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IS43TR16256BL-125KBLI 동적 무작위 액세스 메모리 DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ 평행 16-비트 BGA-96

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IS43TR16256BL-125KBLI 동적 무작위 액세스 메모리 DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ 평행 16-비트 BGA-96

IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96
IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96 IS43TR16256BL-125KBLI DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ PARALLEL 16-BIT BGA-96

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제품 상세 정보:
원래 장소: TWN
브랜드 이름: ISSI
인증: ROSH
모델 번호: IS43TR16256BL-125KBLI
문서: C1349408_C28B7EA490C7FA8CAF...01.pdf
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
포장 세부 사항: 수입 담보 화물 보관증
배달 시간: 5~8일
지불 조건: 서부 동맹, T/T
공급 능력: 10000
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IS43TR16256BL-125KBLI 동적 무작위 액세스 메모리 DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ 평행 16-비트 BGA-96

설명
작동 전압 범위: 1.14V ~ 1.26V 데이터 속도: 2400 mt/s
포장 방법: 우븐 테이프 버퍼링: 비완충된
폼 팩터: DIMM 데이터 보유: 전원이 공급되는 동안 데이터 유지
접속시간: 일반적으로 5~20ns 인터페이스: 비동기식 또는 동기식
ROHS: 규정 준수 카스 레이턴시: CL17
보편적 포장: LBGA-64 설치 방법: 표면 실장 설치
오류 검사: 둥가 조직: 32kx8
작동 전압: 1.8V ~ 5V
강조하다:

4GB 용량 DRAM 칩

,

800MHz 속도 DDR3 SDRAM

,

BGA-96 패키지 메모리 모듈

동적 무작위 접속 메모리 DRAM IS43TR16256BL-125KBLI 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ 병렬 16-비트 BGA-96

IS43/46TR16256B, IS43/46TR16256BL, IS43/46TR85120B, IS43/46TR85120BL종합 실리콘 솔루션, 512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

특징
  • 표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
  • 저전압 (L): VDD 및 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - 1.5V로 역동 호환
  • 시스템 주파수 최대 1066 MHz의 고속 데이터 전송 속도
  • 동시 운영을 위한 8개의 내부 은행
  • 8n-비트 프리페치 아키텍처
  • 프로그래밍 가능한 CAS 지연
  • 프로그래밍 가능한 추가 지연: 0, CL-1, CL-2
  • tCK를 기반으로 프로그래밍 가능한 CAS WRITE 지연 (CWL)
  • 프로그래밍 가능한 폭발 길이: 4와 8
  • 프로그래밍 가능한 폭발 순서: 순서 또는 간격
  • BL 스위치
  • 자동 자동 갱신 (ASR)
  • 자기 갱신 온도 (SRT)
  • 갱신 간격:7.8 μs (8192 사이클/64 ms) Tc= -40°C ~ 85°C3.9 μs (8192 사이클/32 ms) Tc= 85°C ~ 105°C
  • 부분 배열 자기 갱신
  • 비동기 리셋 핀
  • TDQS (Termination Data Strobe) 지원 (x8만)
  • OCD (오프 칩 드라이버 저항 조정)
  • 동적 ODT (On-Die Termination)
  • 드라이버 강도: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
  • 레벨링을 쓰기
  • DLL 종료 모드에서 최대 200MHz
  • 작동 온도:상업용 (TC = 0°C ~ +95°C) 산업용 (TC = -40°C ~ +95°C) 자동차, A1 (TC = -40°C ~ +95°C) 자동차, A2 (TC = -40°C ~ +105°C) 자동차,A25 (TC = -40°C ~ +115°C) 자동차, A3 (TC = -40°C ~ +125°C) 1.95 μs (8192 사이클/16 ms) Tc= 105°C ~ 115°C 0.97 μs (8192 사이클/8 ms) Tc= 115°C ~ 125°C
주소 표
매개 변수 512Mx8 256Mx16
행 주소 지정 A0-A15 A0-A14
열 주소 지정 A0-A9 A0-A9
은행 주소 BA0-2 BA0-2
페이지 크기 1KB 2KB
자동 전 충전 주소 A10/AP A10/AP
BL 스위치 A12/BC# A12/BC#
옵션
  • 구성: 512Mx8, 256Mx16
  • 패키지: x1678에 대한 96 볼 BGA (9mm x 13mm) x8에 대한 볼 BGA (8mm x 10.5mm)

IS43TR16256BL-125KBLI 동적 무작위 액세스 메모리 DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ 평행 16-비트 BGA-96 0

IS43TR16256BL-125KBLI 동적 무작위 액세스 메모리 DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ 평행 16-비트 BGA-96 1

IS43TR16256BL-125KBLI 동적 무작위 액세스 메모리 DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ 평행 16-비트 BGA-96 2

태그:

칩 상처,

sram 메모리 칩,

칩 스램에

연락처 세부 사항
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

담당자: Mr. Sun

전화 번호: 18824255380

회사에 직접 문의 보내기 (0 / 3000)

약

MCU 마이크로 제어 장치

UART SPI MCU 마이크로컨트롤러 Arm Cortex-A35 마이크로프로세서 칩 MA35D16F887C

아트멜 8 비트 MCU 마이크로 컨트롤러 유닛 16 32KBytes 프로그래밍 플래시 ATMEGA168PA-AU

128kB 8비트 MCU 마이크로컨트롤러 유닛 AVR 코어 마이크로컴퓨터 칩 ATMEGA128A-AU

FPGA 필드 프로그래밍 가능한 게이트 배열

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD 필드 프로그래밍 가능한 장치 논리 배열

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O 필드 게이트 배열 필드 프로그래밍 가능한 배열 논리 장치 칩

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld 칩 프로그래밍 가능한 논리 칩 85000LE

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