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IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALÉL 16-bit BGA-96 El número de bits de la memoria de acceso aleatorio es el siguiente:

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IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALÉL 16-bit BGA-96 El número de bits de la memoria de acceso aleatorio es el siguiente:

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96
IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96

Ampliación de imagen :  IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALÉL 16-bit BGA-96 El número de bits de la memoria de acceso aleatorio es el siguiente:

Datos del producto:
Lugar de origen: El TWN
Nombre de la marca: ISSI
Certificación: ROSH
Número de modelo: Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías
Documento: C1349408_C28B7EA490C7FA8CAF...01.pdf
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Detalles de empaquetado: T/R
Tiempo de entrega: 5-8 DÍAS
Condiciones de pago: Unión Occidental, T/T
Capacidad de la fuente: 10000
Contacto Ahora Charle

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALÉL 16-bit BGA-96 El número de bits de la memoria de acceso aleatorio es el siguiente:

descripción
Rango de voltaje de funcionamiento: 1.14V a 1.26V Tarifa de datos: 2400 MT/s
Método de embalaje: Cinta tejida El buffer: inseparado
Factor de forma: DIMM Retención de datos: Conserva los datos mientras se suministre energía.
Tiempo de acceso: Normalmente de 5 ns a 20 ns Interfaz: Las partidas de las máquinas y aparatos de ensamblaje
ROHS: Cumplimiento CAS Latency: CL17
Embalaje universal: LBGA-64 Método de instalación: Instalación de montaje en superficie
Comprobación de errores: Paridad Organización: 32 kx 8
Tensión de funcionamiento: 1.8V a 5V
Resaltar:

Chip DRAM de capacidad de 4 GB

,

Velocidad de 800 MHz DDR3 SDRAM

,

Modulo de memoria de embalaje BGA-96

DINÁMICO ACESO AL CASO RAM DRAM IS43TR16256BL-125KBLI 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ paralelo 16 bits BGA-96

IS43/46TR16256B, IS43/46TR16256BL, IS43/46TR85120B, IS43/46TR85120BLSolución integrada de silicio, 512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

Características
  • La tensión estándar: VDD y VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
  • Bajo voltaje (L): VDD y VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V - compatibles con el pasado hasta 1,5V
  • Las velocidades de transferencia de datos de alta velocidad con frecuencia de sistema de hasta 1066 MHz
  • 8 bancos internos para operaciones simultáneas
  • Arquitectura de pre-recuperación de 8n-bit
  • La latencia del CAS programable
  • La latencia aditiva programable es de 0, CL-1, CL-2
  • La latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
  • Duración de ráfaga programable: 4 y 8
  • Secuencia de explosión programable: secuencial o interleave
  • Interruptor de BL en el vuelo
  • Auto Actualización (ASR)
  • Temperatura de auto-refresco (SRT)
  • Intervalo de actualización:7.8 μs (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C3.9 μs (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
  • Auto-refresco de la matriz parcial
  • Pin de reinicio asíncrono
  • TDQS (Termination Data Strobe) soportado (sólo x8)
  • OCD (ajuste de la impedancia del controlador fuera del chip)
  • La ODT dinámica (terminación a medida)
  • Fuerza del conductor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
  • Escribir nivelación
  • Hasta 200 MHz en modo DLL apagado
  • Temperatura de funcionamiento: Comercial (TC = 0°C a +95°C) Industrial (TC = -40°C a +95°C) Automotriz, A1 (TC = -40°C a +95°C) Automotriz, A2 (TC = -40°C a +105°C) Automotriz,A25 (TC = -40°C a +115°C) Automóvil, A3 (TC = -40°C a +125°C) 1,95 μs (8192 ciclos/16 ms) Tc= 105°C a 115°C 0,97 μs (8192 ciclos/8 ms) Tc= 115°C a 125°C
Cuadro de direcciones
Parámetro 512Mx8 256Mx16
Dirección de fila A0 a A15 A0 a A14
Dirección de columna A0 a A9 A0 a A9
Dirección bancaria BA0-2 BA0-2
Tamaño de la página 1KB 2KB
Dirección de precarga automática A10/AP A10/AP
Interruptor de BL en el vuelo A12/BC# A12/BC#
Las opciones
  • Configuración: 512Mx8, 256Mx16
  • Paquete: BGA de 96 bolas (9 mm x 13 mm) para x1678-bola BGA (8 mm x 10,5 mm) para x8

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALÉL 16-bit BGA-96 El número de bits de la memoria de acceso aleatorio es el siguiente: 0

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALÉL 16-bit BGA-96 El número de bits de la memoria de acceso aleatorio es el siguiente: 1

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALÉL 16-bit BGA-96 El número de bits de la memoria de acceso aleatorio es el siguiente: 2

etiqueta:

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