত (শুধুমাত্র x8)
OCD (অফ-চিপ ড্রাইভার প্রতিরোধের সমন্বয়)
ডায়নামিক ওডিটি (অন-ডাই-টার্মিনেশন)
ড্রাইভারের শক্তিঃ RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
লেভেলিং লিখুন
ডিএলএল অফ মোডে ২০০ মেগাহার্টজ পর্যন্ত
অপারেটিং তাপমাত্রাঃবাণিজ্যিক (TC = 0°C থেকে +95°C) শিল্প (TC = -40°C থেকে +95°C) অটোমোটিভ, A1 (TC = -40°C থেকে +95°C) অটোমোটিভ, A2 (TC = -40°C থেকে +105°C) অটোমোটিভ,A25 (TC = -40°C থেকে +115°C) অটোমোটিভ, A3 (TC = -40°C থেকে +125°C) 1.95 μs (8192 চক্র/16 ms) Tc= 105°C থেকে 115°C 0.97 μs (8192 চক্র/8 ms) Tc= 115°C থেকে 125°C

ঠিকানা টেবিল

প্যারামিটার	৫১২ এমএক্স৮	256Mx16
সারি ঠিকানা	A0-A15	A0-A14
কলামের ঠিকানা	A0-A9	A0-A9
ব্যাংকের ঠিকানা	BA0-2	BA0-2
পৃষ্ঠার আকার	১ কেবি	২ কেবি
অটো প্রিচার্জ অ্যাড্রেসিং	A10/AP	A10/AP
ফ্লাইতে BL সুইচ	A12/BC#	A12/BC#

অপশন

কনফিগারেশনঃ 512Mx8, 256Mx16
প্যাকেজঃ x1678 এর জন্য 96 বল BGA (9mm x 13mm) -বল BGA (8mm x 10.5mm) x8 এর জন্য

IS43TR16256BL-125KBLI ডায়নামিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি ড্রাম 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ সমান্তরাল 16-বিট BGA-96 0

IS43TR16256BL-125KBLI ডায়নামিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি ড্রাম 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ সমান্তরাল 16-বিট BGA-96 1

IS43TR16256BL-125KBLI ডায়নামিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি ড্রাম 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ সমান্তরাল 16-বিট BGA-96 2

ট্যাগ:

ব্যক্তি যোগাযোগ: Mr. Sun

টেল: 18824255380

অন্যান্য পণ্যসমূহ

256Kবিট TSOP-28 SRAM চিপ স্ট্যাটিক র‍্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি CY62256NLL-55ZXIT

প্রস্তুতকারক:: INFINEON

পণ্য তালিকা:: এসআরএএম

মেমরি সাইজ:: 256 কিবিট

সংগঠন:: 32 kx 8

স্ট্যাটিক 8 এমবিট চিপ Sram COMS র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি CY7C1051DV33-10ZSXIT

প্রস্তুতকারক:: INFINEON

পণ্য তালিকা:: এসআরএএম

মেমরি সাইজ:: 8 Mbit

সংগঠন:: 512 কেএক্স 16

512k X 16 SRAM চিপ IS62WV51216BLL-55TLI CMOS নিম্ন ভোল্টেজ

পণ্য ক্যাটালগ: মেমরি> স্ট্যাটিক এলোমেলো অ্যাক্সেস মেমরি (এসআরএএম)

ইউনিভার্সাল প্যাকেজিং: TSOP-44

RoHS: কমপ্লায়েন্স

ইনস্টলেশন পদ্ধতি: সারফেস মাউন্ট ইনস্টলেশন

১ এমবিট সিওএমএস এসআরএম মেমরি চিপ স্ট্যাটিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি সিওয়াই৭সি১০১৯ডিভি৩৩-১০ভিএক্সআই

প্রস্তুতকারক:: INFINEON

পণ্য তালিকা:: এসআরএএম

মেমরি সাইজ:: 1 Mbit

সংগঠন:: 128 kx 8

18Mবিট স্ট্যাটিক SRAM চিপ 6.5 Ns COMS CY7C1381KV33-133AXI

প্রস্তুতকারক:: INFINEON

পণ্য তালিকা:: এসআরএএম

মেমরি সাইজ:: 18 Mbit

সংগঠন:: 512 kx 36

IS43TR16256BL-125KBLI ডায়নামিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি ড্রাম 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ সমান্তরাল 16-বিট BGA-96

IS43TR16256BL-125KBLI ডায়নামিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি ড্রাম 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ সমান্তরাল 16-বিট BGA-96

IS43TR16256BL-125KBLI ডায়নামিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি ড্রাম 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ সমান্তরাল 16-বিট BGA-96

৪ জিবি ক্যাপাসিটি DRAM চিপ

৮০০ মেগাহার্টজ স্পিড ডিডিআর৩ এসডিআরএএম

BGA-96 প্যাকেজিং মেমোরি মডিউল

চিপ এসআরএএম,

এসআরএএম মেমরি চিপ,