نتحدث الآن |
منزل المنتجاتشريحة ذاكرة DRAM

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G بت DDR2 SDRAM نقل بيانات اثنين لكل دورة ساعة

جميع المنتجات

مجموعة بوابة قابلة للبرمجة في مجال FPGA

(42)

وحدة متحكم MCU

(129)

نظام على رقاقة

(17)

وحدة تحكم MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

كاشف الحرارة تحت الحمراء

(2)

رقاقة IC DSP

(12)

شريحة ذاكرة DRAM

(26)

رقاقة eeprom

(70)

شريحة PSRAM

(5)

شريحة SRAM

(20)

ولا فلاش

(51)

ذاكرة القراءة فقط القابلة للمسح والبرمجة (EPROM) IC

(7)

IC UART

(8)

إدارة التحكم في الطاقة

(100)

الدوائر المتكاملة الراديوية

(11)

مكونات الكترونية

(79)

برمجة PLC

(15)

وحدة GPS

(9)

وحدة ترددات الراديو

(9)

وحدة الطاقة

(19)

ترحيل الحالة الصلبة

(11)

هوائي اتصالات

(3)

موصل

(8)

شريحة إدارة الطاقة

(38)
ابن دردش الآن

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G بت DDR2 SDRAM نقل بيانات اثنين لكل دورة ساعة

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Two Data Transfers Per Clock Cycle
W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Two Data Transfers Per Clock Cycle W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Two Data Transfers Per Clock Cycle W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Two Data Transfers Per Clock Cycle

صورة كبيرة :  W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G بت DDR2 SDRAM نقل بيانات اثنين لكل دورة ساعة

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: CN
اسم العلامة التجارية: Winbond
إصدار الشهادات: rohs
رقم الموديل: W971GG6NB-25
الوثيقة: C2826924_1A1126330118ED40FB...9D.pdf
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: 1
الأسعار: consult with
تفاصيل التغليف: ر/ر
وقت التسليم: 5-8days
شروط الدفع: / تي تي، ويسترن يونيون
القدرة على العرض: 100000
اتصل نتحدث الآن

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G بت DDR2 SDRAM نقل بيانات اثنين لكل دورة ساعة

وصف
درجة حرارة التشغيل: 0 ~ + 85 ℃ جهد التشغيل: 1.7 فولت ~ 1.9 فولت
بنية الذاكرة (التنسيق): ذاكرة DDR2 SDRAM سعة التخزين: 1 جيجابت
تردد الساعة (fc): 400 ميغاهرتز التشغيل الحالي: 110MA
إبراز:

رقاقة ذاكرة DDR2 SDRAM 1G بت,ذاكرة الذاكرة الالكترونية SDRAM DDR2 ذات 16 بت مع 8 بنوك,DDR2 SDRAM اثنين نقل البيانات

,

16-bit DDR2 SDRAM with 8 banks

,

DDR2 SDRAM two data transfers

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G بت DDR2 SDRAM
بطاقة 1G عالية الأداء DDR2 SDRAM منظمة على شكل 8388،608 كلمة × 8 بنوك × 16 بت، وتحقيق معدلات نقل تصل إلى 1066 ميجابايت في الثانية مع نقل بيانات اثنين لكل دورة ساعة.
لمحة عامة عن المنتج
W971GG6NB هي ذاكرة DDR2 SDRAM عالية السرعة مصممة لتطبيقات مختلفة.هذا الجزء من الدرجة -25 يتوافق مع مواصفات DDR2-800 (5-5-5) أو DDR2-800 (6-6-6) ويعمل عند 0 °C ≤ TCASE ≤ 85 °Cجميع مدخلات التحكم والعنوان تتزامن مع ساعات التفاضل المقدمة من الخارج ، في حين أن إدخالات / عمليات التزامن مع DQS ذات نهاية واحدة أو أزواج DQS-DQS التفاضلية.
الخصائص الرئيسية
  • إمدادات الطاقة: VDD، VDDQ = 1.8 V ± 0.1 V
  • بنية معدل البيانات المزدوج: نقل بيانات مرتين لكل دورة ساعة
  • تأخير CAS: 3، 4، 5، 6 و 7
  • طول الانفجار: 4 و 8
  • أجهزة البيانات المتفاوتة ذات الاتجاهين (DQS و DQS)
  • DLL ينسق DQ و DQS الانتقالات مع الساعة
  • مدخلات الساعة التفاضلية (CLK و CLK)
  • قناع البيانات (DM) للكتابة البيانات
  • دعم تأخير إضافي قابل للبرمجة CAS
  • تعديل عائق خارج الشريحة والشاحن و On-Die Termination
  • تشغيل الشحن المسبق التلقائي للكتابة والقراءة
  • أوضاع التحديث التلقائي والتحديث الذاتي
  • واجهة: SSTL_18
  • VFBGA 84 حزمة كرة (8x12.5 ملم 2، سمك 1.0 ملم)
  • مواد خالية من الرصاص، متوافقة مع RoHS
مواصفات رقم الجزء
رقم الجزء درجة السرعة درجة حرارة العمل
W971GG6NB-18 DDR2-1066 (6-6-6) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W971GG6NB18I DDR2-1066 (6-6-6) -40 درجة مئوية ≤ TCASE ≤ 95 درجة مئوية
W971GG6NB18J DDR2-1066 (6-6-6) -40 درجة مئوية ≤ TCASE ≤ 105 درجة مئوية
W971GG6NB-25 DDR2-800 (5-5-5) أو DDR2-800 (6-6-6) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W971GG6NB25I DDR2-800 (5-5-5) أو DDR2-800 (6-6-6) -40 درجة مئوية ≤ TCASE ≤ 95 درجة مئوية
W971GG6NB25J DDR2-800 (5-5-5) أو DDR2-800 (6-6-6) -40 درجة مئوية ≤ TCASE ≤ 105 درجة مئوية
W971GG6NB-3 DDR2-667 (5-5-5) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G بت DDR2 SDRAM نقل بيانات اثنين لكل دورة ساعة 0 W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G بت DDR2 SDRAM نقل بيانات اثنين لكل دورة ساعة 1 W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G بت DDR2 SDRAM نقل بيانات اثنين لكل دورة ساعة 2
التعبئة والشحن
تعبئة تصدير قياسية متوفرة. يمكن للعملاء الاختيار من بين الكرتونات والحقائب الخشبية والحاويات الخشبية وفقًا لمتطلباتهم.
الأسئلة الشائعة
كيف يمكنني الحصول على السعر؟
نحن عادة ما نقدم عروض الأسعار في غضون 24 ساعة من استلام استفسارك (باستثناء عطلات نهاية الأسبوع والأعياد). للحصول على طلبات الأسعار العاجلة ، يرجى الاتصال بنا مباشرة.
ما هو وقت التسليم الخاص بك؟
عادة ما يتم شحن الدفعات الصغيرة في غضون 7-15 يومًا ، في حين أن طلبات الدفعات الكبيرة قد تتطلب حوالي 30 يومًا اعتمادًا على كمية الطلب والموسم.
ما هي شروط الدفع الخاصة بك؟
سعر المصنع مع 30% الودائع و 70% سداد الرصيد عن طريق T / T قبل الشحن.
ما هي خيارات الشحن؟
طرق الشحن المتاحة تشمل الشحن البحري، الشحن الجوي، والتسليم السريع (EMS، UPS، DHL، TNT، FEDEX). يرجى تأكيد الطريقة المفضلة لديك قبل الطلب.

