nói chuyện ngay. |
Nhà Sản phẩmChip bộ nhớ DRAM

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Hai lần truyền dữ liệu mỗi chu kỳ xung nhịp

Tất cả sản phẩm

FPGA Field Programmable Gate Array

(42)

Đơn vị vi điều khiển MCU

(44)

hệ thống soc trên chip

(17)

IC MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

Máy phát hiện nhiệt hồng ngoại

(2)

Chip vi mạch DSP

(12)

Chip bộ nhớ DRAM

(26)

Chip Eeprom

(70)

Chip PSRAM

(5)

Chip SRAM

(18)

KHÔNG nhấp nháy

(51)

IC EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

Các mạch tích hợp RF

(11)

Pin Li-ion

(24)

Lập trình PLC

(15)

Mô-đun GPS

(9)

Mô hình tần số vô tuyến

(9)

Mô-đun nguồn

(17)

Rơle trạng thái rắn

(11)

Anten giao tiếp

(3)

Đầu nối

(8)

Chip quản lý năng lượng

(38)
Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Hai lần truyền dữ liệu mỗi chu kỳ xung nhịp

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Two Data Transfers Per Clock Cycle
W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Two Data Transfers Per Clock Cycle W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Two Data Transfers Per Clock Cycle W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Two Data Transfers Per Clock Cycle

Hình ảnh lớn :  W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Hai lần truyền dữ liệu mỗi chu kỳ xung nhịp

Thông tin chi tiết sản phẩm:
Nguồn gốc: CN
Hàng hiệu: Winbond
Chứng nhận: rohs
Số mô hình: W971GG6NB-25
Tài liệu: C2826924_1A1126330118ED40FB...9D.pdf
Thanh toán:
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1
Giá bán: consult with
chi tiết đóng gói: T/R
Thời gian giao hàng: 5-8 ngày
Điều khoản thanh toán: T/T, Công Đoàn Phương Tây
Khả năng cung cấp: 100000
Tiếp xúc nói chuyện ngay.

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Hai lần truyền dữ liệu mỗi chu kỳ xung nhịp

Sự miêu tả
Nhiệt độ hoạt động: 0℃~+85℃ Điện áp hoạt động: 1.7V~1.9V
Cấu trúc bộ nhớ (định dạng): SDRAM DDR2 Dung lượng lưu trữ: 1Gbit
Tần số đồng hồ (fc): 400MHz Hoạt động hiện tại: 110mA
Làm nổi bật:

