W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Zwei Datentransfers pro Taktzyklus

Name: W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Zwei Datentransfers pro Taktzyklus
Brand: Shenzhen Filetti Technology Co., LTD
SKU: W971GG6NB-25
Availability: InStock

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W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Zwei Datentransfers pro Taktzyklus

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Two Data Transfers Per Clock Cycle

Großes Bild : W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Zwei Datentransfers pro Taktzyklus

Produktdetails:

Herkunftsort:	CN
Markenname:	Winbond
Zertifizierung:	rohs
Modellnummer:	W971GG6NB-25
Dokument:	C2826924_1A1126330118ED40FB...9D.pdf

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	1
Preis:	consult with
Verpackung Informationen:	T/R
Lieferzeit:	5-8 Tage
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	100000

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W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Zwei Datentransfers pro Taktzyklus

Beschreibung

Betriebstemperatur:	0℃~+85℃	Betriebsspannung:	1,7 V ~ 1,9 V
Speicherarchitektur (Format):	DDR2 SDRAM	Speicherkapazität:	1Gbit
Taktfrequenz (fc):	400 MHz	Betriebsstrom:	110 mA
Hervorheben:	DDR2 SDRAM Speicherchip 1G Bits , 16-Bit DDR2 SDRAM mit 8 Bänken , DDR2 SDRAM zwei Datentransfers

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM

Hochleistungs-1-Gbit-DDR2-SDRAM, organisiert als 8.388.608 Wörter × 8 Bänke × 16 Bits, das Übertragungsraten von bis zu 1066 Mbps mit zwei Datentransfers pro Taktzyklus erzielt.

Produktübersicht

Der W971GG6NB ist ein Hochgeschwindigkeits-DDR2-SDRAM, der für verschiedene Anwendungen entwickelt wurde. Dieses Bauteil der Klasse -25 entspricht den DDR2-800 (5-5-5) oder DDR2-800 (6-6-6) Spezifikationen und arbeitet bei 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C. Alle Steuerungs- und Adress-Eingänge synchronisieren sich mit extern angelegten differentiellen Takten, während die I/Os mit Single-Ended DQS oder differentiellen DQS-DQS-Paaren synchronisieren.

Hauptmerkmale

Stromversorgung: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
Double Data Rate Architektur: zwei Datentransfers pro Taktzyklus
CAS-Latenz: 3, 4, 5, 6 und 7
Burst-Länge: 4 und 8
Bidirektionale, differentielle Daten-Strobes (DQS und DQS)
DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge am Takt aus
Differentielle Takteingänge (CLK und CLK)
Datenmasken (DM) für Schreibdaten
Unterstützung für programmierbare additive Latenz mit Posted CAS
Off-Chip-Treiber-Impedanzanpassung und On-Die-Terminierung
Auto-Precharge-Betrieb für Lese- und Schreib-Bursts
Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi
Schnittstelle: SSTL_18
VFBGA 84-Kugel-Gehäuse (8x12,5 mm², 1,0 mm Dicke)
Bleifreie Materialien, RoHS-konform

Teilenummern-Spezifikationen

Teilenummer	Geschwindigkeitsklasse	Betriebstemperatur
W971GG6NB-18	DDR2-1066 (6-6-6)	0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W971GG6NB18I	DDR2-1066 (6-6-6)	-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C
W971GG6NB18J	DDR2-1066 (6-6-6)	-40°C ≤ TCASE ≤ 105°C
W971GG6NB-25	DDR2-800 (5-5-5) oder DDR2-800 (6-6-6)	0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W971GG6NB25I	DDR2-800 (5-5-5) oder DDR2-800 (6-6-6)	-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C
W971GG6NB25J	DDR2-800 (5-5-5) oder DDR2-800 (6-6-6)	-40°C ≤ TCASE ≤ 105°C
W971GG6NB-3	DDR2-667 (5-5-5)	0°C ≤ TCASE ≤ 85°C

Verpackung & Versand

Standard-Exportverpackung verfügbar. Kunden können je nach Bedarf zwischen Kartons, Holzkisten und Holzpaletten wählen.

Häufig gestellte Fragen

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Jacques

France Oct 8.2025

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