حالا حرف بزن |
خانه محصولاتتراشه SRAM

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ موازی 16 بیت BGA-96

همه محصولات

آرایه دروازه قابل برنامه ریزی FPGA

(24)

واحد میکروکنترلر MCU

(37)

سیستم روی تراشه (SOC)

(11)

IC MPU

(11)

آرایه دروازه منطقی قابل برنامه ریزی

(9)

دتکتور حرارتی مادون قرمز

(2)

تراشه آی سی DSP

(12)

تراشه حافظه DRAM

(12)

تراشه EEPROM

(10)

تراشه PSRAM

(5)

تراشه SRAM

(17)

فلاش NOR

(16)

آی سی ایپرام

(7)

آی‌سی UART

(8)

ADC DAC

(8)

مدارهای یکپارچه RF

(10)

باتری لیتیوم یونی

(22)

برنامه نویسی PLC

(14)

ماژول GPS

(9)

ماژول فرکانس رادیویی

(9)

ماژول برق

(11)

رله حالت جامد

(11)

آنتن ارتباطی

(3)
چت IM آنلاین در حال حاضر

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ موازی 16 بیت BGA-96

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96
IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96

تصویر بزرگ :  IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ موازی 16 بیت BGA-96

جزئیات محصول:
محل منبع: دوتایی
نام تجاری: ISSI
گواهی: ROSH
شماره مدل: IS43TR16256BL-125KBLI
سند: C1349408_C28B7EA490C7FA8CAF...01.pdf
پرداخت:
مقدار حداقل تعداد سفارش: 1
جزئیات بسته بندی: T/R
زمان تحویل: 5-8 روز
شرایط پرداخت: وسترن یونیون، T/T
قابلیت ارائه: 10000
مخاطب حالا حرف بزن

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ موازی 16 بیت BGA-96

شرح
دامنه ولتاژ عملیاتی: 1.14V تا 1.26V نرخ داده: 2400 MT/s
روش بسته بندی: نوار بافته شده بافر کردن: بافر نشده
عامل شکل: DIMM حفظ داده ها: داده ها را تا زمانی که برق تامین می شود حفظ می کند
زمان دسترسی: معمولاً 5 تا 20 ثانیه رابط: ناهمزمان یا همزمان
ROHS: انطباق تأخیر CAS: cl17
بسته بندی جهانی: LBGA-64 روش نصب: نصب سطحی
بررسی خطا: برابری سازمان: 32 کیلو 8
ولتاژ کاری: 1.8 ولت تا 5 ولت
برجسته کردن:

تراشه DRAM ظرفیت 4GB,سرعت ۸۰۰ مگاهرتز DDR3 SDRAM,ماژول حافظه بسته بندی BGA-96

,

800MHz Speed DDR3 SDRAM

,

BGA-96 Packaging Memory Module

حافظه DRAM DYNAMIC RANDOM ACCESS DRAM IS43TR16256BL-125KBLI 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ موازی 16 بیت BGA-96

IS43/46TR16256B، IS43/46TR16256BL، IS43/46TR85120B، IS43/46TR85120BLحلول سیلیکونی یکپارچه، 512Mx8، 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

ویژگی ها
  • ولتاژ استاندارد: VDD و VDDQ = 1.5V ± 0.075V
  • ولتاژ پایین (L): VDD و VDDQ = 1.35V + 0.1V، -0.067V - سازگار با 1.5V
  • نرخ انتقال داده با سرعت بالا با فرکانس سیستم تا 1066 MHz
  • 8 بانک داخلی برای عملیات همزمان
  • معماری 8n-Bit پیش از گرفتن
  • تاخیر CAS قابل برنامه ریزی
  • تاخیر افزوده قابل برنامه ریزی: 0، CL-1، CL-2
  • تاخیر برنامه نویسی CAS WRITE (CWL) بر اساس tCK
  • طول انفجار قابل برنامه ریزی: 4 و 8
  • دنباله انفجار قابل برنامه ریزی: دنباله ای یا Interleave
  • در حال حرکت، کلید BL
  • خودکار خود به روزرسانی ((ASR)
  • دمای خود تازه ((SRT)
  • فاصله ی تازه سازی:7.8 μs (8192 چرخه / 64 ms) Tc= -40°C تا 85°C3.9 μs (8192 چرخه / 32 ms) Tc= 85°C تا 105°C
  • آرایه جزئی خود را تازه کنید
  • پین بازنشستگی نامتعادل
  • TDQS (Termination Data Strobe) پشتیبانی می شود (فقط x8)
  • OCD (تعدیل مقاومت راننده خارج از تراشه)
  • ODT پویا (تکمیل در هنگام حرکت)
  • قدرت راننده: RZQ/7، RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
  • نوشتن سطح بندی
  • تا 200MHz در حالت خاموش DLL
  • دمای کار: تجاری (TC = 0°C تا +95°C) صنعتی (TC = -40°C تا +95°C) اتومبیل A1 (TC = -40°C تا +95°C) اتومبیل A2 (TC = -40°C تا +105°C) اتومبیلA25 (TC = -40°C تا +115°C) خودروA3 (TC = -40°C تا +125°C) 1.95 μs (8192 چرخه/16 ms) Tc= 105°C تا 115°C 0.97 μs (8192 چرخه/8 ms) Tc= 115°C تا 125°C
جدول آدرس
پارامتر 512Mx8 256Mx16
آدرس صف A0-A15 A0-A14
آدرس ستون A0-A9 A0-A9
آدرس بانک BA0-2 BA0-2
اندازه صفحه 1KB 2KB
آدرس دادن پیش شارژ اتوماتیک A10/AP A10/AP
در حال حرکت، کلید BL A12/BC# A12/BC#
گزینه ها
  • پیکربندی: 512Mx8، 256Mx16
  • بسته بندی: BGA 96 توپ (9mm x 13mm) برای x1678-BGA توپ (8mm x 10.5mm) برای x8

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ موازی 16 بیت BGA-96 0

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ موازی 16 بیت BGA-96 1

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ موازی 16 بیت BGA-96 2

برچسب:

زخم تراشه,تراشه حافظه sram,بر روی تراشه,

تراشه DRAM ظرفیت 4GB,سرعت ۸۰۰ مگاهرتز DDR3 SDRAM,ماژول حافظه بسته بندی BGA-96,

on chip sram

اطلاعات تماس
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

تماس با شخص: Mr. Sun

تلفن: 18824255380

ارسال درخواست خود را به طور مستقیم به ما (0 / 3000)

در باره

واحد میکروکنترلر MCU

UART SPI MCU میکروکنترلر بازو Cortex-A35 میکرو پروسسور تراشه MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU مایکروکنترلر واحد 16 32KBytes برنامه ریزی قابل فلش ATMEGA168PA-AU

واحد ۱۲۸ کیلوبایت ۸ بیتی MCU واحد میکروکنترلر تراشه میکروکامپیوتر هسته AVR ATMEGA128A-AU

آرایه دروازه قابل برنامه ریزی FPGA

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Field قابل برنامه ریزی دستگاه منطق آرایه

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I / O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip (چیپ دستگاه منطقی آرایه قابل برنامه ریزی)

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB تراشه های Cpld تراشه های منطقی قابل برنامه ریزی 85000LE

پیغام بگذارید

سیاست حفظ حریم خصوصی | چین خوب کیفیت آرایه دروازه قابل برنامه ریزی FPGA تامین کننده. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.