Chip nhớ DDR2 SDRAM 1G bit

,

DDR2 SDRAM 16 bit với 8 bank

,

DDR2 SDRAM hai lần truyền dữ liệu

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bit DDR2 SDRAM
1G bit hiệu suất cao DDR2 SDRAM được tổ chức thành 8,388,608 từ × 8 ngân hàng × 16 bit, đạt tốc độ chuyển giao lên đến 1066 Mbps với hai chuyển dữ liệu mỗi chu kỳ đồng hồ.
Tổng quan sản phẩm
W971GG6NB là một DDR2 SDRAM tốc độ cao được thiết kế cho các ứng dụng khác nhau.Chi tiết lớp -25 này phù hợp với các thông số kỹ thuật DDR2-800 (5-5-5) hoặc DDR2-800 (6-6-6) và hoạt động ở nhiệt độ 0 °C ≤ TCASE ≤ 85 °CTất cả các đầu vào điều khiển và địa chỉ đồng bộ hóa với đồng hồ chênh lệch được cung cấp bên ngoài, trong khi I / O đồng bộ hóa với DQS đơn hoặc cặp DQS-DQS chênh lệch.
Các đặc điểm chính
  • Nguồn cung cấp điện: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
  • Kiến trúc tỷ lệ dữ liệu kép: hai chuyển dữ liệu mỗi chu kỳ đồng hồ
  • CAS Latency: 3, 4, 5, 6 và 7
  • Chiều dài bùng phát: 4 và 8
  • Bi-directional, phân số dữ liệu strobes (DQS và DQS)
  • DLL sắp xếp các chuyển đổi DQ và DQS với đồng hồ
  • Các đầu vào đồng hồ khác biệt (CLK và CLK)
  • Mặt nạ dữ liệu (DM) để ghi dữ liệu
  • Hỗ trợ độ trễ bổ sung có thể lập trình được CAS
  • Điều chỉnh trở kháng ngoài chip-Driver và On-Die-Termination
  • Hoạt động tự động sạc sẵn cho các lần đọc và ghi
  • Chế độ tự động và tự làm mới
  • Giao diện: SSTL_18
  • VFBGA 84 Bao bì quả bóng (8x12,5 mm2, độ dày 1,0 mm)
  • Vật liệu không chì, phù hợp với RoHS
Thông số kỹ thuật số
Số phần Tỷ lệ tốc độ Nhiệt độ hoạt động
W971GG6NB-18 DDR2-1066 (6-6-6) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W971GG6NB18I DDR2-1066 (6-6-6) -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C
W971GG6NB18J DDR2-1066 (6-6-6) -40°C ≤ TCASE ≤ 105°C
W971GG6NB-25 DDR2-800 (5-5-5) hoặc DDR2-800 (6-6-6) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W971GG6NB25I DDR2-800 (5-5-5) hoặc DDR2-800 (6-6-6) -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C
W971GG6NB25J DDR2-800 (5-5-5) hoặc DDR2-800 (6-6-6) -40°C ≤ TCASE ≤ 105°C
W971GG6NB-3 DDR2-667 (5-5-5) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Hai lần truyền dữ liệu mỗi chu kỳ xung nhịp 0 W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Hai lần truyền dữ liệu mỗi chu kỳ xung nhịp 1 W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Hai lần truyền dữ liệu mỗi chu kỳ xung nhịp 2
Bao bì và vận chuyển
Bao bì xuất khẩu tiêu chuẩn có sẵn. Khách hàng có thể lựa chọn từ các thùng carton, vỏ gỗ và pallet gỗ theo yêu cầu của họ.
Câu hỏi thường gặp
Làm thế nào để có được giá?
Chúng tôi thường cung cấp báo giá trong vòng 24 giờ sau khi nhận được yêu cầu của bạn (không bao gồm cuối tuần và ngày lễ).
Thời gian giao hàng của anh là bao lâu?
Các lô nhỏ thường được vận chuyển trong vòng 7-15 ngày, trong khi các đơn đặt hàng lô lớn có thể yêu cầu khoảng 30 ngày tùy thuộc vào số lượng đơn đặt hàng và mùa.
Điều khoản thanh toán của anh là gì?
Giá nhà máy với 30% tiền đặt cọc và 70% thanh toán số dư qua T / T trước khi vận chuyển.
Các lựa chọn vận chuyển là gì?
Các phương thức vận chuyển có sẵn bao gồm vận chuyển hàng hải, vận chuyển hàng không và giao hàng nhanh (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Xin xác nhận phương thức bạn thích trước khi đặt hàng.

Từ khóa:

chip dram,

chip nhớ bộ nhớ,

Chip nhớ DDR2 SDRAM 1G bit

Chi tiết liên lạc
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Người liên hệ: Mr. Sun

Tel: +8618824255380

Gửi yêu cầu thông tin của bạn trực tiếp cho chúng tôi (0 / 3000)

về

Đơn vị vi điều khiển MCU

UART SPI MCU Microcontroller Arm Cortex-A35 Vi xử lý chip MA35D16F887C

Bộ vi điều khiển MCU 8-Bit Atmel 16 32KBytes Flash có thể lập trình ATMEGA168PA-AU

Vi điều khiển MCU 8-bit 128kB Chip vi mạch AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Cảng có thể lập trình thiết bị logic

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Cổng trường Mảng Chip thiết bị logic mảng có thể lập trình được

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB chip Cpld chip logic có thể lập trình 85000LE

Để lại tin nhắn

Chính sách bảo mật | Trung Quốc tốt Chất lượng FPGA Field Programmable Gate Array nhà cung cấp. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.