Rozmawiaj teraz. |
Dom ProduktyChip SRAM

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMICZNA POMÓŻNA PRZYJEDNIKOWA DRAMA 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Równoległy 16-bitowy BGA-96

Wszystkie produkty

FPGA Field Programmable Gate Array

(24)

Jednostka mikrokontrolera MCU

(37)

System SOC na chipie

(11)

Układ scalony MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

Detektor termiczny w podczerwieni

(2)

Układ scalony DSP

(12)

Układ pamięci DRAM

(12)

Chip EEPROM

(10)

Chip PSRAM

(5)

Chip SRAM

(17)

Błysk NOR

(16)

Układ scalony EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(8)

Obwody zintegrowane RF

(10)

Bateria litowo-jonowa

(22)

Programowanie sterowników PLC

(14)

Moduł GPS

(9)

Moduł częstotliwości radiowych

(9)

Moduł zasilania

(11)

Przekaźnik półprzewodnikowy

(11)

Antena komunikacyjna

(3)
Im Online Czat teraz

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMICZNA POMÓŻNA PRZYJEDNIKOWA DRAMA 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Równoległy 16-bitowy BGA-96

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96
IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96

Duży Obraz :  IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMICZNA POMÓŻNA PRZYJEDNIKOWA DRAMA 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Równoległy 16-bitowy BGA-96

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: Twn
Nazwa handlowa: ISSI
Orzecznictwo: ROSH
Numer modelu: IS43TR16256BL-125KBLI
Dokument: C1349408_C28B7EA490C7FA8CAF...01.pdf
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 1
Szczegóły pakowania: T/R
Czas dostawy: 5-8 DZIEŃ
Zasady płatności: Western Union, T/T
Możliwość Supply: 10000
Kontakt Rozmawiaj teraz.

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMICZNA POMÓŻNA PRZYJEDNIKOWA DRAMA 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Równoległy 16-bitowy BGA-96

Opis
Zakres napięcia roboczego: 1,14 V do 1,26 V. Szybkość transmisji danych: 2400 mt/s
Metoda pakowania: Taśma tkana buforowanie: niebuforowane
Forma: DIMM Zatrzymanie danych: Zachowuje dane tak długo, jak długo jest dostarczane zasilanie
Czas dostępu: Zwykle od 5 ns do 20 ns Interfejs: Asynchroniczny lub synchroniczny
ROHS: Zgodność Opóźnienie CAS: CL17
Powszechne opakowanie: LBGA-64 Metoda instalacji: Montaż powierzchniowy
Sprawdzanie błędów: Parytet Organizacja: 32 kx 8
Napięcie robocze: 1,8 V do 5 V
Podkreślić:

Chip DRAM o pojemności 4 GB

,

Prędkość 800 MHz DDR3 SDRAM

,

Moduł pamięci opakowaniowej BGA-96

DYNAMICZNA POMÓŻNA PRZYJĄTKOWA DRAMA IS43TR16256BL-125KBLI 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Równoległy 16-bitowy BGA-96

IS43/46TR16256B, IS43/46TR16256BL, IS43/46TR85120B, IS43/46TR85120BLIntegrowane rozwiązanie krzemowe, 512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

Wykorzystanie
  • napięcie standardowe: VDD i VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
  • Niskie napięcie (L): VDD i VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V - Kompatybilne z tyłu do 1,5V
  • Wysokiej prędkości przenoszenia danych z częstotliwością systemu do 1066 MHz
  • 8 banków wewnętrznych do jednoczesnej operacji
  • Architektura 8n-bit pre-fetch
  • Programuje się opóźnienie CAS
  • Zaprogramowana dodatnia opóźnienie: 0, CL-1, CL-2
  • Programatyczna opóźnienie w pisaniu CAS (CWL) oparte na tCK
  • Programatyczna długość wybuchu: 4 i 8
  • Programowalna sekwencja wybuchu: sekwencyjna lub interleave
  • Przełącznik BL w ruchu
  • Automatyczne odświeżenie (ASR)
  • Temperatura samoodświeżania (SRT)
  • Interwał odświeżania:70,8 μs (8192 cykli/64 ms) Tc= -40°C do 85°C3,9 μs (8192 cykli/32 ms) Tc= 85°C do 105°C
  • Częściowy Array Self Refresh
  • Asynchroniczny pin RESET
  • TDQS (Termination Data Strobe) obsługiwany (tylko x8)
  • OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
  • Dynamiczna ODT (On-Die Termination)
  • Siła sterownika: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
  • Napisać wyrównanie
  • Do 200 MHz w trybie wyłączonym DLL
  • Temperatura pracy:Komercyjna (TC = 0°C do +95°C)Przemysłowa (TC = -40°C do +95°C)Automatyczna, A1 (TC = -40°C do +95°C)Automatyczna, A2 (TC = -40°C do +105°C)Automatyczna,A25 (TC = -40°C do +115°C), A3 (TC = -40°C do +125°C) 1,95 μs (8192 cykli/16 ms) Tc= 105°C do 115°C0,97 μs (8192 cykli/8 ms) Tc= 115°C do 125°C
TABELA ADRESOWA
Parametry 512Mx8 256Mx16
Adresowanie wiersza A0-A15 A0-A14
Adres kolumny A0-A9 A0-A9
Adres bankowy BA0-2 BA0-2
Wielkość strony 1KB 2KB
Automatyczne adresowanie przedładowania A10/AP A10/AP
Przełącznik BL w ruchu A12/BC# A12/BC#
Optywacje
  • Konfiguracja: 512Mx8, 256Mx16
  • Opakowanie: 96-kulaty BGA (9mm x 13mm) dla x1678-kulaty BGA (8mm x 10,5mm) dla x8

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMICZNA POMÓŻNA PRZYJEDNIKOWA DRAMA 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Równoległy 16-bitowy BGA-96 0

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMICZNA POMÓŻNA PRZYJEDNIKOWA DRAMA 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Równoległy 16-bitowy BGA-96 1

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMICZNA POMÓŻNA PRZYJEDNIKOWA DRAMA 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Równoległy 16-bitowy BGA-96 2

Etykietka:

uszkodzenie odłamkiem,

chip pamięci sram,

na szczypie

Szczegóły kontaktu
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Osoba kontaktowa: Mr. Sun

Tel: 18824255380

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

O

Jednostka mikrokontrolera MCU

UART SPI MCU Microcontroller Arm Cortex-A35 Microprocessor Chip MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU Mikrokontroler Jednostka 16 32KBytes Programowalny Flash ATMEGA168PA-AU

128kB 8bit MCU Mikrokontroler AVR Core Mikrokomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Pole programowalne urządzenie Array logiczne

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O macierz bramki polowej programowalny układ logiczny tablicy

XC7Z020-2CLG484I 2 x 32 KB chipy Cpld Programowalne układy logiczne 85000LE

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość FPGA Field Programmable Gate Array dostawca. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.