التصنيف العام

5.0
بناءً على 50 مراجعة لهذا المورد

لقطة تقييم

فيما يلي توزيع جميع التصنيفات
5 النجوم
100%
4 النجوم
0%
3 النجوم
0%
2 النجوم
0%
1 النجوم
0%

جميع المراجعات

J
Jacques
France Oct 8.2025
مفيدة (1)
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
بطاقة:

شريحة درام,شريحة درام,رقائق الذاكرة الدرامية,

رقاقة ذاكرة DDR2 SDRAM 1G بت,ذاكرة الذاكرة الالكترونية SDRAM DDR2 ذات 16 بت مع 8 بنوك,DDR2 SDRAM اثنين نقل البيانات,

dram memory chips

تفاصيل الاتصال
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

اتصل شخص: Mr. Sun

الهاتف :: +8618824255380

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)

منتجات أخرى
شريحة ذاكرة DRAM FBGA-200 بسعة 8 جيجابايت X16 X2 قناة LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

شريحة ذاكرة DRAM FBGA-200 بسعة 8 جيجابايت X16 X2 قناة LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

كتالوج المنتج: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

العبوة العالمية: FBGA-200

بنفايات: امتثال

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح
شريحة ذاكرة DRAM ديناميكية ذات وصول عشوائي DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA بسعة 2 جيجابايت

شريحة ذاكرة DRAM ديناميكية ذات وصول عشوائي DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA بسعة 2 جيجابايت

كتالوج المنتج: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

العبوة العالمية: BGA ， FBGA

بنفايات: امتثال

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح
DDR3L X16 4Gb DRAM رقاقة الصناعية F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4Gb DRAM رقاقة الصناعية F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

كتالوج المنتج: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

التغليف العالمي: FBGA-96

بنفايات: امتثال

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح
شريحة ذاكرة 512MB 16bit DRAM 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

شريحة ذاكرة 512MB 16bit DRAM 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

كتالوج البضائع: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

تغليف للأغراض العامة: FBGA-96

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح

درجة حرارة العمل: 95 ℃ (كحد أقصى)
شريحة ذاكرة DRAM صناعية DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

شريحة ذاكرة DRAM صناعية DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

كتالوج المنتج: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

العبوة العالمية: FBGA-96

بنفايات: امتثال

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح
حول

وحدة متحكم MCU

UART SPI MCU متحكم دقيق معالج دقيق Arm Cortex-A35 شريحة MA35D16F887C

وحدة تحكم دقيقة من Atmel 8 بت، 16-32 كيلوبايت، ذاكرة فلاش قابلة للبرمجة ATMEGA168PA-AU

128 كيلو بايت 8 بت وحدة تحكم دقيقة وحدة المعالجة المركزية شريحة حاسوب دقيق بنواة AVR ATMEGA128A-AU

مجموعة بوابة قابلة للبرمجة في مجال FPGA

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD صفيف منطق الجهاز القابل للبرمجة الميداني

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I / O بوابة المجال صفحة المجال قابل للبرمجة صفحة المنطقية جهاز رقاقة

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB رقائق Cpld رقائق منطقية قابلة للبرمجة 85000LE

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة مجموعة بوابة قابلة للبرمجة في مجال FPGA المورد. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.