Συνομιλία τώρα |
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤσιπ SRAM

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Παράλληλο 16-bit BGA-96

Όλα τα Προϊόντα

Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA

(24)

Μονάδα μικροελεγκτών MCU

(37)

Σύστημα SOC σε τσιπ

(11)

MPU IC

(11)

ΚΑΠΚΑΠΚΑ

(9)

Ανιχνευτής θερμότητας υπέρυθρου

(2)

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος DSP

(12)

Τσιπ μνήμης DRAM

(12)

eeprom τσιπ

(10)

Τσιπ PSRAM

(5)

Τσιπ SRAM

(17)

Χωρίς φλας

(16)

Κύκλωμα διακόπτη EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(8)

Ενοποιημένα κυκλώματα ραδιοκυμάτων

(10)

Η μπαταρία ιόντων λιθίου

(22)

Προγραμματισμός PLC

(14)

Μονάδα GPS

(9)

Μονάδα ραδιοσυχνοτήτων

(9)

Μονάδα ισχύος

(11)

Στερεάς κατάστασης ηλεκτρονόμος

(11)

Κεραία επικοινωνίας

(3)
Είμαι Online Chat Now

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Παράλληλο 16-bit BGA-96

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96
IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96

Μεγάλες Εικόνας :  IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Παράλληλο 16-bit BGA-96

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: ΔΕΝ
Μάρκα: ISSI
Πιστοποίηση: ROSH
Αριθμό μοντέλου: IS43TR16256BL-125KBLI
Έγγραφο: C1349408_C28B7EA490C7FA8CAF...01.pdf
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Συσκευασία λεπτομέρειες: Τ/Ρ
Χρόνος παράδοσης: 5-8 ΗΜΕΡΕΣ
Όροι πληρωμής: Western Union, T/T
Δυνατότητα προσφοράς: 10000
Επικοινωνία Συνομιλία τώρα

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Παράλληλο 16-bit BGA-96

περιγραφή
Εύρος τάσης λειτουργίας: 1.14V σε 1.26V Ρυθμός δεδομένων: 2400 MT/s
Μέθοδος συσκευασίας: Υφαμένη ταινία Μπουφέρισμα: unbuffered
Σχηματισμός: DIMM Διατήρηση δεδομένων: Διατηρεί δεδομένα για όσο διάστημα παρέχεται ρεύμα
Χρόνος πρόσβασης: Συνήθως 5ns έως 20ns Διασύνδεση: Ασύγχρονα ή συγχρονικά
ROHS: Συμμόρφωση Λανθάνουσα κατάσταση CAS: CL17
Καθολική συσκευασία: Lbga-64 Μέθοδος Εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
Έλεγχος λάθους: Ισοτιμία Οργάνωση: 32 kx 8
Τάση λειτουργίας: 1,8V έως 5V
Επισημαίνω:

Τσιπ DRAM χωρητικότητας 4GB

,

800MHz ταχύτητα DDR3 SDRAM

,

Μονάδα μνήμης συσκευασίας BGA-96

ΔΙΝΑΜΙΚΗ ΑΝΤΙΜΑΤΙΚΗ ΑΠΟΔΟΜΗ ΜΕΜΕΡΙΑ DRAM IS43TR16256BL-125KBLI 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Παράλληλο 16-bit BGA-96

IS43/46TR16256B, IS43/46TR16256BL, IS43/46TR85120B, IS43/46TR85120BLΕνοποιημένη λύση πυριτίου, 512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

