พูดคุยกันตอนนี้ |
บ้าน ผลิตภัณฑ์ชิปหน่วยความจำ DRAM

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G บิต DDR2 SDRAM การโอนข้อมูลสองครั้งต่อวาระ

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

(42)

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

(44)

ระบบบนชิป (SOC)

(17)

MPU IC

(11)

CPLD PLD

(9)

เครื่องตรวจจับความร้อนอินฟราเรด

(2)

ชิปไอซี DSP

(12)

ชิปหน่วยความจำ DRAM

(26)

ชิป EEPROM

(70)

ชิป PSRAM

(5)

ชิป SRAM

(18)

แฟลช NOR

(51)

EPROM IC

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

เครื่องวงจรบูรณาการ RF

(11)

แบตเตอรี่ลิเธียมไอออน

(24)

การเขียนโปรแกรม PLC

(15)

โมดูล GPS

(9)

โมดูลความถี่วิทยุ

(9)

โมดูลพลังงาน

(17)

โซลิดสเตตรีเลย์

(11)

เสาอากาศสื่อสาร

(3)

ตัวเชื่อมต่อ

(8)

ชิปการจัดการพลังงาน

(38)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G บิต DDR2 SDRAM การโอนข้อมูลสองครั้งต่อวาระ

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Two Data Transfers Per Clock Cycle
W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Two Data Transfers Per Clock Cycle W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Two Data Transfers Per Clock Cycle W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Two Data Transfers Per Clock Cycle

ภาพใหญ่ :  W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G บิต DDR2 SDRAM การโอนข้อมูลสองครั้งต่อวาระ

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ซีเอ็น
ชื่อแบรนด์: Winbond
ได้รับการรับรอง: rohs
หมายเลขรุ่น: W971GG6NB-25
เอกสาร: C2826924_1A1126330118ED40FB...9D.pdf
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
ราคา: consult with
รายละเอียดการบรรจุ: ที/อาร์
เวลาการส่งมอบ: 5-8 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที, เวสเทิร์นยูเนี่ยน
สามารถในการผลิต: 100000
ติดต่อ พูดคุยกันตอนนี้

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G บิต DDR2 SDRAM การโอนข้อมูลสองครั้งต่อวาระ

ลักษณะ
อุณหภูมิในการทำงาน: 0 ℃ ~ + 85 ℃ แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน: 1.7V~1.9V
สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ (รูปแบบ): DDR2 SDRAM ความจุในการจัดเก็บข้อมูล: 1 กิกะบิต
ความถี่นาฬิกา (fc): 400MHz การดำเนินงานในปัจจุบัน: 110ma
เน้น:

