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IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALÉL 16-BIT BGA-96

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IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALÉL 16-BIT BGA-96

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96
IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: TWN
Marca: ISSI
Certificação: ROSH
Número do modelo: IS43TR16256BL-125KBLI
Documento: C1349408_C28B7EA490C7FA8CAF...01.pdf
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Detalhes da embalagem: T/R
Tempo de entrega: 5-8 DIA
Termos de pagamento: Western Union,T/T
Habilidade da fonte: 10.000
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IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALÉL 16-BIT BGA-96

descrição
Faixa de tensão operacional: 1.14V a 1,26V Taxa de dados: 2400 MT/s
Método de embalagem: Fita tecida Ampliação: unbuffered
Fator de forma: DIMM Retenção de dados: Retém os dados enquanto a energia for fornecida
Tempo de acesso: Normalmente 5ns a 20ns Interface: Asíncrona ou síncrona
ROHS: Conformidade CAS Latency: CL17
Embalagem universal: LBGA-64 Método de instalação: Instalação de montagem em superfície
Verificação de erros: Paridade Organização: 32 k x 8
Tensão operacional: 1.8V a 5V
Destacar:

Chip DRAM de 4 GB de capacidade

,

800 MHz Velocidade DDR3 SDRAM

,

Modulo de memória de embalagem BGA-96

MEMÓRIA DRAM IS43TR16256BL-125KBLI 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALÉL 16-BIT BGA-96

IS43/46TR16256B, IS43/46TR16256BL, IS43/46TR85120B, IS43/46TR85120BLSolução integrada de silício, 512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

Características
  • Voltagem padrão: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
  • Baixa Tensão (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V - Compatível com 1.5V
  • Taxas de transferência de dados de alta velocidade com frequência de sistema até 1066 MHz
  • 8 bancos internos para operação simultânea
  • Arquitetura pré-retirada de 8n-bit
  • Latência CAS programável
  • Latência aditiva programável: 0, CL-1, CL-2
  • Latência de gravação de CAS programável (CWL) baseada em tCK
  • Duração de explosão programável: 4 e 8
  • Sequência de explosão programável: Sequencial ou Interleave
  • Interruptor BL no momento
  • Auto auto-refrescar ((ASR)
  • Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
  • Intervalo de atualização:7.8 μs (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C3.9 μs (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
  • Auto-refrescamento de matriz parcial
  • Pin de reinicialização assíncrona
  • TDQS (Termination Data Strobe) suportado (apenas x8)
  • OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
  • ODT dinâmico (terminação instantânea)
  • Força do condutor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
  • Escrever nivelamento
  • Até 200 MHz no modo DLL desligado
  • Temperatura de funcionamento: Comercial (TC = 0°C a +95°C) Industrial (TC = -40°C a +95°C) Automóvel, A1 (TC = -40°C a +95°C) Automóvel, A2 (TC = -40°C a +105°C) Automóvel,A25 (TC = -40°C a +115°C) Automóvel, A3 (TC = -40°C a +125°C) 1,95 μs (8192 ciclos/16 ms) Tc= 105°C a 115°C 0,97 μs (8192 ciclos/8 ms) Tc= 115°C a 125°C
Tabela de endereços
Parâmetro 512Mx8 256Mx16
Endereçamento de linha A0-A15 A0-A14
Endereçamento da coluna A0-A9 A0-A9
Endereçamento bancário BA0-2 BA0-2
Tamanho da página 1KB 2KB
Endereçamento de pré-carregamento automático A10/AP A10/AP
Interruptor BL no momento A12/BC# A12/BC#
Opções
  • Configuração: 512Mx8, 256Mx16
  • Embalagem: BGA de 96 bolas (9mm x 13mm) para x1678 BGA de bolas (8mm x 10,5mm) para x8

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALÉL 16-BIT BGA-96 0

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALÉL 16-BIT BGA-96 1

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALÉL 16-BIT BGA-96 2

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