Ειδικά χαρακτηριστικά
  • Τυπική τάση: VDD και VDDQ = 1,5V ± 0,075V
  • Χαμηλή τάση (L): VDD και VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V - Αντίστροφη συμβατότητα με 1,5V
  • Ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων υψηλής ταχύτητας με συχνότητα συστήματος έως 1066 MHz
  • 8 εσωτερικές τράπεζες για ταυτόχρονη λειτουργία
  • Αρχιτεκτονική 8n-Bit προ-αναζήτησης
  • Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS
  • Προγραμματισμένη πρόσθετη καθυστέρηση: 0, CL-1, CL-2
  • Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS WRITE (CWL) με βάση το tCK
  • Προγραμματιζόμενο μήκος εκρήξεως: 4 και 8
  • Προγραμματιζόμενη ακολουθία εκρήξεως: ακολουθική ή διαλειμματική
  • Επικοινωνία με το BL
  • Αυτόματη ανανέωση (ASR)
  • Θερμοκρασία αυτοανανέωσης (SRT)
  • Διαστήμα ανανέωσης:7.8 μs (8192 κύκλοι/64 ms) Tc= -40°C έως 85°C3.9 μs (8192 κύκλοι/32 ms) Tc= 85°C έως 105°C
  • Εξαρτήματα
  • Ασύγχρονη καρφίτσα επαναφοράς
  • Υποστηρίζεται το TDQS (Termination Data Strobe) (μόνο x8)
  • OCD (προσαρμογή αντίστασης οδήγησης εκτός τσιπ)
  • Δυναμική ODT (Σταματισμός κατά την κατασκευή)
  • Δύναμη οδήγησης: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
  • Γράψτε ισοπέδωση
  • Μέχρι 200MHz σε λειτουργία DLL εκτός
  • Θερμοκρασία λειτουργίας:Εμπορική (TC = 0°C έως +95°C) Βιομηχανική (TC = -40°C έως +95°C) Αυτοκινητοβιομηχανική, Α1 (TC = -40°C έως +95°C) Αυτοκινητοβιομηχανική, Α2 (TC = -40°C έως +105°C) Αυτοκινητοβιομηχανική,Α25 (TC = -40°C έως +115°C) Αυτοκίνητο, Α3 (TC = -40°C έως +125°C) 1,95 μs (8192 κύκλοι/16 ms) Tc= 105°C έως 115°C 0,97 μs (8192 κύκλοι/8 ms) Tc= 115°C έως 125°C
ΔΙΑΛΗΣΗ ΤΑΠΟΥ
Παράμετρος 512Mx8 256Mx16
Διεύθυνση γραμμής Α0-Α15 Α0-Α14
Διεύθυνση στήλης Α0-Α9 Α0-Α9
Τραπεζική διεύθυνση BA0-2 BA0-2
Μέγεθος σελίδας 1KB 2KB
Επικοινωνία αυτοματοποιημένης προφόρτισης Α10/AP Α10/AP
Επικοινωνία με το BL A12/BC# A12/BC#
ΔΙΚΑΛΙΣΜΟΙ
  • Διαμόρφωση: 512Mx8, 256Mx16
  • Πακέτο:96-ball BGA (9mm x 13mm) για x1678-ball BGA (8mm x 10,5mm) για x8

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Παράλληλο 16-bit BGA-96 0

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Παράλληλο 16-bit BGA-96 1

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ Παράλληλο 16-bit BGA-96 2

ετικέτα:

τσιπ sram,

τσιπ μνήμης sram,

ενσωματωμένο τσιπ sram

Στοιχεία επικοινωνίας
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Sun

Τηλ.:: 18824255380

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

περίπου

Μονάδα μικροελεγκτών MCU

UART SPI MCU Μικροελεγκτής Arm Cortex-A35 Μικροεπεξεργαστής Chip MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU Μονάδα Μικροελεγκτή 16 32KBytes Προγραμματιζόμενο Flash ATMEGA168PA-AU

128kB 8bit MCU Μονάδα Μικροελεγκτή Πυρήνας AVR Chip Μικροϋπολογιστή ATMEGA128A-AU

Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Πεδίο Προγραμματιζόμενη συσκευή Λογική σειρά

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Πύλη πεδίου Τρίχωμα πεδίου Προγραμματιζόμενο Τρίχωμα Λογική συσκευή Τσιπ

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld Chips Programmable Logic Chips 85000LE

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | Κίνα καλός Ποιότητα Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA προμηθευτής. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.