ชิปความจํา DDR2 SDRAM 1G บิต

,

DDR2 SDRAM 16 บิต พร้อม 8 แบงค์

,

DDR2 SDRAM การโอนข้อมูลสองครั้ง

W971GG6NB-25 8M 8แบนด์ 16 บิต DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM ความจุ 1 กิกะบิต (1G bits) ประสิทธิภาพสูง จัดเรียงเป็น 8,388,608 คำ x 8 แบนด์ x 16 บิต สามารถรับส่งข้อมูลได้สูงสุด 1066 Mbps โดยมีการรับส่งข้อมูลสองครั้งต่อรอบสัญญาณนาฬิกา
ภาพรวมผลิตภัณฑ์
W971GG6NB เป็น DDR2 SDRAM ความเร็วสูงที่ออกแบบมาสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย รุ่น -25 นี้เป็นไปตามข้อกำหนด DDR2-800 (5-5-5) หรือ DDR2-800 (6-6-6) และทำงานที่อุณหภูมิ 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C สัญญาณอินพุตควบคุมและแอดเดรสทั้งหมดจะซิงโครไนซ์กับสัญญาณนาฬิกาแบบดิฟเฟอเรนเชียลที่ส่งมาจากภายนอก ในขณะที่ I/O จะซิงโครไนซ์กับ DQS แบบซิงเกิลเอนด์ หรือ DQS-DQS แบบดิฟเฟอเรนเชียล
คุณสมบัติหลัก
  • แหล่งจ่ายไฟ: VDD, VDDQ = 1.8 V ± 0.1 V
  • สถาปัตยกรรม Double Data Rate: รับส่งข้อมูลสองครั้งต่อรอบสัญญาณนาฬิกา
  • CAS Latency: 3, 4, 5, 6 และ 7
  • Burst Length: 4 และ 8
  • Bi-directional, differential data strobes (DQS และ DQS)
  • DLL จัดแนวการเปลี่ยน DQ และ DQS ให้ตรงกับสัญญาณนาฬิกา
  • อินพุตสัญญาณนาฬิกาแบบดิฟเฟอเรนเชียล (CLK และ CLK)
  • Data masks (DM) สำหรับข้อมูลเขียน
  • รองรับการหน่วงเวลาแบบเพิ่ม (additive latency) ที่ตั้งโปรแกรมได้ของ CAS แบบโพสต์
  • การปรับอิมพีแดนซ์ของ Off-Chip-Driver และ On-Die-Termination
  • การทำงาน Auto-precharge สำหรับการอ่านและเขียนแบบ Burst
  • โหมด Auto Refresh และ Self Refresh
  • อินเทอร์เฟซ: SSTL_18
  • บรรจุภัณฑ์ VFBGA 84 Ball (8x12.5 mm², หนา 1.0 mm)
  • วัสดุไร้สารตะกั่ว เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ข้อมูลจำเพาะหมายเลขชิ้นส่วน
หมายเลขชิ้นส่วน Speed Grade อุณหภูมิการทำงาน
W971GG6NB-18 DDR2-1066 (6-6-6) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W971GG6NB18I DDR2-1066 (6-6-6) -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C
W971GG6NB18J DDR2-1066 (6-6-6) -40°C ≤ TCASE ≤ 105°C
W971GG6NB-25 DDR2-800 (5-5-5) หรือ DDR2-800 (6-6-6) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W971GG6NB25I DDR2-800 (5-5-5) หรือ DDR2-800 (6-6-6) -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C
W971GG6NB25J DDR2-800 (5-5-5) หรือ DDR2-800 (6-6-6) -40°C ≤ TCASE ≤ 105°C
W971GG6NB-3 DDR2-667 (5-5-5) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G บิต DDR2 SDRAM การโอนข้อมูลสองครั้งต่อวาระ 0 W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G บิต DDR2 SDRAM การโอนข้อมูลสองครั้งต่อวาระ 1 W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G บิต DDR2 SDRAM การโอนข้อมูลสองครั้งต่อวาระ 2
การบรรจุภัณฑ์และการจัดส่ง
มีบรรจุภัณฑ์ส่งออกมาตรฐาน ลูกค้าสามารถเลือกได้ระหว่างกล่องกระดาษ กล่องไม้ และพาเลทไม้ ตามความต้องการ
คำถามที่พบบ่อย
จะขอใบเสนอราคาได้อย่างไร?
โดยทั่วไปเราจะเสนอราคาภายใน 24 ชั่วโมงหลังจากได้รับคำถามของคุณ (ไม่รวมวันหยุดสุดสัปดาห์และวันหยุดนักขัตฤกษ์) สำหรับคำขอราคาเร่งด่วน โปรดติดต่อเราโดยตรง
ระยะเวลาในการจัดส่งของคุณคือเท่าใด?
โดยทั่วไปสินค้าล็อตเล็กจะจัดส่งภายใน 7-15 วัน ในขณะที่คำสั่งซื้อล็อตใหญ่ อาจใช้เวลาประมาณ 30 วัน ขึ้นอยู่กับปริมาณการสั่งซื้อและฤดูกาล
เงื่อนไขการชำระเงินของคุณคืออะไร?
ราคาโรงงาน โดยชำระเงินมัดจำ 30% และยอดคงเหลือ 70% ผ่าน T/T ก่อนจัดส่ง
มีตัวเลือกการจัดส่งอะไรบ้าง?
วิธีการจัดส่งที่มีให้บริการ ได้แก่ การขนส่งทางทะเล การขนส่งทางอากาศ และการจัดส่งด่วน (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX) โปรดยืนยันวิธีการที่คุณต้องการก่อนทำการสั่งซื้อ

แท็ก:

ชิป dram,

ชิปหน่วยความจำ Dram,

ชิปความจํา DDR2 SDRAM 1G บิต

รายละเอียดการติดต่อ
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

ผู้ติดต่อ: Mr. Sun

โทร: +8618824255380

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ
ชิปความจํา FBGA-200 DRAM 8Gb X16 X2 ช่อง LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

ชิปความจํา FBGA-200 DRAM 8Gb X16 X2 ช่อง LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: FBGA-2000

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
ชิปหน่วยความจำ DRAM ขนาด 2Gb F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

ชิปหน่วยความจำ DRAM ขนาด 2Gb F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: BGA， FBGA

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
DDR3L X16 4Gb DRAM ชิปอุตสาหกรรม F60C1A0004-M7

DDR3L X16 4Gb DRAM ชิปอุตสาหกรรม F60C1A0004-M7

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

การบรรจุภัณฑ์ทั่วไป: FBGA-96

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
ชิปความจํา DRAM ขนาด 512MB 16 บิต 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

ชิปความจํา DRAM ขนาด 512MB 16 บิต 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์ทั่วไป: FBGA-96

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount

อุณหภูมิการทํางาน: 95 ℃ (สูงสุด)
ชิปความจํา DRAM อุตสาหกรรม DDR3l DDR3L X16 2GB F60C1A0002-M69W

ชิปความจํา DRAM อุตสาหกรรม DDR3l DDR3L X16 2GB F60C1A0002-M69W

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: FBGA-96

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
เกี่ยวกับ

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

UART SPI MCU ไมโครคอนโทรลเลอร์ Arm Cortex-A35 ไมโครโปรเซสเซอร์ ชิป MA35D16F887C

ไมโครคอนโทรลเลอร์ Atmel 8 บิต MCU หน่วยความจำแฟลชแบบตั้งโปรแกรมได้ 16 32KBytes ATMEGA168PA-AU

ไมโครคอนโทรลเลอร์ 128kB 8 บิต หน่วยประมวลผลกลาง (MCU) ชิปไมโครคอมพิวเตอร์ AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD สนามที่สามารถเขียนโปรแกรมได้

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip ชิป

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB ชิป Cpld ชิปโลจิกโปรแกรม 85000LE

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | จีน ดี คุณภาพ FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู จําหน่าย. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.