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IS43TR16256BL-125KBLI ダイナミックランダムアクセス メモリー DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ パラレル 16-ビット BGA-96

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IS43TR16256BL-125KBLI ダイナミックランダムアクセス メモリー DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ パラレル 16-ビット BGA-96

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96
IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96

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商品の詳細:
起源の場所: TWN
ブランド名: ISSI
証明: ROSH
モデル番号: IS43TR16256BL-125KBLI
ドキュメント: C1349408_C28B7EA490C7FA8CAF...01.pdf
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
パッケージの詳細: T/R
受渡し時間: 5～8日
支払条件: ウェスタンユニオン、T/T
供給の能力: 10000
連絡先 今雑談しなさい

IS43TR16256BL-125KBLI ダイナミックランダムアクセス メモリー DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ パラレル 16-ビット BGA-96

説明
動作電圧範囲: 1.14V〜1.26V データレート: 2400 MT/s
パッケージング方法: 編まれたテープ バッファリング: unbuffered
フォームファクター: DIMM データ保持: 電力が供給されている限りデータを保持
アクセス時間: 通常は 5ns ～ 20ns インタフェース: アシンクロンまたはシンクロン
ROHS: コンプライアンス CASの潜伏: CL17
ユニバーサルパッケージ: LBGA-64 設置方法: 表面実装のインストール
エラー チェック: パリティ 組織: 32k×8
動作電圧: 1.8V〜5V
ハイライト:

4GB 容量 DRAM チップ

,

800MHz スピード DDR3 SDRAM

,

BGA-96 パッケージメモリモジュール

DYNAMIC RANDOM ACCESS メモリー DRAM IS43TR16256BL-125KBLI 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ パラレル 16ビット BGA-96

IS43/46TR16256B,IS43/46TR16256BL,IS43/46TR85120B,IS43/46TR85120BL統合シリコンソリューション,512Mx8,256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

特徴
  • 標準電圧:VDDとVDDQ = 1.5V ± 0.075V
  • 低電圧 (L): VDD と VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - 1.5V に逆対応
  • 高速データ転送速度 1066 MHz までシステム周波数
  • 8つの内部バンクで同時運用
  • 8n-Bit プリフェッチ アーキテクチャ
  • プログラム可能なCAS遅延
  • プログラム可能な添加遅延: 0 CL-1,CL-2
  • プログラム可能な CAS WRITE レイテンシー (CWL),tCK をベースに
  • プログラム可能な爆発長: 4 と 8
  • プログラム可能なバーストシーケンス:シーケンスまたはインターリーブ
  • BL スイッチを即座に
  • 自動自動更新 (ASR)
  • 自動リフレッシュ温度 (SRT)
  • 更新間隔:7.8 μs (8192サイクル/64 ms) Tc=-40°Cから85°C3.9 μs (8192サイクル/32 ms) Tc=85°Cから105°C
  • 部分配列 自己更新
  • アシンクロンRESETピン
  • TDQS (Termination Data Strobe) がサポートされている (x8のみ)
  • OCD (オフチップドライバ阻害調整)
  • ダイナミックODT (オン・ダイ・ターミネーション)
  • ドライバ強度: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
  • レベルアップを書く
  • DLLオフモードで200MHzまで
  • 動作温度:商業用 (TC = 0°Cから +95°C) 産業用 (TC = -40°Cから +95°C) 自動車用,A1 (TC = -40°Cから +95°C) 自動車用,A2 (TC = -40°Cから +105°C) 自動車用,A25 (TC=-40°Cから+115°C) 自動車A3 (TC=-40°Cから+125°C) 1.95 μs (8192サイクル/16 ms) Tc=105°Cから115°C0.97 μs (8192サイクル/8 ms) Tc=115°Cから125°C
アドレス表
パラメータ 512Mx8 256Mx16
行アドレス A0-A15 A0-A14
列のアドレス A0-A9 A0-A9
銀行アドレス BA0-2 BA0-2
ページサイズ 1KB 2KB
自動プレチャージアドレス A10/AP A10/AP
BL スイッチを即座に A12/BC# A12/BC#
オプション
  • コンフィギュレーション: 512Mx8, 256Mx16
  • パッケージ:96ボール BGA (9mm x 13mm) x1678ボール BGA (8mm x 10.5mm) x8

IS43TR16256BL-125KBLI ダイナミックランダムアクセス メモリー DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ パラレル 16-ビット BGA-96 0

IS43TR16256BL-125KBLI ダイナミックランダムアクセス メモリー DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ パラレル 16-ビット BGA-96 1

IS43TR16256BL-125KBLI ダイナミックランダムアクセス メモリー DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ パラレル 16-ビット BGA-96 2

タグ:

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コンタクトパーソン: Mr. Sun

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