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IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 Das Gerät wird von einem anderen Gerät mit einem anderen Gerät ausgestattet.

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IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 Das Gerät wird von einem anderen Gerät mit einem anderen Gerät ausgestattet.

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Produktdetails:
Herkunftsort: TWN
Markenname: ISSI
Zertifizierung: ROSH
Modellnummer: IS43TR16256BL-125KBLI
Dokument: C1349408_C28B7EA490C7FA8CAF...01.pdf
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Verpackung Informationen: T/R
Lieferzeit: 5-8 TAG
Zahlungsbedingungen: Western Union, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000
Kontakt Plaudern Sie Jetzt

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 Das Gerät wird von einem anderen Gerät mit einem anderen Gerät ausgestattet.

Beschreibung
Betriebsspannungsbereich: 1,14 V bis 1,26 V. Datenrate: 2400 MT/s
Verpackungsmethode: Gesponnenes Band Buffern: ungepuffert
Formfaktor: DIMM Datenbindung: Speichert Daten, solange Strom anliegt
Zugriffszeit: Typischerweise 5 ns bis 20 ns Schnittstelle: Asynchrone oder synchrone
ROHS: Einhaltung CAS Latency: CL17
Universelle Verpackung: LBGA-64 Installationsmethode: Oberflächenmontage
Fehlerprüfung: Parität Organisation: 32 kx 8
Betriebsspannung: 1,8 V bis 5 V
Hervorheben:

4 GB Kapazität DRAM Chip

,

800 MHz Geschwindigkeit DDR3 SDRAM

,

BGA-96 Verpackungsspeichermodul

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM IS43TR16256BL-125KBLI 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-Bit BGA-96

IS43/46TR16256B, IS43/46TR16256BL, IS43/46TR85120B, IS43/46TR85120BLIntegrierte Siliziumlösung, 512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

Eigenschaften
  • Standardspannung: VDD und VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
  • Niedrigspannung (L): VDD und VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V - rückwärtskompatibel auf 1,5V
  • Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungsraten mit einer Systemfrequenz bis 1066 MHz
  • 8 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
  • 8n-Bit-Architektur vor dem Abrufen
  • Programmierbare CAS-Latenz
  • Programmierbare Additive Latenz: 0, CL-1, CL-2
  • Programmierbare CAS WRITE-Latenz (CWL) auf Basis von tCK
  • Programmierbare Ausbruchlänge: 4 und 8
  • Programmierbare Burst-Sequenz: Sequential oder Interleave
  • BL-Schalter auf der Flucht
  • Automatische Selbsterneuerung (ASR)
  • Selbstrefresh-Temperatur (SRT)
  • Erneuerungsintervall:7.8 μs (8192 Zyklen/64 ms) Tc= -40°C bis 85°C3.9 μs (8192 Zyklen/32 ms) Tc= 85°C bis 105°C
  • Teil-Array Selbst-Erneuerung
  • Asynchrone Wiederherstellungsstecker
  • TDQS (Termination Data Strobe) unterstützt (nur x8)
  • OCD (Off-Chip-Treiber-Impedanz-Anpassung)
  • Dynamische ODT (On-Die Termination)
  • Die Antriebskraft: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
  • Schreiben von Nivellierung
  • Bis zu 200 MHz im abgeschalteten DLL-Modus
  • Betriebstemperatur:Gewerbliche (TC = 0°C bis +95°C)Industrie (TC = -40°C bis +95°C)Automotive, A1 (TC = -40°C bis +95°C)Automotive, A2 (TC = -40°C bis +105°C)A25 (TC = -40°C bis +115°C), A3 (TC = -40°C bis +125°C) 1,95 μs (8192 Zyklen/16 ms) Tc= 105°C bis 115°C 0,97 μs (8192 Zyklen/8 ms) Tc= 115°C bis 125°C
Adresstabelle
Parameter 512Mx8 256Mx16
Adressierung der Zeile A0-A15 A0-A14
Adressierung der Spalte A0-A9 A0-A9
Bankanschrift BA0-2 BA0-2
Seitengröße 1KB 2KB
Auto-Vorladung Adressierung A10/AP A10/AP
BL-Schalter auf der Flucht A12/BC# A12/BC#
Auswahlmöglichkeiten
  • Konfiguration: 512Mx8, 256Mx16
  • Paket: 96 Kugel BGA (9mm x 13mm) für x1678 Kugel BGA (8mm x 10,5mm) für x8

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Größe und Tag:

Chip-SRAM,

SRAM-Speicherchip,

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Kontaktdaten
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Ansprechpartner: Mr. Sun

Telefon: 18824255380

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