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IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLELLO 16-bit BGA-96

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IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLELLO 16-bit BGA-96

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96
IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96

Grande immagine :  IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLELLO 16-bit BGA-96

Dettagli:
Luogo di origine: TWN
Marca: ISSI
Certificazione: ROSH
Numero di modello: IS43TR16256BL-125KBLI
Documento: C1349408_C28B7EA490C7FA8CAF...01.pdf
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Imballaggi particolari: T/R
Tempi di consegna: 5-8 GIORNI
Termini di pagamento: Western Union, T/T
Capacità di alimentazione: 10000
Contatto Ora chiacchieri

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLELLO 16-bit BGA-96

descrizione
Gamma di tensione operativa: Da 1.14v a 1.26v Velocità dati: 2400 MT/s
Metodo di imballaggio: Nastro tessuto Buffering: non tamponato
Fattore di forma: DIMM Conservazione dei dati: Conserva i dati finché viene fornita alimentazione
Orario di accesso: Tipicamente da 5 ns a 20 ns Interfaccia: di potenza superiore a 20 W
ROHS: Conformità CAS Latency: CL17
Imballaggio universale: LBGA-64 Metodo di installazione: Installazione a montaggio superficiale
Verifica degli errori: Parità Organizzazione: 32 k x 8
Tensione operativa: Da 1.8v a 5v
Evidenziare:

Chip DRAM da 4 GB di capacità

,

800 MHz velocità DDR3 SDRAM

,

Modulo di memoria di imballaggio BGA-96

DINAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM IS43TR16256BL-125KBLI 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLALE 16-bit BGA-96

IS43/46TR16256B, IS43/46TR16256BL, IS43/46TR85120B, IS43/46TR85120BLSoluzione integrata di silicio, 512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

Caratteristiche
  • Tensione standard: VDD e VDDQ = 1,5V ± 0,075V
  • Basso Voltaggio (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V - Compatibile all'indietro a 1,5V
  • Velocità di trasferimento dati ad alta velocità con frequenza di sistema fino a 1066 MHz
  • 8 banche interne per operazioni simultanee
  • Architettura 8n-Bit pre-fetch
  • Programmabile CAS latency
  • Programmabile latenza additiva: 0, CL-1, CL-2
  • La latenza di scrittura CAS programmabile (CWL) basata su tCK
  • Lunghezza di scatto programmabile: 4 e 8
  • Sequenza di scoppio programmabile: sequenziale o interleave
  • Accendi BL in volo
  • Autorefrescamento automatico (ASR)
  • Temperatura di rinfresco automatico (SRT)
  • Intervallo di aggiornamento7.8 μs (8192 cicli/64 ms) Tc= -40°C a 85°C3.9 μs (8192 cicli/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
  • Array parziale auto-refresh
  • Pin di ripristino asincrono
  • TDQS (Termination Data Strobe) supportato (solo x8)
  • OCD (regolamento dell'impedenza del driver off-chip)
  • ODT dinamico (terminazione in fase di lavorazione)
  • Forza del driver: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
  • Scrivere il livellamento
  • Fino a 200 MHz in modalità DLL spenta
  • Temperatura di funzionamento:Commerciale (TC = 0°C a +95°C)Industriale (TC = -40°C a +95°C)Automotive, A1 (TC = -40°C a +95°C)Automotive, A2 (TC = -40°C a +105°C)Automotive,A25 (TC = -40°C a +115°C)Automotive, A3 (TC = -40°C a +125°C) 1,95 μs (8192 cicli/16 ms) Tc= 105°C a 115°C 0,97 μs (8192 cicli/8 ms) Tc= 115°C a 125°C
TABELLA D'ADRESSI
Parametro 512Mx8 256Mx16
Indirizzo della riga A0-A15 A0-A14
Indirizzo della colonna A0-A9 A0-A9
Indirizzo bancario BA0-2 BA0-2
Dimensione della pagina 1KB 2KB
Indirizzo di precarica automatica A10/AP A10/AP
Accendi BL in volo A12/BC# A12/BC#
Opzioni
  • Configurazione: 512Mx8, 256Mx16
  • Pacchetto: BGA a 96 sfere (9 mm x 13 mm) per x1678-BGA a sfera (8 mm x 10,5 mm) per x8

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLELLO 16-bit BGA-96 0

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLELLO 16-bit BGA-96 1

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLELLO 16-bit BGA-96 2

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